-
公开(公告)号：JP2015050463A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：JP2014176933
申请日：2014-09-01
Applicant: シリコンファイル テクノロジーズ インコーポレイテッドSiliconFile Technologies Inc. , Siliconfile Technologies Inc , シリコンファイル テクノロジーズ インコーポレイテッドSiliconFile Technologies Inc.
Inventor： SA SEUNG HOON , LEE YOUNG HA
IPC: H01L27/146 , H04N5/357 , H04N5/369 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/14609 , H01L27/14634 , H01L27/1464
Abstract: 【課題】本発明は、イメージセンサのノイズ特性を改善できるようにするものである。【解決手段】フォトダイオード、転送トランジスタ、および第1導体パッドを備え、前記フォトダイオードから出力される映像電荷を前記第1導体パッドを介して出力する第1半導体チップと、ドライブトランジスタ、選択トランジスタ、リセットトランジスタ、および第2導体パッドを備え、該第2導体パッドを介して前記第1半導体チップから受信される前記映像電荷に対応する出力電圧を当該ピクセルに供給する第2半導体チップとを備え、該第2半導体チップが、前記ピクセルに供給される前記出力電圧に混入したノイズ成分を低減するノイズ低減用キャパシタを備えるチップ積層イメージセンサを提供する。【選択図】図4
Abstract translation: 要解决的问题：改善图像传感器的噪声特性。解决方案：芯片层叠图像传感器包括：第一半导体芯片，其包含光电二极管，转移晶体管和第一导体焊盘，并且通过第一导体焊盘输出视频 从光电二极管输出的电荷以及包含驱动晶体管，选择晶体管，复位晶体管和第二导体焊盘的第二半导体芯片，并且向相应的像素提供与视频电力相对应的输出电压 通过第二导体焊盘从第一半导体芯片接收的电荷。 第二半导体芯片包括降噪电容器，其降低与提供给像素的输出电压混合的噪声分量。
-
公开(公告)号：JP2015041780A
公开(公告)日：2015-03-02
申请号：JP2014169005
申请日：2014-08-22
Applicant: シリコンファイル テクノロジーズ インコーポレイテッドSiliconFile Technologies Inc. , Siliconfile Technologies Inc , シリコンファイル テクノロジーズ インコーポレイテッドSiliconFile Technologies Inc.
Inventor： BYUN KYUNG SU
IPC: H01L27/14 , G02B7/34 , G03B13/36 , H01L27/146 , H04N5/369
CPC classification number: H01L27/14629 , H01L27/14634 , H01L27/14647 , H01L27/1469
Abstract: 【課題】上板のピクセルをイメージピクセルとして実現し、下板のピクセルを位相差AFを実現するためのピクセルとして実現することで、解像度の損失なく位相差AFを実現することができる3次元積層構造のイメージセンサに関するものである。【解決手段】 3次元積層構造のイメージセンサによれば、既存の撮像面位相差AF装置の欠点である解像度低下の問題を解決し、別の位相差AFモジュールがなくても、高解像度を維持しながら、迅速な位相差AFを実現することができる利点がある。【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：为了获得能够实现相位差AF而不损失分辨率的三维分层结构的图像传感器，通过实现上部像素作为图像像素，并实现下部像素的像素 作为相位差AF。解决方案：根据三维分层结构的图像传感器，解决了分辨率降低的问题，即现有成像区域相位差AF器件的缺点，解决了快速相位差AF 实现同时保持高分辨率，即使没有其他相位差AF模块。
-
公开(公告)号：JP2015050467A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：JP2014178103
申请日：2014-09-02
Applicant: シリコンファイル テクノロジーズ インコーポレイテッドSiliconFile Technologies Inc. , Siliconfile Technologies Inc , シリコンファイル テクノロジーズ インコーポレイテッドSiliconFile Technologies Inc.
