光電変換素子および光電変換素子の製造方法

    公开(公告)号:JP2018174174A

    公开(公告)日:2018-11-08

    申请号:JP2017069742

    申请日:2017-03-31

    Inventor: 長谷川 彰

    Abstract: 【課題】耐久性の高い光電変換素子及び耐久性の高い光電変換素子を効率的に製造可能な光電変換素子の製造方法の提供。 【解決手段】第1電極13と、第2電極14と、第1電極13と第2電極14との間に挟持された光電変換層16とを備え、光電変換層16は、ABX 3 で表されるペロブスカイト化合物を形成材料とする粒子を含み、粒子の平均粒子径が0.10μm以上0.30μm以下であり、粒子のX線回折スペクトルにおいて、立方晶の(111)ピークに対応する回折ピークの半値幅が2θで0.12°以上0.14°未満である光電変換素子。(A:メチルアンモニウムイオンおよびホルムアミジニウムイオンのいずれか一方または両方。B:PbおよびSnのいずれか一方または両方のイオン。X:F、Cl、BrおよびIからなる群から選ばれる1種以上のイオン。) 【選択図】図1

    光電変換素子及び光電変換素子の製造方法

    公开(公告)号:JP2017069508A

    公开(公告)日:2017-04-06

    申请号:JP2015196570

    申请日:2015-10-02

    Inventor: 長谷川 彰

    CPC classification number: Y02E10/549

    Abstract: 【課題】良好な光電変換効率及び優れた耐久性を有する光電変換素子及びその製造方法の提供。 【解決手段】一対の電極と、一対の電極間に配置された光電変換層とを有する光電変換素子であって、光電変換層はABX 3 で表されるペロブスカイト化合物を含む(AはメチルアンモニウムカチオンA 1 とアンモニウムカチオンA 2 とを有する。BはPb及びSnからなる群より選ばれる1種以上、XはF、Cl、Br及びIからなる群から選択される1種以上である。A 2 は、R 1 R 2 R 3 R 4 N + で表される。R 1 〜R 4 は水素原子又は炭素数1〜7の炭化水素基若しくは当該炭化水素基を構成する1以上の−CH 2 −が、−O−、−NH−又は−S−で置換された基である。R 1 〜R 4 の炭素数の合計は3以上である。当該基においてN + に結合する鎖中の、最長の直鎖を構成するC、O、N及びSの原子数は3以下である)。 【選択図】図1

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