半導体装置およびそれを用いる表示装置
    1.
    发明申请
    半導体装置およびそれを用いる表示装置 审中-公开
    半导体器件和包含它的显示器

    公开(公告)号:WO2003098699A1

    公开(公告)日:2003-11-27

    申请号:PCT/JP2003/003709

    申请日:2003-03-26

    CPC classification number: H01L29/7869 H01L29/4908 H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract:  逆スタガー型のMOSFET(1)において、酸化亜鉛から成り、前記半導体層であるチャネル層(5)に対するゲート絶縁層(4)を、アモルファス状の酸化アルミニウムで形成する。このような構造とすることで、チャネル層(5)とゲート絶縁層(4)との界面での欠陥準位が低減され、総ての積層膜を結晶性積層膜で作製した半導体装置と同等レベルの性能を得ることができる。そして、このような手法は、順スタガー型のMOSFET等にも適用することができ、汎用性も高い。

    Abstract translation: 一种反交错的MOSFET(1),其中由氧化锌制成并且是半导体层的沟道层(5)的栅绝缘层(4)由无定形氧化铝形成。 通过这种结构,沟道层(5)和栅极绝缘层(4)之间的界面处的缺陷水平被降低,因此实现了与所有多层膜都是结晶多层膜的半导体器件的性能相当的性能。 这种技术可以应用于交错的MOSFET,并且通用性高。

    双方向二端子素子を用いた表示装置および表示装置の製造方法
    2.
    发明申请
    双方向二端子素子を用いた表示装置および表示装置の製造方法 审中-公开
    显示设备使用双向两端元件和显示设备制造方法

    公开(公告)号:WO2003049068A1

    公开(公告)日:2003-06-12

    申请号:PCT/JP2002/012837

    申请日:2002-12-06

    CPC classification number: H01L27/3244 G02F1/1362 G02F1/1365 G02F1/167

    Abstract: An active matrix type display apparatus that can be manufactured more easily than the conventional method. A display apparatus 100 includes a plurality of first electrodes 11, a plurality of bidirectional two-terminal elements 12, a plurality of pixel electrodes 14 electrically connected to one of the first electrodes 11 via at least one of the bidirectional two-terminal elements 12 among the plurality of bidirectional two-terminal elements 12, a plurality of second electrodes 17, and a display medium layer provided between the pixel electrodes 14 and the second electrodes 17. The positional relationship between the pixel electrodes 14 and at least one bidirectional two-terminal element 12 is random.

    Abstract translation: 可以比常规方法更容易制造的有源矩阵型显示装置。 显示装置100包括多个第一电极11,多个双向双端子元件12,多个像素电极14,其经由至少一个双向两端元件12电连接到第一电极11中的一个,其中 多个双向双端子元件12,多个第二电极17和设置在像素电极14和第二电极17之间的显示介质层。像素电极14与至少一个双向双端子 元件12是随机的。

    走査アンテナ
    4.
    发明专利
    走査アンテナ 审中-公开

    公开(公告)号:JP2020096278A

    公开(公告)日:2020-06-18

    申请号:JP2018232635

    申请日:2018-12-12

    Abstract: 【課題】液晶パネルを備えた走査アンテナの性能が温度変化によって低下することを抑制する。 【解決手段】走査アンテナは、TFT基板101、スロット基板201、液晶層LCと、非送受信領域R2に設けられた、液晶層LCを包囲するシール部73とを有する。TFT基板101は、少なくとも送受信領域R1において液晶層LCに接触するように形成された第1配向層12をさらに有し、スロット基板201は、少なくとも送受信領域R1において液晶層LCに接触するように形成された第2配向層22をさらに有し、第1配向層12および第2配向層22は、送受信領域R1内に親水性表面Sw1、Sw2を有し、TFT基板101およびスロット基板201の、非送受信領域R2内において液晶層LCに接する表面の少なくとも一方は、疎水性表面Sr2を有しており、液晶層LCの温度が25℃のとき、液晶層LCは非送受信領域R2内の疎水性表面Sr2上に気泡BBを有する。 【選択図】図3

    エレクトロウェッティング装置及びエレクトロウェッティング装置の製造方法

    公开(公告)号:JP2019061037A

    公开(公告)日:2019-04-18

    申请号:JP2017185157

    申请日:2017-09-26

    Abstract: 【課題】両基板間の密着性に優れるエレクトロウェッティング装置を提供する。 【解決手段】エレクトロウェッティング装置(100)は、第1基板(1)、第1電極層(2)、誘電体層(3)及び第1撥水層(4)を備えたアクティブ基板(14)と、第2基板(8)、第2電極層(7)及び第2撥水層(6)を備えた共通電極基板(15)と、を含み、前記アクティブ基板と前記共通電極基板とはシール領域に配置されたシール材(5)を介して、間隙を有して貼り合わされているエレクトロウェッティング装置であって、前記誘電体層及び前記第2電極層の少なくとも一方は、その層上に、前記撥水層が形成された撥水層形成領域に加えてさらに、撥水層非形成領域(11,12)を有し、前記シール領域は、前記撥水層非形成領域と、平面視において少なくとも一部で重なるように形成されており、前記間隙は、10〜500μmの範囲である。 【選択図】図1

    表示装置
    9.
    发明专利
    表示装置 审中-公开
    显示设备

    公开(公告)号:JP2017021132A

    公开(公告)日:2017-01-26

    申请号:JP2015137641

    申请日:2015-07-09

    Abstract: 【課題】酸化物半導体からなる半導体活性層を有する薄膜トランジスタが配置されたMEMSディスプレイにおいて、半導体活性層に紫外線が照射され難くする。 【解決手段】表示パネル(11)は、アクティブマトリクス基板(12)と、対向基板(13)とを含む。アクティブマトリクス基板は、複数の薄膜トランジスタ(T1)と、複数のシャッタ機構(S11)と、UVカット層(33)とを含む。複数の薄膜トランジスタは、複数のシャッタ機構の各々に対応して配置されている。複数の薄膜トランジスタの各々は、酸化物半導体からなる半導体活性層(72)を含み、対応するシャッタ機構の動作を制御する。UVカット層は、半導体活性層よりも観察者側に配置されている。 【選択図】図3

    Abstract translation: 本发明提供一种MEMS显示具有由氧化物半导体制成的半导体有源层设置薄膜晶体管,紫外线半导体活性层是困难的照射。 一种显示面板(11),包括:有源矩阵基板(12)和对置基板(13)。 的有源矩阵基板包括:多个薄膜晶体管(T1)的,以及多个快门机构(S11),抗紫外线层(33)。 多个薄膜晶体管与每个多个快门机构的对应配置。 每个所述多个薄膜晶体管中的,由氧化物半导体形成的半导体有源层包括(72),控制所述相应的闸门机构的操作。 紫外线阻断层设置在观察者侧比所述半导体活性层。 点域

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