Inventor： KIM HO SOO , KIM JONG PHIL
CPC classification number: G02B3/0037 , G02B3/0043 , G02B7/34 , G02B7/346 , H01L27/14621 , H01L27/14627
Abstract: 【課題】フォトダイオードに入射する光を集光させるマイクロレンズの形状を、特定方向に対してのみ光が通過可能に変更することにより、入力信号の損失なしにも位相差を検出することができるマイクロレンズを用いた位相差検出ピクセルを提供する。【解決手段】位相差検出ピクセルは、フォトダイオードと、カラーフィルタ層と、位相差検出用マイクロレンズを含むマイクロレンズ層とを備える。位相差検出用マイクロレンズは、第1方向に傾斜して屈曲した第1入射面を有する第1位相差検出用マイクロレンズと、第1方向とは反対の第2方向に傾斜して屈曲した第2入射面を有する第2位相差検出用マイクロレンズとを含み、位相差検出用カラーフィルタに対して入射する光は、対応するフォトダイオードに集光される。これによりイメージセンサの全領域において位相差検出機能を実現することができ、物体間の距離測定や3次元イメージ撮影などに多様に応用可能である。【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种使用微透镜的相位差检测像素，其可以通过修改收集入射到光电二极管中的光的微透镜的形状来检测相位差而不损失输入信号，使得光通过 通过仅在特定的方向。解决方案：相位差检测像素包括光电二极管，滤色器层和包括用于相位差检测的微透镜的微透镜层。 用于相位差检测的微透镜包括：用于相位差检测的第一微透镜，具有在第一方向上倾斜并弯曲的第一入射面; 以及用于相位差检测的第二微透镜，具有在与第一方向相反的第二方向上倾斜并弯曲的第二入射面。 入射到用于相位差检测的滤色器上的光聚焦在相应的光电二极管上。 因此，可以在图像传感器的整个区域中实现相位差检测功能，并且使用微透镜的相位差检测像素被各种应用于物体之间的距离测量或三维图像捕获。
-
公开(公告)号：JP2015505075A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：JP2014549985
申请日：2012-12-26
Applicant: シリコンファイル テクノロジーズ インコーポレイテッドSiliconFile Technologies Inc. , シリコンファイル テクノロジーズ インコーポレイテッドSiliconFile Technologies Inc.
CPC classification number: G09G3/3283 , G09G3/2003 , G09G3/30 , G09G3/3208 , G09G3/3225 , G09G3/3233 , G09G2320/0233 , G09G2320/029 , G09G2320/041 , G09G2320/0626 , G09G2320/0666 , G09G2360/145
Abstract: 有機発光ダイオードパネル上においてディスプレイ領域の外郭部に設けられ、ディスプレイ領域に配列された画素素子に対応して動作する基準画素素子部と、ディスプレイ領域の外郭部のうち、基準画素素子部を含む領域に装着され、基準画素素子部から入射する光の輝度値を基準輝度値と比較し、それに応じた輝度偏差値を算出した後、輝度偏差値に応じてディスプレイ領域に配列された画素素子の駆動を制御し、輝度偏差の補償された光が照射されるようにする駆動チップとを備える有機発光ダイオードパネルの輝度補償装置を提供する。
Abstract translation: 在设置于显示区域的外部的面板，包括工作在与设置在显示区域中，显示区域中，参考像素元件区域的外部部分之间的像素元件对应的参照象素元件部分上的有机发光二极管 安装在光入射从参考像素元件部分的亮度值计算与其对应的亮度差值之后，根据亮度偏差布置在显示区域中的像素元件的驱动与基准亮度值进行比较， 控制，被补偿的光强度偏差提供了有机发光二极管面板的亮度补偿装置和驱动芯片被照射。
-
公开(公告)号：JP2010249813A
公开(公告)日：2010-11-04
申请号：JP2010088714
申请日：2010-04-07
Inventor： LEE BYUNG-SU
CPC classification number: G01S17/48 , G01B11/2545 , G01C11/06
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a three-dimensional distance recognition device utilizing a stereo camera.
SOLUTION: The three-dimensional distance recognition device includes: a stereo vision camera 110 for detecting a parallax of a selection point to be measured; and a pattern generation device 120 for generating a pattern, and projecting the pattern to the selection point when the selection point is an object not generating a parallax. By this, the device has such an advantage that, even if an object to be measured is a monochromatic plane or transparent glass, a distance of a selection fulcrum to be measured can be recognized accurately.
