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公开(公告)号：WO2008149686A1
公开(公告)日：2008-12-11
申请号：PCT/JP2008/059508
申请日：2008-05-23
Applicant: SUMCO TECHXIV株式会社 , 鳴嶋 康人 , 川添 真一 , 小川 福生 , 久保田 利通
Abstract: ドーパントの注入方法は、常温で固体状のＧｅを保持するとともに、半導体融液（Ｓ）表面近傍で液化させ、液化したＧｅを下方に流す連通孔（３２１）が形成されたドーパント保持部（３２）と、ドーパント保持部（３２）に保持されたＧｅを覆う被覆部（３１）と、被覆部（３１）に形成され、外部との通気を行う通気孔（３１３）とを備えたドーピング装置（３）に、固体状のＧｅドーパント（Ｄ）を装填する工程と、ドーピング装置（３）を前記半導体融液表面から所定の高さに保持し、装填された固体状のＧｅドーパントを液化させる工程と、連通孔（３２１）より半導体融液中（Ｓ）に液化したＧｅをドーピングする工程とを実施する。
Abstract translation: 掺杂装置（3）设置有在常温下保持固态Ge的掺杂剂保持部（32），使半导体熔体（S）的表面附近的Ge液化，并具有连通孔（ 321），用于允许液化Ge向下流动; 用于覆盖由掺杂剂保持部分（32）保持的Ge的覆盖部分（31）; 以及形成在所述覆盖部分（31）上用于将空气与外部通风的通风孔（313）。 提供掺杂剂注入方法，其具有用固态Ge掺杂剂（D）填充掺杂装置的步骤; 将掺杂装置（3）从半导体熔融物的表面保持在规定高度并液化所施加的固态Ge掺杂剂的步骤; 以及从所述连通孔（321）向所述液化Ge掺杂半导体熔融物（S）的步骤。
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公开(公告)号：WO2008146725A1
公开(公告)日：2008-12-04
申请号：PCT/JP2008/059512
申请日：2008-05-23
Applicant: SUMCO TECHXIV株式会社 , 川添 真一 , 鳴嶋 康人 , 久保田 利通 , 小川 福生
CPC classification number: C30B15/00 , C30B15/04 , C30B15/203 , C30B29/06
Abstract: シリコン融液にリン（Ｐ）及びゲルマニウム（Ｇｅ）、又はシリコン－ゲルマニウム融液にリンを添加した後、得られたシリコン融液からチョクラルスキー法によりシリコン単結晶を育成する際に、リン濃度［Ｐ］（atoms／cm ３ ）が、４．８４×１０ １９ atoms／cm ３ 以上、８．４９×１０ １９ atoms／cm ３ 以下、リン濃度［Ｐ］（atoms／cm） ３ ）及びＧｅ濃度［Ｇｅ］（atoms／cm ３ ）が、下記式（１）の関係を満たすように結晶を育成することを特徴とする。
Abstract translation: 在通过Czochralski法从含有磷（P）和锗（Ge）的硅熔体或含有磷（P）的硅 - 锗熔体）生长硅单晶的过程中，磷[P]（原子/ cm3 ）为4.84×1019〜8.49×1019原子/ cm3，磷[P]（原子/ cm 3）的浓度和锗[Ge]（原子/ cm 3）的浓度满足式（1）所示的要求。 [Ge] <-6.95×[P] + 5.90×1020（1）
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公开(公告)号：WO2008038689A1
公开(公告)日：2008-04-03
申请号：PCT/JP2007/068743
申请日：2007-09-27
Applicant: SUMCO TECHXIV株式会社 , 十河 慎二 , 佐藤 利行
CPC classification number: C30B13/12 , C30B29/06 , Y10T117/1008
Abstract: ＦＺ法によるシリコン単結晶の製造方法は、ＣＺ法により引き上げられたＰ型又はＮ型のシリコン結晶を原料素材６とし、原料素材６の導電型と同じ導電型の不純物をガスドープ装置４により供給しつつ、誘導加熱コイル３により再結晶化させて製品単結晶８を得る。
Abstract translation: 在使用FZ法的硅单晶制造方法中，使用通过CZ法拉伸的P型或N型硅晶体作为原料（6），并且在提供具有相同导电类型的杂质时 通过气体掺杂装置（4）将原材料（6）通过感应线圈（3）重结晶，得到产品单晶（8）。
