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公开(公告)号：WO2008120579A1
公开(公告)日：2008-10-09
申请号：PCT/JP2008/055033
申请日：2008-03-19
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/31
Abstract: 可変抵抗素子を備えてなるメモリセルアレイに対するデータの書き換えを高速、低電力且つ確実に実行可能な半導体記憶装置を提供する。電気抵抗が第１書き換え電圧の印加で第１状態から第２状態に、第２書き換え電圧の印加で第２状態から第１状態に変化する可変抵抗素子２１の一端と、選択トランジスタ２２のソースまたはドレインを接続してなるメモリセル２０をマトリクス状に配列したメモリセルアレイ３０を有し、書き換え対象のメモリセル全数に対し、メモリセルを第１の所定数以下ずつ順次選択して、第１書き換え電圧の印加による書き換え動作を逐次実行し電気抵抗を第２状態に揃える初期化処理と、電気抵抗が第１状態となるべき一部のメモリセルに対して、メモリセルを第２の所定数以下ずつ順次選択して、第２書き換え電圧の印加による書き換え動作を逐次実行する個別書き換え処理と、を順次実行可能な書き換え手段を有する。
Abstract translation: 提供了一种半导体存储装置，其包括可变电阻元件，并且可以以低功率高速地可靠地在存储器阵列中执行数据重写。 半导体存储装置包括由矩阵排列的存储单元（20）形成的存储单元阵列（30）。 每个存储单元（20）通过将可变电阻元件（21）的一端连接到选择晶体管（22）的源极或漏极来形成。 当施加第一重写电压时，可变电阻元件（21）具有从第一状态变为第二状态的电阻，并且当施加第二重写电压时具有从第二状态变为第一状态的电阻。 半导体存储装置还包括用于连续执行初始化处理和单独重写处理的重写装置。 在初始化处理期间，对于每个第一预定数量或更少数次连续地选择要重写的所有存储器单元，并且通过施加第一重写电压来连续执行重写操作，以使电阻与第二状态对准。 在单独的重写处理期间，对于每个第二预定数量连续地选择具有进入第一状态的电阻的存储器，并且通过施加第二重写电压来连续执行重写操作。
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公开(公告)号：WO2008068991A1
公开(公告)日：2008-06-12
申请号：PCT/JP2007/071501
申请日：2007-11-05
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0026 , G11C13/0038 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/72 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1633
Abstract: 電圧印加によって抵抗特性の変化する可変抵抗素子を備えたメモリセルの複数に対して抵抗変化の異なる書き換え動作を個別同時に実行可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。書き換え対象の可変抵抗素子の抵抗特性を低抵抗状態から高抵抗状態に遷移させる第１書き換え動作と高抵抗状態から低抵抗状態に遷移させる第２書き換え動作の違いに応じて、２つの負荷抵抗特性の何れか一方を個別に選択可能に構成された負荷抵抗特性可変回路１４を、同一列のメモリセルに共通に接続するビット線ＢＬ０～３毎に備え、第１書き換え動作において印加する第１電圧パルスと第２書き換え動作において印加する第２電圧パルスを、負荷抵抗特性可変回路１４とビット線ＢＬ０～３を介して書き換え対象のメモリセルに印加する書き換え電圧パルス印加回路１３ａを備える。
Abstract translation: 提供了一种非易失性半导体存储器件，其能够对具有由电压应用改变的电阻特性的可变电阻元件的多个存储单元单独并且同时地执行不同电阻变化的重写操作。 对于与负载电阻特性变化电路（14）共同地与同一列的存储单元共同连接的位线（BL0〜BL3），设置非易失性半导体存储器件，其被构造成选择两个负载电阻 根据用于使重写目标可变电阻元件的电阻特性从低电阻状态转变到高电阻状态的第一重写操作的各个特性，以及用于使从高电阻状态转变到低电平的第二重写操作 电阻状态。 还提供了重写电压脉冲施加电路（13a），用于通过负载电阻特性变化电路（14）和位来施加在第一重写操作中施加的第一电压脉冲和要在第二重写操作中施加的第二电压脉冲 线（BL0〜BL3）到重写对象存储单元。
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公开(公告)号：WO2008142919A1
公开(公告)日：2008-11-27
申请号：PCT/JP2008/056859
申请日：2008-04-07
Applicant: シャープ株式会社 , 独立行政法人 産業技術総合研究所 , 玉井 幸夫 , 島 久 , 秋永 広幸 , 高野 史好 , 細井 康成 , 粟屋 信義 , 大西 茂夫 , 石原 数也
