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公开(公告)号：JP2015119304A
公开(公告)日：2015-06-25
申请号：JP2013260932
申请日：2013-12-18
Applicant: ヤマハ株式会社
IPC: H03F1/34
Abstract: 【課題】ゲインを可変に設定する際、帰還容量の切り替えをすることなく周波数帯域が一定に維持された増幅回路を提供することを目的とする。 【解決手段】オペアンプOPと抵抗素子Rf,Riで構成されるフィードバック回路とを備える非反転増幅回路である。オペアンプOPのPMOSトランジスタP1、P2で構成される差動対へのバイアス電流IBを、抵抗素子Rf、Riで設定されるゲインに応じて調整することで、入力信号の振幅レンジに拘わらず所定の振幅レベルに増幅することができる。この場合、帰還容量の容量値を切り替えることなく、周波数帯域を一定に保ち、同じローパスフィルタ特性を介して増幅することができる。 【選択図】図2
Abstract translation: 要解决的问题：提供在增益可变地设置时不改变反馈电容的情况下恒定地维持频带的放大器电路。解决方案：非反相放大器电路包括运算放大器OP和由电阻元件构成的反馈电路 Rf，Ri。 由运算放大器的PMOS晶体管P1，P2构成的差分对的偏置电流IB可以通过根据由电阻设定的增益调节偏置电流而将输入信号的幅度范围放大到预定的幅度电平 元素Rf，Ri。 在这种情况下，在不切换反馈电容的电容值的情况下，频带保持恒定，并且可以通过相同的低通滤波器特性来放大偏置电流。
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公开(公告)号：JP2015070464A
公开(公告)日：2015-04-13
申请号：JP2013203166
申请日：2013-09-30
Applicant: ヤマハ株式会社
Abstract: 【課題】トランジスタのフリッカーノイズによる影響を低減して出力周波数を安定させた発振回路を提供する。 【解決手段】発振回路1は、電流源10として設けられる複数のトランジスタ11,12,13,14と、複数のトランジスタ11,12,13,14のうちから選択されるトランジスタの出力電流により充電を行うコンデンサ16,17と、コンデンサ16,17を放電させることによりコンデンサ16,17の充電電圧Va,VbをリセットするスイッチSF1,SF2と、コンデンサ16,17の充電電圧Va,Vbに基づいて所定周波数の発振信号SGN1を生成する信号生成回路30と、発振信号SGN1に基づき、複数のトランジスタ11,12,13,14のうちから、コンデンサ16,17を充電するトランジスタを循環的に切り替えて選択する制御回路20とを備える構成である。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：通过减少晶体管的闪烁噪声的影响，提供具有稳定输出频率的振荡器电路。解决方案：振荡器电路1包括：多个晶体管11,12,13和14，其被设置为电流 来源10; 电容器16和17由从多个晶体管11,12,13和14中选择的晶体管的输出电流充电; 开关SF1和SF2通过放电电容器16和17来重置电容器16和17的充电电压Va和Vb; 信号发生电路30根据电容器16和17的充电电压Va和Vb产生预定频率的振荡信号SGN1; 以及控制电路20循环地切换多个晶体管11,12,13和14，以选择用于对电容器16和17充电的晶体管。
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公开(公告)号：JP2015212643A
公开(公告)日：2015-11-26
申请号：JP2014094870
申请日：2014-05-01
Applicant: ヤマハ株式会社
Abstract: 【課題】コイル電流のばらつきを抑えることができるコイル駆動回路を提供する。 【解決手段】コイル駆動回路5は、磁気抵抗素子の近傍位置に配置されるコイル6と、コイル6の一端に接続される第1のMOSトランジスタ9と、第1の抵抗14に定電流を流すことにより、電源電圧VDDと所定電位差を有する基準電圧Vrefを生成する基準電圧生成回路10と、基準電圧Vrefに応じて第1のMOSトランジスタ9を駆動することにより、コイル6に対してコイル電流Icoilを流す電流制御回路20とを有する。電流制御回路20は、コイル6にかかるコイル電圧又はコイル電流Icoilを検出し、コイル電圧又はコイル電流Icoilが所定値となるように第1のMOSトランジスタ9を駆動し、コイル電流Icoilを制御する。 【選択図】図2
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够抑制线圈电流变化的线圈驱动电路。解决方案：线圈驱动电路5包括：布置在靠近磁阻元件的位置的线圈6; 连接到线圈6的一端的第一MOS晶体管9; 参考电压产生电路10，通过使恒定电流流过第一电阻器14，从电源电压VDD产生具有规定电位差的参考电压Vref; 以及电流控制电路20，通过根据参考电压Vref驱动第一MOS晶体管9，使线圈电流Icoil流过线圈6。 电流控制电路20检测施加到线圈6的线圈电压或线圈电流Icoil，并驱动第一MOS晶体管9，使得线圈电压或线圈电流Icoil达到规定值，从而控制线圈电流Icoil。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2015125054A