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公开(公告)号：WO2015004973A1
公开(公告)日：2015-01-15
申请号：PCT/JP2014/061751
申请日：2014-04-25
Applicant: SUMCO TECHXIV株式会社
Inventor： 西村 好信
Abstract: 供給配管を介して供給される供給液を飛散させる飛散板（４）であって、供給配管の開口端に対向する位置において、厚さ方向が供給液の供給方向（Ｄ１）と略平行となるように、かつ、厚さ方向に略平行な回転軸を中心に回転するように配置可能な板状部材（４１）を備え、板状部材（４１）には、当該板状部材（４１）の回転中心（Ｏ）以外の箇所に、厚さ方向に貫通し供給液が通過可能な飛散孔（４２）が設けられ、飛散孔（４２）における回転方向（Ｄ２）の後ろ側に位置する壁面（４２１）は、供給配管（３）に対向する対向面（４１１）側の回転方向の最も後ろ側に位置する壁面端部（４２１Ａ）が非対向面（４１２）側の回転方向の最も後ろ側に位置する壁面端部（４２１Ｂ）より回転方向（Ｄ２）の前方に位置するように傾斜していることを特徴とする。
Abstract translation: 用于散布通过供应管供应的供应溶液的散射板（4）的特征在于：设置有平面构件（41），其可以设置在面向供应管的开口端的位置，使得厚度 方向基本上平行于所供给的溶液的供给方向（D1），并且围绕基本上平行于厚度方向的旋转轴旋转; 在所述平面构件（41）中设置有散射孔（42），供给的溶液能够通过所述散射孔，并且在所述平面构件的旋转中心（O）以外的位置沿厚度方向穿孔， 41）; 并且位于散射孔（42）的旋转方向（D2）的后侧的壁面（421）倾斜，使得位于相对表面上的旋转方向上最上方的壁面端部（421A） 面向供给管道（3）的侧面（411）侧面位于比在面对面（412）侧的旋转方向最上方的壁面端部（421B）更靠前方的旋转方向（D2） 。
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公开(公告)号：WO2014175120A1
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：PCT/JP2014/060721
申请日：2014-04-15
Applicant: SUMCO TECHXIV株式会社
CPC classification number: C30B15/04 , B28D5/0011 , C30B15/206 , C30B25/10 , C30B25/186 , C30B29/06
Abstract: チャンバと、このチャンバ内に配置されシリコン融液に赤リンを添加したドーパント添加融液を収納可能な坩堝と、種子結晶を前記ドーパント添加融液に接触させた後に引き上げる引き上げ部と、を備えた単結晶引き上げ装置を利用した単結晶の製造方法であって、単結晶の抵抗率が０．７ｍΩ・ｃｍ以上０．９ｍΩ・ｃｍ以下となるように、シリコン融液に赤リンを添加し、単結晶から得られる評価シリコンウェーハに対して１２００℃の水素雰囲気中で３０秒加熱する熱処理を施した後に、評価シリコンウェーハに発生するピットの数が０．１個／ｃｍ ２ 以下となるように、単結晶の温度が５７０℃±７０℃の範囲内となる時間を任意に制御して単結晶を引き上げる。
Abstract translation: 一种利用单晶提拉装置制造单晶的方法，该单晶提拉装置装有一个室，坩埚布置在该室中，并可容纳通过将硅磷熔体中加入红磷制备的掺杂剂添加的熔体，以及 提拉单元，用于使晶种与添加掺杂剂的熔体接触，然后拉起晶种。 在该方法中，以这样的方式将红色磷添加到硅熔体中，使得单晶的电阻率可以为0.7〜0.9mΩ，包括OHgr·cm; 将从单晶制造的待评价的硅晶片进行热处理，其中将硅晶片在1200℃的氢气气氛中加热30秒; 然后在单独控制单晶温度达到570℃±70℃的时间的同时上拉单晶，使得待评估的硅晶片中出现的凹坑数可以变为0.1凹坑/ cm2 或更少。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2008093576A1
公开(公告)日：2008-08-07
申请号：PCT/JP2008/050882
申请日：2008-01-23
Applicant: SUMCO TECHXIV株式会社 , 十河 慎二 , 上田 亮輔
CPC classification number: C30B29/06 , C30B13/285 , C30B13/32 , C30B15/22
