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    円筒型スパッタリングターゲット
    3.
    发明专利
    円筒型スパッタリングターゲット 审中-公开

    公开(公告)号：JP2017190523A

    公开(公告)日：2017-10-19

    申请号：JP2017054998

    申请日：2017-03-21

    Applicant: 三菱マテリアル株式会社

    Inventor： 植田 稔晃 ,  岡野 晋

    IPC: C23C14/34

    Abstract: 【課題】スパッタ時のパワー密度を高く設定した場合や、使用によりエロ—ジョンが進行した場合であっても、接合層の溶け出しを抑制することができ、安定して成膜を行うことが可能な円筒型スパッタリングターゲットを提供する。 【解決手段】円筒形状をなすターゲット材と、このターゲット材の内周側に接合層を介して接合されたバッキングチューブと、を備えた円筒型スパッタリングターゲットであって、前記バッキングチューブにおける径方向の熱抵抗が6.5×10 -5 K/W以下とされていることを特徴とする。 【選択図】なし

    Cu−Ga合金スパッタリングターゲットの製造方法、及び、Cu−Ga合金スパッタリングターゲット
    4.
    发明专利
    Cu−Ga合金スパッタリングターゲットの製造方法、及び、Cu−Ga合金スパッタリングターゲット 审中-公开

    公开(公告)号：JP2017137569A

    公开(公告)日：2017-08-10

    申请号：JP2016250827

    申请日：2016-12-26

    Applicant: 三菱マテリアル株式会社

    Inventor： 吉田 勇気 ,  植田 稔晃 ,  森 曉

    IPC: C22C28/00 ,  C22C9/00 ,  B22F1/00 ,  B22F3/10 ,  C22C1/04 ,  B22F3/02 ,  C23C14/34

    Abstract: 【課題】中空部を有するCu−Ga合金スパッタリングターゲットを生産効率良く、低コストで製造可能なCu−Ga合金スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 【解決手段】Cu−Ga合金からなり、中空部を有するCu−Ga合金スパッタリングターゲットの製造方法であって、少なくともCuGa合金粉を含む原料粉20を、中子32を有する成形型30に充填し、還元雰囲気で加熱して仮焼体13を形成する仮焼工程と、前記仮焼体13から前記中子32を抜き取り、還元雰囲気中で前記仮焼体13を加熱して焼結体17を形成する本焼結工程と、を有し、前記仮焼工程においては、前記中子32として、前記Cu−Ga合金スパッタリングターゲットを構成するCu−Ga合金よりも線熱膨張係数が大きい材質で構成されたものを使用し、100℃以上600℃以下の温度で10分以上10時間以下保持することにより、前記仮焼体13を形成する。 【選択図】図3

    スパッタリングターゲットの製造方法
    6.
    发明专利
    スパッタリングターゲットの製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2019163551A

    公开(公告)日：2019-09-26

    申请号：JP2019127051

    申请日：2019-07-08

    Applicant: 三菱マテリアル株式会社

    Inventor： 吉田 勇気 ,  植田 稔晃

    IPC: C23C14/34

    Abstract: 【課題】はんだ層が比較的厚く形成された場合であっても、ターゲット材/はんだ層界面、及び、はんだ層/バッキング材界面での反射波のピーク強度を低く抑えることができ、超音波探傷によって、はんだ層の欠陥を精度良く検出することが可能なスパッタリングターゲットを提供する。 【解決手段】ターゲット材11とバッキング材12との間にはんだ層13を有するスパッタリングターゲット10であって、ターゲット材11の音響インピーダンスXkg/(m 2 ・s)、バッキング材12の音響インピーダンスYkg/(m 2 ・s)に対して、はんだ層13の音響インピーダンスZが、Z≧0.5×(X+Y)−27を満たすとされ、はんだ層13の平均厚さt ave が0.75mm以上2.0mm以下の範囲内とされ、はんだ層13の10箇所での測定値の標準偏差をσとするとき、3×σが0.2×t ave 以下の範囲内とされている。 【選択図】図1

    スパッタリングターゲット
    7.
    发明专利
    スパッタリングターゲット 审中-公开

    公开(公告)号：JP2017145459A

    公开(公告)日：2017-08-24

    申请号：JP2016028209

    申请日：2016-02-17

    Applicant: 三菱マテリアル株式会社

    Inventor： 吉田 勇気 ,  植田 稔晃

    IPC: C23C14/34

    Abstract: 【課題】はんだ層が比較的厚く形成された場合であっても、ターゲット材/はんだ層界面、及び、はんだ層/バッキング材界面での反射波のピーク強度を低く抑えることができ、超音波探傷によって、はんだ層の欠陥を精度良く検出することが可能なスパッタリングターゲットを提供する。 【解決手段】ターゲット材11とバッキング材12との間にはんだ層13を有するスパッタリングターゲット10であって、ターゲット材11の音響インピーダンスXkg/(m 2 ・s)、バッキング材12の音響インピーダンスYkg/(m 2 ・s)に対して、はんだ層13の音響インピーダンスZが、Z≧0.5×(X+Y)−27を満たすとされ、はんだ層13の平均厚さt ave が0.75mm以上2.0mm以下の範囲内とされ、はんだ層13の10箇所での測定値の標準偏差をσとするとき、3×σが0.2×t ave 以下の範囲内とされている。 【選択図】図1

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