切削工具とその製造方法およびレーザ加工方法とレーザ加工装置
    5.
    发明专利
    切削工具とその製造方法およびレーザ加工方法とレーザ加工装置 审中-公开
    切割工具,其生产方法,激光加工方法和激光加工装置

    公开(公告)号:JP2016101588A

    公开(公告)日:2016-06-02

    申请号:JP2014239748

    申请日:2014-11-27

    Abstract: 【課題】切削工具の製造工程において、加工速度の更なる高速化を図ることができ、かつ、平滑な切断面を形成することができる技術を提供する。 【解決手段】レーザを走査させることにより切削工具材料を所定形状に切断する切削工具の製造方法であって、レーザとして、少なくとも、高出力の高速切断用レーザと短パルスの平滑化用レーザとの2種類のレーザを用いて、高速切断用レーザを走査させて切削工具材料を所定形状に切断した後、切断により生じた面である切削工具材料の切断面に平滑化用レーザを走査させて切断面を平滑化する切削工具の製造方法。高速切断用レーザの出力が20W以上であり、平滑化用レーザの出力が20W未満である切削工具の製造方法。平滑化用レーザのパルス幅が10nsec以下である切削工具の製造方法。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种能够进一步加快加工速度并且还能够在切削工具的生产过程中形成平滑切削表面的技术。解决方案:提供了一种用于生产切削工具的方法,包括切割 通过扫描激光将工具材料切割成规定的形状。 在该方法中,使用至少两种类型的激光器,高输出,高速切割激光器和短脉冲平滑激光器。 通过扫描高速切割激光将切削工具材料切割成规定形状后,通过在切割面上扫描平滑化激光来平滑切割产生的刀具材料的切割面。 输出高速切割激光。 高速切割激光器和平滑激光器的输出分别为20W以上且小于20W,平滑激光器的脉冲宽度为10nsec以下。选择图1:

    金属多孔体の切断方法および金属多孔体
    9.
    发明专利
    金属多孔体の切断方法および金属多孔体 有权
    切割金属多孔体和金属多孔体的方法

    公开(公告)号:JP2015196190A

    公开(公告)日:2015-11-09

    申请号:JP2014076905

    申请日:2014-04-03

    Abstract: 【課題】本発明は、三次元網目状構造を有する金属多孔体を切断する方法であって、切断面における金属多孔体の骨格の折れの発生が少なく、かつ、高寸法精度で金属多孔体を切断することが可能な方法を提供することを目的とする。 【解決手段】上記課題は、三次元網目状構造を有する金属多孔体にレーザー光を1×10 8 W/m 2 以上、1×10 12 W/m 2 以下の照射密度で照射して切断する金属多孔体の切断方法、により解決することができる。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种用于切割具有三维网状结构的金属多孔体的方法,其中在切割平面处发生金属多孔体的骨架断裂,并且可以切割金属多孔体 具有高尺寸精度。解决方案:提供一种金属多孔体的切割方法,利用该方法,以1×10W / m 1的照射密度以激光束照射具有三维网状结构的金属多孔体 10W / m,切割。

    半導体基板、複合半導体基板、および半導体接合基板

    公开(公告)号:JP2021006501A

    公开(公告)日:2021-01-21

    申请号:JP2020144805

    申请日:2020-08-28

    Abstract: 【課題】短時間で半導体層を種基板の一部から分離でき、さらに、種基板が薄くても、または、種基板のサイズが大きくなっても分離でき、分離表面が平坦となる半導体基板の製造方法の提供。 【解決手段】半導体材料を含む種基板1を準備する工程と、種基板1にイオン注入を行うことにより、種基板の主面の表面から一定深さに、イオン注入層2を形成する工程と、種基板の主面上に気相合成法により、半導体層3を成長させる工程と、半導体層3および種基板1の少なくともいずれかの主面の表面から光4を照射することにより、半導体層3および種基板の一部1aを含む半導体基板5を分離する工程とを含む、半導体基板の製造方法。 【選択図】図1

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