Abstract: ＣＺ法により製造されたシリコン結晶素材であって、ＦＺ法によるシリコン単結晶の製造の原料棒として用いられ、機械加工を必要とせずにＦＺ法の結晶成長炉内に装填することができる被把持部を有するシリコン結晶素材及びその製造方法を提供すること。 ＣＺ法によるシリコン結晶の製造方法により製造され、肩部、直胴部、及び尾部と同様に、ＣＺ法によるシリコン結晶製造過程で形成された、前記ＦＺ法による単結晶製造装置に装着されて単結晶成長を可能とするための被把持部を有する。また、ＣＺ法によるシリコン結晶製造で用いられた種結晶を被把持部として有する。その製造方法は、ＣＺ法によるシリコン結晶の製造方法で製造する際に、結晶の成長条件を一時的に変更して、直胴部の外周面に凸部又は凹部を、又は直胴部の肩部にくぼみ部を形成することを特徴とする。
Abstract translation: 提供了一种硅晶体材料，其通过CZ法制造，用作通过FZ法制造单晶硅材料棒，并且具有用FZ方法装载在晶体生长炉中的把持部分，而不需要 机械加工。 还提供了制造这种硅晶体材料的方法。 硅晶体材料通过使用CZ法的硅晶体制造方法制造，并且在硅晶体生长步骤中设置有与肩部相同的方式制造的把持部，直体部和尾部 采用CZ法，并装载在采用FZ法的单晶制造装置中生长单晶。 使用采用CZ法的硅晶体制造中使用的晶种被用作抓取部分。 通过临时改变晶体生长条件来制造把持部分，以在直体部分的外圆周表面上形成突出部分或凹部，或者在制造时在直体部分的肩部上形成凹痕 硅晶体采用CZ法。
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公开(公告)号：WO2008038693A1
公开(公告)日：2008-04-03
申请号：PCT/JP2007/068763
申请日：2007-09-27
Applicant: SUMCO TECHXIV株式会社 , 鳴嶋 康人 , 小川 福生 , 川添 真一 , 久保田 利通
Abstract: 坩堝３１内の半導体融液中に揮発したドーパントガスを注入するドーパントの注入方法は、ドーパントガスの流れ方向に沿った支持軸３６を中心として、坩堝３１を時計回り又は反時計回りに交互に回転させながら、ドーパントガスを半導体融液に吹き付ける。坩堝３１を回転させることで、内部の半導体融液に対流が生じ、吹き付けられたドーパントが半導体融液内に拡散し易くなる。
Abstract translation: 提供了一种用于将蒸发的掺杂剂气体注入坩埚（31）中的半导体熔体中的掺杂剂注入方法。 在该方法中，将掺杂剂气体吹向半导体熔体，同时沿着掺杂剂气体的流动方向以中心的支撑轴（36）顺时针和逆时针方向交替地旋转坩埚（31）。 通过旋转坩埚在坩埚（31）内的半导体熔融物中产生约束流，并且吹入的掺杂剂容易扩散到半导体熔体中。
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公开(公告)号：WO2010021272A1
公开(公告)日：2010-02-25
申请号：PCT/JP2009/064172
申请日：2009-08-11
Abstract: トップ部分から低抵抗率であるシリコンインゴットを得る製造方法等を提供すること。 シリコン種結晶１３を引き上げてシリコン単結晶１２を成長させることによりシリコンインゴットを製造する方法であって、シリコン種結晶１３及びシリコン融液１１は同じ種類のドーパントを含有しており、シリコン融液１１に特定の濃度範囲のドーパントを含有するシリコン種結晶１３を両者の温度差が５０～９７Ｋになるように着液させる着液工程と、前記着液工程を経て引き上げられたシリコン単結晶１２を成長させてシリコンインゴットを得る成長工程と、を備え、さらに、前記成長工程において、シリコン融液１１からの輻射熱を遮蔽する熱遮蔽板２２を備える単結晶引き上げ装置を用い、熱遮蔽板２２とシリコン融液１１との間の距離が特定の範囲となるシリコンインゴットの製造方法を使用する。
Abstract translation: 制造硅锭的方法，通过该方法可以制造出在顶部具有低电阻率的硅锭。 用于生产硅锭的方法包括从硅熔体（11）中取出硅晶种（13）以与硅晶种（13）和硅熔体（11）一起生长硅单晶（12） 含有相同种类的掺杂剂。 该方法包括将含有特定浓度的掺杂剂的硅晶种（13）浸渍在硅熔体（11）中的浸渍步骤，使得两者之间的温度差在50至97K的范围内，并且 在浸渍之后生长硅单晶（12）生长步骤以形成硅锭，该生长步骤通过使用设置有用于屏蔽从硅发射的辐射热的热屏蔽板（22）的单晶拉拔器进行， 熔化（11）并在特定范围内控制热屏蔽板（22）和硅熔体（11）之间的距离。
