公开(公告)号：WO2006009090A1

公开(公告)日：2006-01-26

申请号：PCT/JP2005/013098

申请日：2005-07-08

Applicant: ソニー株式会社 ,  荒谷 勝久 ,  対馬 朋人 ,  成沢 浩亮 ,  大塚 渉 ,  八野 英生

Inventor： 荒谷 勝久 ,  対馬 朋人 ,  成沢 浩亮 ,  大塚 渉 ,  八野 英生

IPC: H01L27/10

CPC classification number: G11C13/0011 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/141 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/148 ,  H01L45/149 ,  H01L45/1675

Abstract: 容易にかつ高密度に製造することが可能となる構成の記憶素子を提供する。2つの電極1,4の間に記録層2,3を有して成り、これら2つの電極1,4に極性の異なる電位を印加することにより、可逆的に記録層2,3の抵抗値が変化する抵抗変化素子10によりメモリセルが構成され、隣接する複数のメモリセルにおいて、抵抗変化素子10の記録層を構成する少なくとも一部の層2,3が同一層により共通に形成されている記憶素子を構成する。

Abstract translation: 提供了具有可以容易地以高密度制造的构造的存储元件。 存储元件包括在两个电极（1,4）之间的记录层（2,3），并且对两个电极（1,4）施加不同极性的电位，使得存储单元由电阻变化元件（10）构成， 用于可逆地改变记录层（2,3）的电阻值。 在多个相邻的存储单元中，构成电阻变化元件（10）的记录层的至少一部分层（2,3）共同形成同一层。

公开(公告)号：WO2004064057A1

公开(公告)日：2004-07-29

申请号：PCT/JP2003/016620

申请日：2003-12-24

Applicant: ソニー株式会社 ,  甲斐 慎一 ,  荒谷 勝久 ,  河内山 彰 ,  中川 謙三 ,  竹本 禎広

Inventor： 甲斐 慎一 ,  荒谷 勝久 ,  河内山 彰 ,  中川 謙三 ,  竹本 禎広

IPC: G11B7/26

CPC classification number: G11B7/261 ,  Y10S425/81

Abstract: A process for manufacturing an original disc comprising a step for irradiating an inorganic resist layer formed on a substrate with a recording laser beam modulated by an information signal corresponding to the information signal of an information irregular pattern to be formed on an optical disc thus forming an exposure pattern corresponding to the information irregular pattern of the optical disc, and a step for developing the inorganic resist layer to form an irregular pattern corresponding to the information irregular pattern by the inorganic resist layer. In order to manufacture an original disc having an appropriate irregular pattern, the exposed part is irradiated with an evaluation laser beam in the exposure step following trial exposure of the non-recorded region of the resist layer. Recording signal characteristics of the resist layer is then evaluated from the reflected light and an optimal focus position of laser beam for subsequent recording is determined based on the evaluation results.

Abstract translation: 一种用于制造原盘的方法，包括用于用形成在基板上的无机抗蚀剂层照射由与要在光盘上形成的信息不规则图案的信息信号相对应的信息信号调制的记录激光束的步骤，从而形成 对应于光盘的信息不规则图案的曝光图案，以及用无机抗蚀剂层显影无机抗蚀剂层形成对应于信息不规则图案的不规则图案的步骤。 为了制造具有适当的不规则图案的原始光盘，在曝光步骤中，在曝光步骤中，在暴露抗蚀剂层的未记录区域的试验曝光之后，照射曝光部分。 然后从反射光评估抗蚀剂层的记录信号特性，并且基于评估结果确定用于随后记录的激光束的最佳聚焦位置。

公开(公告)号：WO2003090216A1

公开(公告)日：2003-10-30

申请号：PCT/JP2003/005099

申请日：2003-04-22

Applicant: ソニー株式会社 ,  株式会社ソニー・ディスクテクノロジー ,  荒谷 勝久 ,  峰岸 慎治 ,  塚原 誠

Inventor： 荒谷 勝久 ,  峰岸 慎治 ,  塚原 誠

IPC: G11B7/0045

CPC classification number: G11B7/00455 ,  G11B7/00736 ,  G11B7/258 ,  G11B7/2585 ,  G11B20/10

