公开(公告)号：JP2017510067A

公开(公告)日：2017-04-06

申请号：JP2016554651

申请日：2014-05-07

Applicant: ユニスト(ウルサン ナショナル インスティテュート オブ サイエンス アンド テクノロジー)Unist (Ulsan National Institute Of Science And Technology) ,  ユニスト(ウルサン ナショナル インスティテュート オブ サイエンス アンド テクノロジー)Unist (Ulsan National Institute Of Science And Technology)

Inventor： ロク キム、ギョン ,  ロク キム、ギョン ,  ユル パク、ジョン ,  ユル パク、ジョン ,  キム、ソン−ホ

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: G01R31/2621

Abstract: プラズマ波トランジスタの性能を評価する方法は、ゲートオーバードライブ電圧によって調整されるプラズマ波速度を第1軸に設定し、ドレイン−ソース電圧によって調整される電子漂流速度を第2軸に設定し、チャネル長さを第3軸に設定し、第1軸、第2軸、及び第3軸間の関係式に基づいて前記プラズマ波トランジスタの性能パラメータ値の変化に応じてプラズマ波トランジスタがテラヘルツエミッタとして動作するか否かを検証する。

公开(公告)号：JP2017525170A

公开(公告)日：2017-08-31

申请号：JP2016566945

申请日：2014-12-30

Applicant: ユニスト(ウルサン ナショナル インスティテュート オブ サイエンス アンド テクノロジー)Unist (Ulsan National Institute Of Science And Technology) ,  ユニスト(ウルサン ナショナル インスティテュート オブ サイエンス アンド テクノロジー)Unist (Ulsan National Institute Of Science And Technology) ,  コリア アドバンスト インスティテュート オブ サイエンス アンド テクノロジー ,  コリア アドバンスト インスティテュート オブ サイエンス アンド テクノロジー

Inventor： キム、キュン・ロク ,  パク、ジョン・リュル ,  キム、スン・ホ ,  リ、サン・グ

IPC: H03B7/14 ,  H01P3/08 ,  H01P7/08

CPC classification number: G01J5/22 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66977 ,  H01L29/778 ,  H03B9/08 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4607

Abstract: 電磁波発振器が提供され、2DEG(2−Dimensional Electron Gas)チャネルを形成する2DEGプレート(Plate)、2DEGプレートの一側ノードに接続された第1の抵抗及び他側ノードに接続された第2の抵抗、第2の抵抗と接地の間において2DEGプレートに電源を印加するソース、2DEGチャネルによって電気双極子(Electric Dipole)が形成されて電磁波を発振するフローティングプレート(Floating Plate);および2DEGプレートとフローティングプレートの間に形成された誘電体を含む。【選択図】図1

公开(公告)号：JP2017517895A

公开(公告)日：2017-06-29

申请号：JP2016572317

申请日：2014-12-09

Applicant: ユニスト(ウルサン ナショナル インスティテュート オブ サイエンス アンド テクノロジー)Unist (Ulsan National Institute Of Science And Technology) ,  ユニスト(ウルサン ナショナル インスティテュート オブ サイエンス アンド テクノロジー)Unist (Ulsan National Institute Of Science And Technology)

Inventor： キュン ロク キム ,  キュン ロク キム ,  スン ホ キム ,  スン ホ キム ,  ジョン ユル パク ,  ジョン ユル パク

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66742 ,  H01L21/027 ,  H01L21/308 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7789 ,  H01L29/785

Abstract: 本発明は、表面ラフネス散乱を最小化または無くした高性能低電力電界効果トランジスタ素子の製造方法に関し、ストレインドシリコン基板をピン構造にエッチングする第1ステップ、その上にアンドープSiGeを積層する第2ステップ、前記アンドープSiGeをエッチングする第3ステップ、リソグラフィ後にエッチングする第4ステップ、その上にドープSiGeを積層する第5ステップ、前記ドープSiGeをリソグラフィ後にエッチングする第6ステップ、および前記ドープSiGe上に酸化物とゲート金属を順に積層してトランジスタ素子を構成するステップを含んでなり、FinFETの長所である良いチャネル制御可能性、高いオン電流(on−current)とHEMTの長所である電子の高い移動度をいずれも備えることができるFin HEMTを実現できる効果がある。【選択図】図1

公开(公告)号：JPD1604671S

公开(公告)日：2018-05-21

申请号：JPD2017501150

Applicant: UNIST (ULSAN NATIONAL INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY)