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPITAbstract translation: 要解决的问题：提供利用立体相机的三维距离识别装置。 解决方案：三维距离识别装置包括：立体视觉摄像机110，用于检测要测量的选择点的视差; 以及用于产生图案的图案生成装置120，并且当选择点是不产生视差的对象时，将图案投影到选择点。 由此，该装置的优点在于，即使被测定对象为单色面或透明玻璃，也能够准确地识别被测定的选择支点的距离。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT
-
Patent Agency Ranking6.发明专利Electrical coupling method between wafers using batting contact system and semiconductor device achieved by using the same 审中-公开使用电池接触系统的波形之间的电耦合方法和使用该方法实现的半导体器件
公开(公告)号：JP2014103395A
公开(公告)日：2014-06-05
申请号：JP2013235660
申请日：2013-11-14
Inventor： IN GYUN JEON
IPC: H01L21/02 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L27/14 , H01L27/146
CPC classification number: H01L25/50 , H01L21/76802 , H01L21/76898 , H01L21/8221 , H01L23/481 , H01L24/06 , H01L24/07 , H01L24/08 , H01L24/80 , H01L24/82 , H01L24/92 , H01L27/14612 , H01L27/14632 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/05647 , H01L2224/05686 , H01L2224/06051 , H01L2224/06505 , H01L2224/06517 , H01L2224/08146 , H01L2224/08147 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/82031 , H01L2224/821 , H01L2224/9202 , H01L2224/9212 , H01L2924/00014 , H01L2924/12043 , H01L2224/82 , H01L2924/00012 , H01L2924/053 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electrical connection method between wafers being coupled electrically using batting contacts, and to provide a semiconductor device achieved by using that method.SOLUTION: First wafer 210 and second wafer 220 are bonded physically by using an oxide film bonding system, a metal bonding system using TSVs or batting contacts is employed for electrical coupling of the first conductive region of the first wafer 210 and a second conductive region of the second wafer 220 corresponding thereto. At least one of a plurality of elements constituting a CMOS image sensor is achieved in the first wafer 210, and the elements remaining after removing those achieved in the first wafer from the plurality of elements constituting a CMOS image sensor and a pixel drive circuit are achieved in the second wafer 220. The process can be simplified, errors on the process are reduced, and product yield can be enhanced.
Abstract translation: 要解决的问题：提供在使用击打触点电连接的晶片之间的电连接方法，并提供通过使用该方法实现的半导体器件。解决方案：第一晶片210和第二晶片220通过使用氧化膜键合 系统中，使用使用TSV或击打触点的金属接合系统用于电耦合第一晶片210的第一导电区域和对应于其的第二晶片220的第二导电区域。 在第一晶片210中实现构成CMOS图像传感器的多个元件中的至少一个元件，并且实现了从构成CMOS图像传感器和像素驱动电路的多个元件中去除在第一晶片中实现的元件之后剩余的元件 在第二晶片220中。可以简化该过程，减少工艺上的错误，并且可以提高产品产量。
-
公开(公告)号：JP2015523713A
公开(公告)日：2015-08-13
申请号：JP2015511330
申请日：2012-05-10
Applicant: シリコンファイル テクノロジーズ インコーポレイテッドSiliconFile Technologies Inc. , シリコンファイル テクノロジーズ インコーポレイテッドSiliconFile Technologies Inc.
IPC: H01L27/146 , H01L21/60 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L27/14 , H04N5/369
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/14616 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H01L27/14687 , H01L27/1469
Abstract: 本発明は、チップ積層イメージセンサおよびその製造方法であって、より詳細には、各半導体基板に形成されるセンサの特性に合わせた基板物質を用いて第1半導体チップおよび第2半導体チップを製造した後、各半導体チップを積層させて形成された異種接合構造のチップ積層イメージセンサおよびその製造方法である。本発明に係る異種接合構造のチップ積層イメージセンサおよびその製造方法によれば、第1半導体チップに用いられる第1半導体基板と、第2半導体チップに用いられる第2半導体基板とを異なる材質にすることにより、各半導体チップに形成されたセンサの特性が十分に発揮できるという利点がある。
Abstract translation: 本发明涉及一种芯片堆叠图像传感器及其制造方法，更具体地，使用的基片材料制造的第一半导体芯片和第二半导体芯片，根据该传感器的形成在半导体基板上的特征 后的芯片堆叠的图像传感器和通过堆叠半导体芯片形成于其异质结结构的制造方法。 根据芯片堆叠图像传感器和根据本发明其异质结结构的制造方法，对用于所述第一半导体芯片，第二半导体基板和所述不同材料的第二半导体芯片中使用的第一半导体基板 它允许形成在半导体芯片上的传感器的特性具有这样的优点的充分发挥。
-
公开(公告)号：JP2015534273A
公开(公告)日：2015-11-26
申请号：JP2015532972
申请日：2013-09-24
Applicant: シリコンファイル テクノロジーズ インコーポレイテッドSiliconFile Technologies Inc. , シリコンファイル テクノロジーズ インコーポレイテッドSiliconFile Technologies Inc.