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公开(公告)号：WO2010016586A1
公开(公告)日：2010-02-11
申请号：PCT/JP2009/064052
申请日：2009-08-07
Applicant: SUMCO TECHXIV株式会社 , 佐土原 晋弥
Inventor： 佐土原 晋弥
IPC: H01L21/324 , C30B15/04 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/02 , H01L21/322
CPC classification number: H01L21/324 , C30B15/04 , C30B29/06 , C30B33/00 , C30B33/02 , H01L21/02008 , H01L21/3225
Abstract: 欠陥層の生成をより効果的に促しつつ、表層の酸素濃度を所定以上に保てるシリコンウェーハの製造方法を提供する。これにより、ＣＯＰフリーゾーンを確保しながら通常のアニール品よりもウェーハ表層の強度を高めることができる。 窒素及び酸素が添加されたシリコンウェーハを製造する方法であって、チョクラルスキー法により窒素を添加したシリコン単結晶を育成し、該育成されたシリコン単結晶をスライスしてシリコン単結晶ウェーハとし、該スライスされたシリコン単結晶ウェーハに、水素ガス、不活性ガスのうちいずれか１以上を含む雰囲気下で熱処理を施した後、該熱処理を施したシリコン単結晶ウェーハに研磨を施し、前記熱処理により得られたＣＯＰ欠陥が排除された表層を、最表面が所定の酸素濃度となるまで研磨することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法を提供する。
Abstract translation: 本发明提供一种能更有效地促进无缺陷层的产生的表面层的氧浓度保持在规定的水平以上的硅晶片的制造方法。 因此，与正常退火产品相比，可以提高晶片表面层的强度，同时确保无COP区域。 在添加有氮和氧的硅晶片的制造方法中，通过切克劳斯基法生长添加有氮的硅单晶，通过对生长的硅单晶进行切片而获得硅单晶晶片，进行热处理 至少含有氢气或惰性气体的气氛下的切片硅单晶晶片。 然后，对经过热处理的硅单晶晶片进行抛光处理，并且通过热处理得到的表面层和从其去除了COP缺陷的表面层被抛光直到最上表面具有预定的氧浓度。
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公开(公告)号：WO2009113441A1
公开(公告)日：2009-09-17
申请号：PCT/JP2009/054152
申请日：2009-03-05
Applicant: SUMCO TECHXIV株式会社 , 福田 朋広
Inventor： 福田 朋広
CPC classification number: C30B15/04 , C30B29/06 , Y10T117/1032
Abstract: シリコン単結晶の直胴部の前半部までが形成される時間の長短によることなく、昇華性ドーパントが確実に添加された、所望の抵抗率を有するシリコン単結晶を成長することができるシリコン単結晶引上装置及びシリコン単結晶の製造方法を提供する。 このシリコン単結晶引上装置は、チョクラルスキー法により融液からシリコン単結晶を引上げるシリコン単結晶引上装置であって、引上炉と、前記引上炉に外付けされており昇華性ドーパントを収容する試料室と、前記引上炉と前記試料室とを熱的に遮断する遮蔽機構と、前記遮蔽機構の遮断を解除した後に前記昇華性ドーパントを融液に供給する供給手段と、を含んでなる。
Abstract translation: 公开了一种硅单晶上拉装置，其可以生长具有期望的电阻率的硅单晶，其中可升华的掺杂剂已被可靠地添加到其上，而不管形成第一半部分所需的时间长度 硅单晶中的直体部分。 还公开了一种制造硅单晶的方法。 硅单晶上拉装置通过Czochralski法从熔体中拉出单晶硅。 硅单晶上拉装置包括上拉炉，外部安装在上拉炉上并容纳升华掺杂剂的样品室，对上拉炉和样品室进行热屏蔽的屏蔽机构， 并且供应装置是在释放屏蔽机构的屏蔽之后，将升华性掺杂剂供应到熔体中。
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