公开(公告)日：2015-07-06
申请号：JP2013269284
申请日：2013-12-26
Applicant: ヤマハ株式会社
IPC: G01C19/5726
CPC classification number: G01C19/5726
Abstract: 【課題】振動子に対して従来よりも高電圧を印加できるようにして振動子の振動振幅を大きくできるようにする。 【解決手段】静電容量検出回路7は、全差動アンプ11とフィードバックコンデンサCf1,Cf2とによって構成されるCV変換回路8と、基準電圧入力端子14を有し、全差動アンプ11の反転入力端子及び非反転入力端子の平均電圧を基準電圧入力端子14に入力する電圧に制御する入力コモンモードフィードバック回路9と、振動子4の共振周波数よりも高い周波数で変化する基準電圧信号を基準電圧入力端子14へ出力する基準電圧生成回路10とを備える構成である。これにより、振動子4に高電圧を印加することができるようになり、振動子の振動振幅を大きくすることができる。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：为了使得能够将高于常规电压的电压施加到振动器，使得可以增加振动器的振动振幅。解决方案：电容检测电路7被配置为包括：CV转换电路 8组成全差分放大器11和反馈电容Cf1，Cf2; 具有参考电压输入端子14的输入共模反馈电路9，用于将全差分放大器11的反相输入端子和非反相输入端子的平均电压控制为输入到参考电压输入端子的电压 14; 以及用于将以比振动器4的谐振频率更高的频率变化的参考电压信号输出到参考电压输入端子14的参考电压产生电路10.由此，能够向振动器4施加高电压， 从而增加振动器的振动幅度。
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公开(公告)号：JP2015099107A
公开(公告)日：2015-05-28
申请号：JP2013239464
申请日：2013-11-20
Applicant: ヤマハ株式会社
IPC: G01C19/5726
Abstract: 【課題】温度変化の影響を受けることなく、振動子の振動振幅を安定させる。 【解決手段】振動子5を振動させる駆動信号Vdp,Vdnを出力する振動子駆動回路3であって、振動子5の振動振幅を検知して所定の目標値と比較し、振動振幅と目標値との差分に応じて基準電圧Vrepを基準とする制御信号Vcontを出力する振幅検知回路13と、制御信号Vcontに基づいてオン抵抗を変化させる第1のトランジスタを有し、当該第1のトランジスタのオン抵抗に応じて駆動信号Vdp,Vdnに付与するゲインを調整するゲイン調整回路12と、第1のトランジスタと同一特性の第2のトランジスタを有し、第2のトランジスタのオン抵抗が所定値となるように第2のトランジスタを駆動し、第2のトランジスタの駆動電圧を基準電圧Vrepとして振幅検知回路13に出力する基準電圧生成回路14とを備える構成である。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：不受温度变化的影响来稳定振动器的振动幅度。解决方案：输出用于使振动器5振动的驱动信号Vdp和Vdn的振动器驱动电路3被配置为包括：幅度检测电路13， 检测振动器5的振动幅度，并将其与规定的目标值进行比较，以根据振动幅度和目标值之间的差异，基于参考电压Vrep输出控制信号Vcont; 具有导通电阻的第一晶体管的增益调整电路12根据控制信号Vcont而变化，根据第一晶体管的导通电阻来调整对驱动信号Vdp，Vdn赋予的增益; 以及具有与第一晶体管具有相同特性的第二晶体管的参考电压产生电路14驱动第二晶体管，以将第二晶体管的导通电阻均衡到规定值，并输出第二晶体管的驱动信号 晶体管作为参考电压Vrep到幅度检测电路13。
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公开(公告)号：JP2015177205A
公开(公告)日：2015-10-05
申请号：JP2014049618
申请日：2014-03-13
Applicant: ヤマハ株式会社