Abstract: An optical recording medium can be manufactured at a low cost by using configuration and a manufacturing method corresponding to configuration of a reproduction-dedicated optical recording medium. Moreover, new information such as cryptography and marks can be additionally recorded on the optical recording medium, which can perform stable recording and has a preferable characteristic. The optical recording medium (S) includes an information layer (2) having a reflection film (3) where an information recording section is formed by a physical shape change in the thickness direction or the track width direction. The reflection film allows additional recording by thermal recording and is made from an Al alloy or a Cu alloy having electric resistance not smaller than 20 muohm.cm and not greater than 90 muohm.cm.

Abstract translation: 可以通过使用与再现专用光学记录介质的配置对应的配置和制造方法，以低成本制造光学记录介质。 此外，可以在可以执行稳定记录的光学记录介质上附加记录诸如加密和标记的新信息，并且具有优选的特性。 光记录介质（S）包括具有反射膜（3）的信息层（2），其中通过厚度方向或轨道宽度方向上的物理形状变化形成信息记录部分。 反射膜允许通过热记录进行附加记录，并且由具有不小于20μΩ·cm且不大于90μΩ·cm的电阻的Al合金或Cu合金制成。

公开(公告)号：WO2004034391A1

公开(公告)日：2004-04-22

申请号：PCT/JP2003/012236

申请日：2003-09-25

Applicant: ソニー株式会社 ,  河内山 彰 ,  荒谷 勝久

Inventor： 河内山 彰 ,  荒谷 勝久

IPC: G11B7/26

CPC classification number: G11B7/261 ,  Y10S425/81 ,  Y10T428/24802

Abstract: 　既存の露光装置を利用して光ディスクのさらなる高記憶容量化を実現することができる光ディスク用原盤の製造方法及び光ディスクの製造方法である。ＷやＭｏのような遷移金属の不完全酸化物を含み、該不完全酸化物は、酸素の含有量が前記遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成の酸素含有量より小さいものであるようなレジスト材料よりなるレジスト層を基板上に成膜した後、該レジスト層をレーザ光により記録用信号パターンに対応させて選択的に露光し、現像して所定の凹凸パターンが形成された原盤を用いて、その凹凸パターンが転写されたディスクを作製することを特徴とする。

Abstract translation: 一种制造光盘使用原件的方法和一种制造光盘的方法，其能够通过使用现有的曝光系统实现更高的光盘存储容量。 制造光盘的方法的特征在于，使用通过在基板上形成抗蚀剂层而形成的规定的凹凸图案的原稿，该抗蚀剂层由含有W，Mo等过渡金属的不良氧化物的抗蚀剂材料构成， 根据能够由过渡金属所具有的化合价，氧含量小于化学计量组成的不完全氧化物，然后通过根据记录信号图案的激光束选择性地曝光和显影抗蚀剂层， 图案然后被转印到光盘上。

公开(公告)号：WO2003070479A1

公开(公告)日：2003-08-28

申请号：PCT/JP2003/001307

申请日：2003-02-07

Applicant: ソニー株式会社 ,  河内山 彰 ,  荒谷 勝久

Inventor： 河内山 彰 ,  荒谷 勝久

IPC: B41M5/26

CPC classification number: G11B7/251

Abstract: An optical recording medium for recording/reproducing information with a light having a wavelength of 600 nm or less. The medium has favorable recording/reproducing characteristics and comprises a substrate and a recording layer formed on the substrate and containing a recording material of a transition metal incomplete oxide. Information is recorded/reproduced on/from such an optical recording medium of such a structure with a light having a wavelength of 600 nm or less. An optical recording method for recording information at higher density.