Designer： LEE, Hyun Kyung HAN, Koog In JO, Eun Ho SONG, Soo Hyang

公开(公告)号：JP2014026950A

公开(公告)日：2014-02-06

申请号：JP2012172526

申请日：2012-08-03

Applicant: Lg Chem Ltd ,  エルジー・ケム・リミテッド ,  Ulsan National Institute Of Science And Technology ,  国立大学法人蔚山科学技術大学校産学協力団

Inventor： JUNG HYE RAN ,  PARK SOO JIN ,  LEE JUNG IN ,  LEE YONG JU ,  LEE MI RIM ,  CHO JAE PHIL ,  KIM JE YOUNG ,  JUNG DONG SUB ,  KANG YOON AH

IPC: H01M4/48 ,  H01M4/13 ,  H01M4/36 ,  H01M4/38 ,  H01M4/485 ,  H01M10/052

CPC classification number: H01M4/0452 ,  C23C18/54 ,  H01M4/133 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1393 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/364 ,  H01M4/366 ,  H01M4/483 ,  H01M10/0525 ,  Y02E60/122 ,  Y02T10/7011

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide: a porous silicon-based electrode active material which can improve the initial efficiency and the capacity maintenance rate and reduce the thickness change rate to improve the lifetime; and a method of producing the same.SOLUTION: A porous silicon-based electrode active material comprises a silicon phase, a SiO(0

Abstract translation: 要解决的问题：提供：可以提高初始效率和容量维持率的多孔硅基电极活性材料，并且减小厚度变化率以提高寿命; 及其制造方法。解决方案：多孔硅基电极活性材料包括硅相，SiO（0

公开(公告)号：JP2013225470A

公开(公告)日：2013-10-31

申请号：JP2012172539

申请日：2012-08-03

Applicant: Lg Chem Ltd ,  エルジー・ケム・リミテッド ,  Ulsan National Institute Of Science And Technology ,  国立大学法人蔚山科学技術大学校産学協力団

Inventor： LEE YONG JU ,  PARK SOO JIN ,  JUNG DONG SUB ,  JUNG HYE RAN ,  LEE JUNG IN ,  KIM JE YOUNG ,  CHO JAE PHIL

IPC: H01M4/48 ,  H01M4/36 ,  H01M4/485 ,  H01M4/587

CPC classification number: H01M4/483 ,  C23C18/54 ,  H01M4/485 ,  H01M4/625 ,  Y02E60/122

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electrode active material for a secondary battery capable of preventing generation of cracks and pulverization through reducing volume changes in spite of containing the Si element, thereby improving lifetime characteristics and reducing the thickness change rate.SOLUTION: A porous electrode active material contains silicon-based oxide represented by SiO(0.5≤x≤1.2), and has a BET specific surface area of 2-100 m/g and a porosity of 5-90%. The surface of the porous electrode active material has pores in a honeycomb shape, and also the inside of the porous electrode active material has pores.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种二次电池用电极活性材料，其能够通过减少体积变化来防止产生裂纹和粉碎，尽管含有Si元素，从而改善寿命特性并降低厚度变化率。解决方案：多孔 电极活性物质含有由SiO（0.5≤x≤1.2）表示的硅系氧化物，BET比表面积为2〜100m / g，孔隙率为5〜90％。 多孔电极活性物质的表面具有蜂窝状的孔，多孔电极活性物质的内部也具有孔。

公开(公告)号：JP2013225469A

公开(公告)日：2013-10-31

申请号：JP2012172533

申请日：2012-08-03

Applicant: Lg Chem Ltd ,  エルジー・ケム・リミテッド ,  Ulsan National Institute Of Science And Technology ,  国立大学法人蔚山科学技術大学校産学協力団

Inventor： LEE YONG JU ,  PARK SOO JIN ,  JUNG HYE RAN ,  LEE JUNG IN ,  KIM JE YOUNG ,  LEE MI RIM ,  CHO JAE PHIL

IPC: H01M4/48 ,  H01M4/36 ,  H01M4/38

CPC classification number: H01M4/0471 ,  H01M4/131 ,  H01M4/364 ,  H01M4/366 ,  H01M4/485 ,  H01M4/625

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide: a silicon-based positive active material which can improve the initial charge/discharge efficiency in spite of using a silicon-based material as a positive active material of a secondary battery; and a method of manufacturing the same.SOLUTION: A silicon-based positive active material comprises a silicon phase, a SiO(0