IPC: H01L27/146 , H01L27/14 , H04N5/369 , H04N5/374
CPC classification number: H04N5/3745 , H01L27/14609 , H01L27/14634 , H04N5/37457
Abstract: 本発明は、フォトダイオードで生成された電荷を浮遊拡散領域に転送する効率を極大化する3次元構造を有するイメージセンサの分離型単位画素を開示(introduce)する。3次元構造を有するイメージセンサの分離型単位画素は、第1ウエハには、フォトダイオードと、転送トランジスタとが形成され、第2ウエハには、リセットトランジスタと、ソースフォロワトランジスタとが形成される。特に、フォトダイオードのポジティブ領域には、第2ウエハで使用される接地電圧より低い電圧準位を有するN_接地電圧を印加する。
Abstract translation: 本发明是一种具有三维结构，以最大限度地传送由所述光电二极管到浮置扩散区域中产生的电荷的效率的分离型单位像素公开了（介绍）。 具有3D结构中，第一晶片，光电二极管分离型单位像素中，转移晶体管形成，第二晶片，和复位晶体管和源极跟随器晶体管形成。 特别地，在光电二极管上，用于施加具有比在所述第二晶片中使用的接地电压的低电压电平的N_接地电压的正区域。
-
9.发明专利Method of forming color filter of image sensor, and the image sensor manufactured by the method 审中-公开形成图像传感器的彩色滤光片的方法和方法制作的图像传感器
公开(公告)号：JP2007005765A
公开(公告)日：2007-01-11
申请号：JP2006087751
申请日：2006-03-28
Inventor： BOKU TESSHU
CPC classification number: H01L27/14621 , G01J1/0488 , G01J3/513 , G02B5/201 , H01L27/14685
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of forming a color filter and an image sensor manufactured by the method, whereby optical crosstalks among the pixels of the image sensor are prevented, and the efficiency of light is improved. SOLUTION: The method of forming the color filter of the image sensor includes a step of forming a trench region in a predetermined region, after the top metal layer of the image sensor pixels has been formed, and a step of forming the color filter in the trench region. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
Abstract translation: 要解决的问题：为了提供一种形成滤色器的方法和通过该方法制造的图像传感器，由此防止了图像传感器的像素之间的光学串扰，并提高了光的效率。 解决方案：形成图像传感器的滤色器的方法包括在形成图像传感器像素的顶部金属层之后，在预定区域中形成沟槽区域的步骤，以及形成颜色的步骤 滤波器在沟槽区域。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT
-
公开(公告)号：JP2014533888A
公开(公告)日：2014-12-15
申请号：JP2014542228
申请日：2012-11-08
Applicant: シリコンファイル テクノロジーズ インコーポレイテッドSiliconFile Technologies Inc. , シリコンファイル テクノロジーズ インコーポレイテッドSiliconFile Technologies Inc.
IPC: H01L27/14 , H01L27/146 , H04N5/369 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/14647 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14634 , H01L27/1464 , H01L27/14641
Abstract: 本発明は、第1基板に第1〜第4フォトダイオードを置き、第2基板に第5フォトダイオードを置いてこれらの基板を積層して結合する時、第1〜第4フォトダイオードと第5フォトダイオードも結合され、1つのピクセルの構成要素としての完全なフォトダイオードとなるようにし、必要によっては、各フォトダイオードで個別に感知された信号を選択的に読み出したり、または合算して読み出すことができるようにする二重感知機能を有する基板積層型イメージセンサに関するものである。このために、本発明は、第1基板に形成された第1〜第4フォトダイオードを形成し、第2基板に第5フォトダイオードを形成して、第1〜第4フォトダイオードと第5フォトダイオードとが互いに電気的に接合し、第1基板と第2基板のピクセルアレイの大きさを異ならせ、第1基板のセンサの解像度と第2基板のセンサの解像度とを異ならせることを特徴とする。
Abstract translation: 本发明中，上述第一基板放置第一至第四光电二极管，当通过在第二衬底的第五光电二极管层叠这些基板结合时，第一至第四光电二极管5 光电二极管也被耦合，以这样的方式，一个完整的光电二极管作为一个像素的分量，需要的是，以选择性地读出的个别感测的信号的光电二极管或读取，或组合，以 本发明涉及具有双重感测功能，以允许基板堆放图像传感器。 为此，本发明是第一个形成在第一基板上第四光电二极管形成，在第二基板上，以形成光电二极管第五，第一至第四光电二极管和第五照片 二极管和电连接到彼此，其特征在于，通过改变第一基板的尺寸和像素阵列的所述第二基板上，改变第一基板分辨率的所述传感器和所述第二基板的传感器的分辨率 到。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
245
records
(took 0.024 seconds)