Abstract translation: 一种用于用波长为600nm或更小的光记录/再现信息的光学记录介质。 该介质具有良好的记录/再现特性，并且包括在基板上形成的基板和记录层，并且含有过渡金属不完全氧化物的记录材料。 利用具有600nm以下的波长的光，在这种结构的光记录介质上记录/再生信息。 用于以更高密度记录信息的光学记录方法。

公开(公告)号：WO2009069690A1

公开(公告)日：2009-06-04

申请号：PCT/JP2008/071531

申请日：2008-11-27

Applicant: ソニー株式会社 ,  保田 周一郎 ,  荒谷 勝久 ,  河内山 彰 ,  水口 徹也 ,  佐々木 智

Inventor： 保田 周一郎 ,  荒谷 勝久 ,  河内山 彰 ,  水口 徹也 ,  佐々木 智

IPC: H01L27/10 ,  G11C13/00 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: G11C13/0004 ,  G11C13/00 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146

Abstract: 　抵抗値を適切に制御することにより、高抵抗状態または低抵抗状態に変化させるのに必要な電圧を可変抵抗素子に印加することの可能なメモリセルを提供する。記憶素子１０と、非線形抵抗素子２０と、ＭＯＳトランジスタ３０とが電気的に直列接続されている。記憶素子１０は、ＭＯＳトランジスタ３０の非線形電流電圧特性とは逆の非線形電流電圧特性を有し、印加された電圧の極性に応じて高抵抗状態または低抵抗状態に変化する。非線形抵抗素子２０は、記憶素子１０の非線形電流電圧特性と共通の非線形電流電圧特性を有する。 

Abstract translation: 提供一种存储单元，其可以通过适当地控制电阻值来将电阻值改变为高状态和低状态所需的电压。 在存储单元中，存储元件（10），非线性电阻元件（20）和MOS晶体管（30）串联电连接。 存储元件（10）具有与MOS晶体管（30）相反的非线性电流 - 电压特性，并且变为与施加的电压的极性相对应的高电阻状态或低电阻状态。 非线性电阻元件（20）具有与存储元件（10）共同的非线性电流 - 电压特性。

公开(公告)号：WO2004047096A1

公开(公告)日：2004-06-03

申请号：PCT/JP2003/014848

申请日：2003-11-20

Applicant: ソニー株式会社 ,  甲斐 慎一 ,  河内山 彰 ,  荒谷 勝久 ,  中川 謙三 ,  竹本 禎広

Inventor： 甲斐 慎一 ,  河内山 彰 ,  荒谷 勝久 ,  中川 謙三 ,  竹本 禎広

IPC: G11B7/26

CPC classification number: G11B7/261 ,  G11B7/1267

Abstract: 基板100上に形成された無機レジスト層101に対して、光ディスクに形成される情報凹凸パターンの情報信号に対応する情報信号によって変調された記録用レーザ光を照射して、前記光ディスクの前記情報凹凸パターンに対応する露光パターンを形成する露光工程と、その後前記無機レジスト層に対し、現像処理を行って、前記無機レジスト層による前記情報凹凸パターンに対応する露光パターンを形成する現像工程とを有し、前記露光工程において、前記無機レジスト層の所定領域に評価用レーザ光を照射し、該評価用レーザ光の反射光により、前記無機レジスト層による前記露光パターンの記録信号特性を評価し、この評価結果に基いて前記記録用レーザ光のパワー制御を行うことにより、目的とする光ディスクにおける情報記録が確実に得られるようにする。

Abstract translation: 一种用于制造用于制造光盘的压模的方法包括：曝光步骤，用形成在基板上的有机抗蚀剂层（101），用记录激光束进行照射，所述记录激光束用对应于信息的信息信号的信息信号 形成在光盘上/在光盘上的突出/凹陷图形，以便形成与光盘的信息投影/凹陷图案相对应的曝光图案，以及显影步骤，显影有机抗蚀剂层以形成对应于 通过有机抗蚀剂层的突起/凹部图案。 在曝光步骤中，将评估激光束施加到有机抗蚀剂层的预定区域，通过使用评估激光束的反射光来评估通过有机抗蚀剂层的曝光图案的记录信号特性，并且功率 的记录激光束根据评价结果进行控制。 因此，信息被可靠地记录在物体光盘上。