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C11/5614 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2013/009 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/51 , G11C2213/56 , G11C2213/77 , H01L27/101 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 高速且つ低消費電力動作が可能な可変抵抗素子を提供する。第１電極１１と第２電極１２の間に金属酸化物層１０を有し、第１及び第２電極間への電気的ストレスの印加に応じて、第１及び第２電極間の電気抵抗が可逆的に変化する可変抵抗素子であって、金属酸化物層１０が第１及び第２電極間を流れる電流の電流密度が局所的に高くなる電流経路であるフィラメント１３を有し、第１電極と第２電極の内の少なくとも何れか一方の特定電極１１と金属酸化物層１０の界面であって、少なくとも特定電極１１とフィラメント１３の界面近傍を含む一部に、特定電極１１に含まれる少なくとも１つの元素の酸化物であって、金属酸化物層１０の酸化物とは異なる界面酸化物１５を備える。
Abstract translation: 提供一种执行高速和低功耗操作的可变电阻元件。 在可变电阻元件中，金属氧化物层（10）设置在第一电极（11）和第二电极（12）之间，第一和第二电极之间的电阻根据电应力的应用而可逆地变化 在第一和第二电极之间。 金属氧化物层（10）具有灯丝（13），其是电流路径，其中在第一和第二电极之间流动的电流的密度局部增加。 至少包括位于至少第一电极或第二电极的指定电极（11）与灯丝（13）之间的界面附近的部分，在指定电极（11）和金属 氧化物层（10）具有界面氧化物（15），所述界面氧化物是包含在所述特定电极（11）中并与所述金属氧化物层（10）的氧化物不同的至少一种元素的氧化物。
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公开(公告)号：WO2008068992A1
公开(公告)日：2008-06-12
申请号：PCT/JP2007/071502
申请日：2007-11-05
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/76 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1633
Abstract: 正負何れかの極性の電圧を印加時間の長短に差異を設けることなく印加することで可変抵抗素子に対する安定した高速スイッチング動作可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。両端に所定条件を充足する電圧が印加されることで、当該両端の電流電圧特性で規定される抵抗特性が低抵抗状態と高抵抗状態の安定的に取り得る２つの抵抗特性間を遷移可能である２端子構造の可変抵抗素子であって、絶対値が第１閾値電圧以上の第１極性の電圧が印加されると低抵抗状態から高抵抗状態に遷移し、絶対値が第２閾値電圧以上の第２極性の電圧が印加されると高抵抗状態から低抵抗状態に遷移する特性を有する可変抵抗素子と、可変抵抗素子に直列に接続される負荷抵抗の調整可能な負荷回路と、直列回路の両端に電圧印加可能な電圧発生回路を備え、負荷回路の抵抗を調整することにより可変抵抗素子の状態間遷移を可能に構成される。
Abstract translation: 提供一种非易失性半导体存储装置，其能够通过在施加时间的周期内施加正极性或负极性的电压而无差异地对可变电阻元件进行稳定的高速开关操作。 非易失性半导体存储装置包括两端结构的可变电阻元件，其中由两端的电流 - 电压特性限定的电阻特性能够在能够采取低电阻状态的两个电阻特性和高电阻状态之间转变 通过向两端施加满足预定条件的电压，并且其特征在于从低电阻状态转变到高电阻状态，当第一极性的电压具有或高于第一阈值电压 当施加具有等于或高于第二阈值电压的绝对值的第二极性的电压时，从高电阻状态到低电阻状态。 进一步包括与可变电阻元件串联连接并具有可调负载电阻的负载电路，以及能够向串联电路的两端施加电压的电压产生电路。 通过调整负载电路的电阻，非易失性半导体存储装置构成为能够在可变电阻元件的状态之间转移。
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公开(公告)号：WO2007080840A1
公开(公告)日：2007-07-19
申请号：PCT/JP2007/050058
申请日：2007-01-09
Applicant: シャープ株式会社 , 独立行政法人 産業技術総合研究所 , 細井 康成 , 粟屋 信義 , 井上 公
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2013/009 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/72 , G11C2213/76 , G11C2213/79
Abstract: 電圧印加によって抵抗特性の変化する可変抵抗素子に対する安定した高速スイッチング動作可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。可変抵抗素子への電圧印加を実行するための負荷回路が可変抵抗素子と電気的に直列接続可能に設けられ、負荷回路の負荷抵抗特性が２つの異なる特性間で切り換え可能に構成され、可変抵抗素子の抵抗特性が、低抵抗状態から高抵抗状態に遷移する場合と高抵抗状態から低抵抗状態に遷移する場合で負荷回路の２つの負荷抵抗特性が選択的に切り換り、可変抵抗素子と負荷回路の直列回路に印加された書き換え用電圧によって、可変抵抗素子に２つの抵抗特性の一方から他方へ遷移するのに必要な電圧が印加され、可変抵抗素子の抵抗特性が一方から他方に遷移した後は、可変抵抗素子に印加されている電圧が、選択されている負荷抵抗特性によって、他方の抵抗特性から一方の抵抗特性へ復帰不能な電圧となる。
