반도체 장치
    1.
    发明公开
    반도체 장치 审中-公开

    公开(公告)号:KR20210009000A

    公开(公告)日:2021-01-26

    申请号:KR20190085443

    申请日:2019-07-16

    Abstract: 전이금속을이용하여결정화한산화물반도체막을이용하여, 성능및 신뢰성을개선할수 있는반도체장치를제공하는것이다. 반도체장치는기판, 기판상의산화물반도체막, 산화물반도체막상의제1 게이트구조체, 및산화물반도체막상에, 산화물반도체막과접촉하고, 전이금속을포함하는컨택을포함하고, 컨택은산화물반도체막과경계면에배치되고, 전이금속을포함하는금속산화물막을포함한다.

    이미지 센서 및 이미지 센서를 포함하는 전자 장치

    公开(公告)号:KR20210007697A

    公开(公告)日:2021-01-20

    申请号:KR20190084569

    申请日:2019-07-12

    Abstract: 본문서에개시된다양한실시예에따른전자장치는, 제1 이미지센서, 상기제1 이미지센서와전기적으로연결된제2 이미지센서및 상기제 1 이미지센서및 상기제 2 이미지센서와작동적으로연결된프로세서를포함할수 있다. 다양한실시예에따른상기프로세서는, 동기신호에기초하여, 상기제1 이미지센서를이용하여제 1 이미지데이터를생성하고, 상기제2 이미지센서를이용하여제2 이미지데이터를생성하고, 상기제2 이미지센서로부터생성된상기제2 이미지데이터를상기제1 이미지센서로전송하고, 상기동기신호에기초하여, 상기제1 이미지센서가상기제1 이미지데이터및 상기제2 이미지데이터를처리하여출력이미지데이터를생성하고출력하도록제어할수 있다. 이밖의다양한실시예가가능하다.

    영상 생성 장치 및 방법
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:KR20210007276A

    公开(公告)日:2021-01-20

    申请号:KR20190083437

    申请日:2019-07-10

    Abstract: 본개시는딥러닝등의기계학습알고리즘을활용하여인간두뇌의인지, 판단등의기능을모사하는인공지능(AI) 시스템및 그응용에관련된것이다. 일실시예에따른영상생성장치는, 영상을출력하는디스플레이, 하나이상의인스트럭션을저장하는메모리및 메모리에저장된하나이상의인스트럭션을실행하는프로세서를포함하고, 프로세서는하나이상의인스트럭션을실행함으로써, 복수의프레임들을포함하는영상에서오브젝트를검출하고, 검출된오브젝트를마스킹하기위한복수의후보바운더리들을제공하고, 제공된복수의후보바운더리들을평가하여최적의바운더리를식별하고, 최적의바운더리를이용하여오브젝트가움직이는부분동영상을생성할수 있다.

    반도체 소자 및 반도체 소자의 제조방법

    公开(公告)号:KR20200145948A

    公开(公告)日:2020-12-31

    申请号:KR20190074082

    申请日:2019-06-21

    Abstract: 본개시의일 실시예는, 셀영역과주변영역을포함하는기판과, 상기셀 영역상에배치된셀 게이트구조물과, 상기셀 게이트구조물의양측의상기셀 영역내에배치된제1 불순물영역및 제2 불순물영역과, 상기셀 게이트구조물상에배치되며, 상기셀 게이트구조물과교차하고, 상기제1 불순물영역에연결된비트라인구조물과, 상기주변영역상에배치된주변게이트구조물과, 상기주변영역상에배치되며, 상기주변게이트구조물을덮고, 상기비트라인구조물의상단과실질적으로동일한레벨의상면을갖는주변캐핑층과, 상기제2 불순물영역상에배치되며, 도전성배리어와상기도전성배리어상의콘택물질층을가지고, 상기도전성배리어는상기비트라인구조물의상단을덮는셀 콘택구조물을포함하는반도체소자를제공한다.

    반도체 장치
    8.
    发明公开
    반도체 장치 审中-公开

    公开(公告)号:KR20200145919A

    公开(公告)日:2020-12-31

    申请号:KR20190073505

    申请日:2019-06-20

    Inventor: LIM GEUN WON

    Abstract: 본발명의일 실시예에따른반도체장치는, 셀어레이영역및 패드영역을갖는기판, 상기기판상에서서로교대로적층되며상기패드영역에서계단구조를갖는게이트전극들및 몰드절연층들을포함하는적층구조체, 상기패드영역에서상기적층구조체를수직으로관통하고, 제1 방향을따라연장되고, 제1 더미절연층들및 제2 더미절연층들을포함하되, 상기제1 더미절연층들은내측벽들을덮으며, 상기게이트전극들의상면의일부를덮는수평부들을포함하고, 상기제2 더미절연층들은상기제1 더미절연층들의사이를채우는, 복수의제1 분리영역들, 상기제1 더미절연층으로부터상기제1 방향과수직교차하는제2 방향에서상기몰드절연층들을향하여연장되는연장부들, 상기기판에서상기적층구조체를복수의영역들로분할하며상기제1 방향으로연장되는복수의제2 분리영역들, 및상기제2 더미절연층내에서상기수평부들을관통하여상기게이트전극들에연결되는셀 컨택플러그들을포함한다.

    수직형 메모리 소자를 구비한 집적회로 소자

    公开(公告)号:KR20200145872A

    公开(公告)日:2020-12-31

    申请号:KR20190068802

    申请日:2019-06-11

    Abstract: 집적회로소자는복수의워드라인과, 상기복수의워드라인위에적층된스트링선택라인구조물과, 상기복수의워드라인및 상기스트링선택라인구조물을관통하여상기수직방향으로연장되는복수의채널구조물을포함하고, 상기스트링선택라인구조물은상기복수의워드라인보다더 높은제1 레벨에서수평방향으로연장되는하측수평연장부와, 상기제1 레벨보다더 높은제2 레벨에서상기수평방향으로연장되는상측수평연장부와, 상기하측수평연장부와상기상측수평연장부와의사이에연결된수직연장부를가지는스트링선택절곡라인을포함한다.

Patent Agency Ranking