公开(公告)号：WO2004084306A1

公开(公告)日：2004-09-30

申请号：PCT/JP2004/003686

申请日：2004-03-18

Applicant: ソニー株式会社 ,  荒谷 勝久 ,  河内山 彰 ,  石田 実

Inventor： 荒谷 勝久 ,  河内山 彰 ,  石田 実

IPC: H01L27/10

CPC classification number: H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/144 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625

Abstract: 情報の記録及び読み出しを容易に行うことができ、比較的簡単な製造方法で容易に製造することができる記憶素子及びこれを用いた記憶装置を提供する。第1の電極2及び第2の電極5の間にアモルファス薄膜4が挟まれて構成され、第1の電極2及び第2の電極5の少なくとも一方の電極5がAg又はCuを含み、アモルファス薄膜4がGeとS,Se,Te,Sbから選ばれる1つ以上の元素とから成る記憶素子10を構成する。また、この記憶素子10と、第1の電極2側に接続された配線と、第2の電極5側に接続された配線とを有して、記億素子10を多数配置して記憶装置を構成する。

Abstract translation: 公开了一种存储元件，其中信息可以容易地记录/读取，并且由相对简单的制造方法和使用其的存储装置产生。 存储元件（10）包括夹在第一和第二电极（2,5）之间的第一电极（2），第二电极（5）和非晶膜（4）。 至少电极（5）含有Ag或Cu，非晶膜（4）由Ge和选自S，Se，Te和Sb的一种或多种元素组成。 存储装置由许多这样的存储元件（10）和连接到每个存储元件（10）的第一和第二电极（2,5）的布线组成。

公开(公告)号：WO2003071356A1

公开(公告)日：2003-08-28

申请号：PCT/JP2003/001886

申请日：2003-02-20

Applicant: ソニー株式会社 ,  河内山 彰 ,  荒谷 勝久

Inventor： 河内山 彰 ,  荒谷 勝久

IPC: G03F7/004

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G03F7/0043 ,  G11B7/261

Abstract: A resist material and microfabrication method realizing high-resolution microfabrication without using any expensive projector such as of an electron beam or an ion beam. They realize further finer microfabrication by using a conventional exposure system. A resist layer containing an incomplete oxide of a transition metal such as W or Mo is selectively exposed and developed to pattern the resist layer into a predetermined shape. The incomplete oxide of a transition metal referred to here is a compound the oxygen content of which is decreased below the stoichiometric composition corresponding to the valence number that the transition metal can have, namely a compound which is an incomplete oxide of a transition metal the oxygen content of which is smaller than that of the stoichiometric composition corresponding to the valence number that the transition metal can have.

Abstract translation: 抗蚀剂材料和微细加工方法实现高分辨率微细加工，而不使用诸如电子束或离子束的任何昂贵的投影仪。 他们通过使用传统的曝光系统来实现更精细的微细加工。 包含诸如W或Mo的过渡金属的不完全氧化物的抗蚀剂层被选择性地曝光和显影以将抗蚀剂层图案化成预定形状。 这里提及的过渡金属的不完全氧化物是其氧含量降低到低于过渡金属可以具有的价数的化学计量组成的化合物，即过渡金属的不完全氧化物的化合物，氧 其含量小于与过渡金属可以具有的价数对应的化学计量组成的含量。

公开(公告)号：JP5708929B2

公开(公告)日：2015-04-30

申请号：JP2011124610

申请日：2011-06-02

Applicant: ソニー株式会社

Inventor： 保田 周一郎 ,  河内山 彰 ,  水口 徹也 ,  紫牟田 雅之 ,  大場 和博 ,  荒谷 勝久 ,  清 宏彰

IPC: H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L45/14 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1641