Abstract: 【課題】ブリッジ回路を構成する各抵抗素子のバラツキによって発生するオフセット電圧を良好にキャンセルでき、しかも出力信号に含まれるノイズを低減できるようにする。 【解決手段】オフセットキャンセル回路9は、第1の増幅手段となるオペアンプ11および第2の増幅手段となるオペアンプ12のそれぞれの反転入力端子間に接続される抵抗15と、その抵抗15の両端に対して接続される電圧型DAコンバータ6とを備える。電圧型DAコンバータ6は、所定の基準電圧Vrefを分圧することによってブリッジ型センサー3から出力される第1及び第2の出力信号Vip,Vinに含まれるオフセット電圧に応じた電位差を発生させて抵抗15の両端に印加することにより、第1の増幅手段となるオペアンプ11および第2の増幅手段となるオペアンプ12の出力信号Vop,Vonからオフセット電圧をキャンセルする。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：减少由构成桥接电路的电阻元件的变化而产生的偏移电压，同时降低输出信号中包含的噪声。解决方案：偏移消除电路9包括电阻器15，其分别连接在 运算放大器11的反相输入端变为第一放大装置，运算放大器12成为第二放大装置; 以及在其两端连接在电阻器15上的电压型DA转换器6。 电压型DA转换器6从运算放大器11的输出信号Vop，Von变为第一放大装置，并将运算放大器12通过产生取决于偏移电压的电位差而变为第二放大装置而消除偏移电压 从桥式传感器3输出的第一和第二输出信号Vip，Vin，通过划分预定参考电压Vref，并在其两端施加电阻器两端的电压。
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公开(公告)号：JP2015100059A
公开(公告)日：2015-05-28
申请号：JP2013239600
申请日：2013-11-20
Applicant: ヤマハ株式会社
IPC: H03F3/45
Abstract: 【課題】全差動アンプを利用したボルテージフォロア回路において、差動入出力端子の初期状態での電圧レベルに拘わらず起動することが可能なボルテージフォロア回路を提供すること。 【解決手段】ボルテージフォロア回路1を構成する差動対回路11は2段アンプ構成であり、2段目のアンプに備えられるNMOSトランジスタTN3、TN4は、差動出力端子OUTN、OUTPに接続され、PMOSトランジスタTP1、TP2およびNMOSトランジスタTN1、TN2により駆動され差動出力信号を出力する。電流源IS1、IS2は、NMOSトランジスタTN3、TN4の駆動を補助する。PMOSトランジスタTP6、TP7は、NMOSトランジスタTN1、TN2が流す電流を起動時に制限する。差動出力端子OUTP、OUTNの電圧レベルが初期状態で電源電圧VDDである場合にも電圧レベルを降下させ動作を開始させることができる。 【選択図】図2
Abstract translation: 要解决的问题：提供使用全差分放大器的电压跟随器电路，其允许启动，而不管初始状态下的差分输入和输出端子的电压电平如何。解决方案：构成电压跟随器电路1的差分对电路11 具有两级放大器配置。 设置有第二放大器的NMOS晶体管TN3和TN4连接到差分输出端子OUTN和OUTP，由PMOS晶体管TP1和TP2以及NMOS晶体管TN1和TN2驱动，并输出差分输出信号。 电流源IS1和IS2有助于NMOS晶体管TN3和TN4的驱动。 PMOS晶体管TP6和TP7限制NMOS晶体管TN1和TN2在启动时通过的电流。 当差分输出端子OUTP和OUTN的电压电平处于初始状态下的电源电压VDD时，可以通过降低电压电平来启动电路的工作。
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公开(公告)号：JP2015080086A
公开(公告)日：2015-04-23
申请号：JP2013215996
申请日：2013-10-17
Applicant: ヤマハ株式会社
Abstract: 【課題】端子間の電圧差に拘わらず安定した抵抗値を有する抵抗素子を付与するMOSトランジスタを利用した抵抗回路を提供すること。 【解決手段】第1、第2端子IN、OUTの間にNMOSトランジスタM1、M2を、ソース端子を接点Mで接続して、ドレイン端子を第1、第2端子IN、OUTに接続する。差動対の一方にあるNMOSトランジスタM3に定電流I1を流して決まるゲート・ソース間電圧を、NMOSトランジスタM1、M2にも印加する。第1および第2端子IN、OUTのうち高電圧となる側の端子に接続されているNMOSトランジスタ(M1、M2の一方)が抵抗素子として機能する。第1および第2端子IN、OUTの何れの端子が高い電圧値の端子であっても、NMOSトランジスタM1、M2のうちの何れか一方のトランジスタが抵抗素子として機能し、第1および第2端子IN,OUTの間に抵抗値を付与することができる。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种使用MOS晶体管的电阻电路，其给出具有稳定电阻值的电阻元件，而与端子之间的电压差无关。解决方案：NMOS晶体管M1，M2设置在源与第二端子IN，OUT之间 连接在接触点M的端子和连接到第一和第二端子IN，OUT的漏极端子。 通过恒定电流I1流向差分对之一上的NMOS晶体管M3所决定的栅极 - 源极电压也施加到NMOS晶体管M1，M2。 连接到作为高电压侧的第一和第二端子IN，OUT之一的NMOS晶体管（M1，M2中的一个）用作电阻元件。 第一和第二端子IN，OUT中的任一个具有高电压值，NMOS晶体管M1，M2中的任何一个可以用作电阻元件，以在第一和第二端子IN，OUT之间给出电阻值。
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