Abstract translation: 提供一种能够对其电阻特性由施加电压改变的可变电阻元件进行稳定的高速切换操作的非易失性半导体存储装置。 用于向可变电阻元件施加电压的负载电路被布置成与可变电阻元件串联电连接。 负载电路具有被配置为在两个差异特性之间切换的负载电阻特性。 当可变电阻元件的电阻特性从低电阻状态变为高电阻状态时，并且当电阻特性从高电阻状态变为低电阻时，选择性地切换负载电路的两个负载电阻特性 州。 施加到可变电阻元件和负载电路的串联电路的重写电压将可变电阻元件中的两个电阻特性之一切换到另一个电压所需的电压。 在可变电阻元件的电阻特性从一个变化到另一个之后，施加到可变电阻元件的电压成为通过所选择的负载电阻特性使得从另一个电阻特性切换到一个电阻特性的电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP6025989B2
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：JP2015532760
申请日：2014-07-11
Applicant: シャープ株式会社
CPC classification number: H01L31/02162 , H01L27/1462 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14629 , H01L27/14645 , H01L31/02164
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公开(公告)号：JP5996324B2
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：JP2012174797
申请日：2012-08-07
Applicant: シャープ株式会社
Inventor： 粟屋 信義
IPC: H01L45/00 , H01L49/00 , H01L27/105
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公开(公告)号：JP5987108B2
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：JP2015513600
申请日：2014-02-27
Applicant: シャープ株式会社
IPC: H01L31/0232 , G02B5/20 , H01L27/14
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14629 , H01L27/14636 , H01L27/14685 , H01L31/02162
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公开(公告)号：JP2015085039A
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：JP2013227505
申请日：2013-10-31
Applicant: シャープ株式会社
Abstract: 【課題】肌に含まれるメラニンとヘモグロビンとを適切に分離しうる撮影結果を得ることができる技術を提供する。 【解決手段】測定装置1は、青と緑の波長帯域において、メラニンとヘモグロビンによる吸収の影響度が互いに異なるピークを有するスペクトル特性の光を照射部11の光源11aから被写体に照射する。測定装置1は、カメラ12により、RGBのフィルタを透過した光源11aからの光に対する被写体の反射光を撮像する。カメラ12によって撮像されたRGBの撮像信号は出力部により出力される。 【選択図】図2
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够获得成像产品的技术，其中包含在皮肤中的黑色素和血红蛋白可以彼此适当地分离。解决方案：从辐射部分11的光源11a到物体， 测量装置1辐射具有光谱特征的光，其中在蓝色和绿色波长带中存在黑色素和血红蛋白具有相互不同的吸收光的影响程度的峰值。 通过照相机12，测量装置1捕获物体的反射光，其反射来自光源11a的光并通过RGB滤光器。 输出部输出由摄像机12拍摄的RGB拍摄图像信号。
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公开(公告)号：JP2016205839A
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：JP2015083763
申请日：2015-04-15
Abstract: 【課題】農産物の変質または該変質の予兆の有無を高い確率で判定する。 【解決手段】画像解析装置(5)は、紫外光が照射された農産物を撮像した蛍光画像の各画素における色相値および彩度値を算出する色相彩度値算出部(52)と、算出された上記蛍光画像の各画素における色相値および彩度値に基づいて、上記農産物の変質または該変質の予兆の有無を判定する判定部(53)と、を備える。 【選択図】図1
Abstract translation: 本发明确定劣化的迹象或农产品的质量修饰以高概率的存在或不存在。 图像分析器（5），色调饱和度值用于计算色调值和捕获的农产品照射紫外线（52）的荧光图像的每个像素的色度值计算部分，它被计算 是根据在所述荧光图像的每个像素的色调值和饱和度值，包括是否改变的标志或农产品（53）的经修饰的蛋白质，确定单元。 点域1
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