Abstract translation: 要解决的问题：提供：尽管使用硅基材料作为二次电池的正极活性物质，但可以提高初始充电/放电效率的硅基正极活性材料; 及其制造方法。解决方案：硅基正极活性物质包含硅相，SiO（0

公开(公告)号：JP2011228246A

公开(公告)日：2011-11-10

申请号：JP2010178532

申请日：2010-08-09

Applicant: Lg Chem Ltd ,  Ulsan National Institute Of Science And Technology ,  国立大学法人蔚山科学技術大学校産学協力団 ,  株式会社エルジ化学

Inventor： CHO JAE PIL ,  SEO MIN HO ,  PARK MI HUI ,  KIM HYE-JEONG ,  KIM KI TAE ,  KIM JE YEONG

IPC: H01M4/38 ,  H01M4/36 ,  H01M4/587

CPC classification number: H01M4/0471 ,  H01M4/134 ,  H01M4/366 ,  H01M4/38 ,  H01M4/625 ,  Y02E60/122

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of producing a negative electrode active material for lithium secondary battery having a high capacity where the active material having a uniform particle size is dispersed well without being aggregated and excellent coulomb efficiency and cycle life characteristics are ensured, and to provide a lithium secondary battery.SOLUTION: The method of producing a negative electrode active material for lithium secondary battery includes a step for preparing a mixture of a silicon precursor, a surfactant containing ammonium halide salts having an organic group, an initiator, and a solvent, a step for heat-treating the mixture, a step for cooling and cleaning the resultant product of heat treatment at room temperature, and a step for burning the resultant product obtained by cleaning.

Abstract translation: 解决问题的方案：提供一种制造具有高容量的锂二次电池用负极活性物质的方法，其中具有均匀粒径的活性物质不会聚集而分散，库仑效率和循环寿命特性优良 并提供锂二次电池。 解决方案：制备用于锂二次电池的负极活性材料的方法包括制备硅前体，含有有机基团的卤化铵盐，引发剂和溶剂的表面活性剂的混合物的步骤，步骤 用于对混合物进行热处理，在室温下冷却和清洗所得到的热处理产物的步骤和用于燃烧由清洗获得的所得产物的步骤。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

公开(公告)号：WO2021006554A2

公开(公告)日：2021-01-14

申请号：PCT/KR2020/008717

申请日：2020-07-03

Applicant: UNIST(ULSAN NATIONAL INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY) ,  GLOBAL FRONTIER CENTER FOR MULTISCALE ENERGY SYSTEMS

Inventor： SEOK, Sang Il ,  MIN, Hanul

IPC: C07F7/24 ,  H01L51/00 ,  H01L51/42 ,  H01L51/4213 ,  E10

Abstract: A perovskite compound according to the present invention contains an organic cation, a metal cation, and a non-metal anion, wherein a monovalent amidinium group cation and a divalent organic cation are contained as the organic cation. The perovskite compound according to the present invention has an excellent power conversion efficiency of more than 24% and has significantly improved stability with respect to heat and moisture itself.

公开(公告)号：WO2016137030A1

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：PCT/KR2015/001821

申请日：2015-02-25

Applicant: KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY ,  UNIST(ULSAN NATIONAL INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY)

Inventor： CHOI, Yang-Kyu ,  KIM, Kyung Rok ,  JEON, Chang-Hoon ,  MOON, Dong-Il

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/775 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/42392

Abstract: The method for enhancing the performance of a transistor may be provided that includes forming a nano-wire on a substrate, applying strain to the nano-wire to bend the nano-wire, forming a source electrode, a drain electrode and a gate electrode, and manufacturing a transistor including the bent nano-wire formed by the applying of the strain, and source electrode, drain electrode and gate electrode formed by the forming of the electrodes. Through the above configuration, a silicon device that operates in a terahertz band can be more easily manufactured, and it is possible to evaluate whether or not the silicon device operates as a plasma-wave transistor.

Abstract translation: 可以提供提高晶体管性能的方法，其包括在衬底上形成纳米线，向纳米线施加应变以弯曲纳米线，形成源电极，漏电极和栅电极， 并且制造包括通过施加应变形成的弯曲的纳米线的晶体管，以及通过形成电极形成的源电极，漏电极和栅电极。 通过上述结构，可以更容易地制造在太赫兹波段工作的硅器件，并且可以评估硅器件是否作为等离子体波晶体管工作。