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    ＢＳＩ型ＣＭＯＳイメージセンサ
    1.
    发明专利
    ＢＳＩ型ＣＭＯＳイメージセンサ 审中-公开
    BSI CMOS图像传感器

    公开(公告)号：JP2014225667A

    公开(公告)日：2014-12-04

    申请号：JP2014099153

    申请日：2014-05-13

    Applicant: 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司VisEra Technologies Company Limited ,  Visera Technologies Company Ltd ,  采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司VisEra Technologies Company Limited

    Inventor： WANG WEI-KO ,  LIN CHI-HAN ,  TU ZONG-RU ,  HSIAO YU-KUN ,  ZHANG ZHI GUANG

    IPC: H01L27/14 ,  G02B5/20 ,  H01L27/146 ,  H04N5/369 ,  H04N5/374

    CPC classification number: H01L27/14685 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1464

    Abstract: 【課題】裏面照射型相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサを提供する。【解決手段】裏面照射型CMOSイメージセンサは、フォトダイオードアレイを含む基板、フォトダイオードアレイ上に配置された保護層、保護層上に形成された複数のカラーフィルターを含み、各カラーフィルターは、フォトダイオードアレイの1つのフォトダイオードに対応するカラーフィルターアレイ、保護層上に形成され、複数のカラーフィルター間の間隙に充填され、約1.46より低い屈折率と、複数のカラーフィルターの屈折率より低い屈折率を有する第1のグリッド、および複数のカラーフィルター間の第1のグリッドと位置合わせされ、ゼロより大きい消衰係数を有する金属グリッドを含む。【選択図】図1A

    Abstract translation: 要解决的问题：提供背面照射互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器。解决方案：背面照明CMOS图像传感器包括：包括光电二极管阵列的基板; 设置在所述光电二极管阵列上的保护层; 以及形成在保护层上的多个滤色器。 每个滤色器包括：对应于光电二极管阵列的一个光电二极管的滤色器阵列; 形成在保护层上的第一栅格，填充到滤色器之间的空间中，折射率低于滤色器的折射率约1.46; 以及与滤色器之间的第一格栅对准并具有大于零的消光系数的金属栅格。

    固体撮像素子
    8.
    发明专利
    固体撮像素子 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021145121A

    公开(公告)日：2021-09-24

    申请号：JP2020131920

    申请日：2020-08-03

    Applicant: 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司 ,  VisEra Technologies Company Limited

    Inventor： 李京樺 ,  張育淇 ,  林正軒 ,  ▲呉▼翰林

    IPC: G02B5/20 ,  G02B7/34 ,  H01L27/146

    Abstract: 【課題】 グリッドの高さが異なるグリッド構造を含む固体撮像素子を提供する。 【解決手段】 複数の光電変換素子と、光電変換素子の上に配置され、複数の第1のカラーフィルタセグメントを有する第1のカラーフィルタ層と、光電変換素子の上に配置され、第1のカラーフィルタ層に隣接し、複数の第2のカラーフィルタセグメントを有する第2のカラーフィルタ層と、第1のカラーフィルタ層と第2のカラーフィルタ層の間に配置され、第1のグリッドの高さを有する第1のグリッド構造と、第1のカラーフィルタセグメント間および第2のカラーフィルタセグメント間に配置され、第1のグリッドの高さより低い、または第1のグリッドの高さと対応する第2のグリッドの高さを有する第2のグリッド構造とを含む固体撮像素子。 【選択図】 図2

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