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    多結晶シリコン製造用反応炉、多結晶シリコン製造装置、多結晶シリコンの製造方法、及び、多結晶シリコン棒または多結晶シリコン塊
    3.
    发明专利
    多結晶シリコン製造用反応炉、多結晶シリコン製造装置、多結晶シリコンの製造方法、及び、多結晶シリコン棒または多結晶シリコン塊 有权
    用于生产多晶硅的反应炉，用于生产多晶硅的装置，用于生产多晶硅的方法和多晶硅或多晶硅块

    公开(公告)号：JP2016052970A

    公开(公告)日：2016-04-14

    申请号：JP2014179793

    申请日：2014-09-04

    Applicant: 信越化学工業株式会社

    Inventor： 祢津 茂義 ,  星野 成大 ,  岡田 哲郎 ,  斉藤 弘

    IPC: C01B33/035

    CPC classification number: C01B33/035

    Abstract: 【課題】安定的な多結晶シリコンの製造に寄与すること。 【解決手段】本発明に係る多結晶シリコン製造用反応炉は、反応炉の直胴部に垂直な該反応炉の内断面積(S 0 )と、多結晶シリコンの析出により育成される多結晶シリコン棒の断面積の総和(S R )で定義付けられる反応空間断面積比(S=[S 0 −S R ]/S R )が、多結晶シリコン棒の直径が140mm以上の場合に2.5以上を満足する炉内反応空間を有しているように設計される。このような反応炉は、多結晶シリコン棒が径拡大しても十分な炉内反応空間を有しているため、反応炉内のガスの適正な循環が保たれる。その結果、多結晶シリコン棒の径が拡大した場合においても、シリコン析出境界層内の反応ガス濃度とガス温度を適正な範囲に制御することが可能である。 【選択図】図3

    Abstract translation: 要解决的问题：有助于稳定的多晶硅生产。解决方案：根据本发明的用于生产多晶硅的反应炉设计成使得反应炉在炉中具有反应空间，其反应空间截面比 （S = [SS] / S），其与反应炉的直体部分垂直的反应炉的内部横截面积（S）和多晶硅棒的横截面面积的总和（S） 当多晶硅棒的直径为140mm以上时，通过多晶硅的沉积生长为2.5以上。 即使当多晶硅棒直径膨胀以维持气体在反应炉中的适当循环时，反应炉也具有足够的反应空间。 结果，即使多晶硅棒的直径膨胀，硅沉积边界层中的反应气体浓度和气体温度也可以控制在适当的范围内。图3

    水素ガス回収システムおよび水素ガスの分離回収方法
    5.
    发明专利
    水素ガス回収システムおよび水素ガスの分離回収方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018203617A

    公开(公告)日：2018-12-27

    申请号：JP2018153367

    申请日：2018-08-17

    Applicant: 信越化学工業株式会社

    Inventor： 石田 昌彦 ,  祢津 茂義 ,  斉藤 弘 ,  田中 秀二

    IPC: C01B3/52 ,  C01B3/50 ,  C01B33/035 ,  C01B39/02 ,  B01J20/18 ,  B01J20/34 ,  B01D53/68 ,  B01D53/72 ,  B01D53/75 ,  B01D53/78 ,  B01D53/82 ,  B01J20/20 ,  C01B3/56

    Abstract: 【課題】多結晶シリコン製造工程からの反応排ガス中のメタンを、複雑なシステム構成とすることなく効率的に除去し、回収水素を高純度化する水素ガス回収システムの提供。 【解決手段】本発明の水素ガス回収システムは、多結晶シリコン製造工程からの、水素を含む反応排ガスからクロロシラン類を凝縮分離する凝縮分離装置(A)と、水素を含む反応排ガスを圧縮する圧縮装置(B)と、水素を含む反応排ガスを吸収液と接触させて塩化水素を吸収分離する吸収装置(C)と、水素を含む反応排ガスに含まれる、メタン、塩化水素、およびクロロシラン類の一部を吸着除去するための活性炭を充填した吸着塔からなる第1の吸着装置(D)と、水素を含む反応排ガスに含まれるメタンを吸着除去する合成ゼオライトを充填した吸着塔からなる第2の吸着装置(E)と、メタン濃度を低減させた精製水素ガスを回収するガスライン(F)により構成される。 【選択図】図1

    水素ガス回収システムおよび水素ガスの分離回収方法
    7.
    发明专利
    水素ガス回収システムおよび水素ガスの分離回収方法 审中-公开
    用于分离和回收氢气回收系统和氢气的方法

    公开(公告)号：JP2017043523A

    公开(公告)日：2017-03-02

    申请号：JP2015169231

    申请日：2015-08-28

    Applicant: 信越化学工業株式会社

    Inventor： 石田 昌彦 ,  祢津 茂義 ,  斉藤 弘 ,  田中 秀二

    IPC: C01B33/035 ,  C01B39/44 ,  B01J20/20 ,  B01J20/18 ,  B01J20/34 ,  C01B3/56

    CPC classification number: B01J20/18 ,  B01J20/20 ,  B01J20/34 ,  C01B3/56 ,  C01B33/035 ,  C01B39/44 ,  B01D53/68 ,  B01D53/72 ,  B01D53/75 ,  B01D53/78 ,  B01D53/82 ,  B01D53/96

    Abstract: 【課題】多結晶シリコン製造工程からの反応排ガス中のメタンを、複雑なシステム構成とすることなく効率的に除去し、回収水素の高純度化を図ること。 【解決手段】本発明の水素ガス回収システムは、多結晶シリコン製造工程からの、水素を含む反応排ガスからクロロシラン類を凝縮分離する凝縮分離装置(A)と、水素を含む反応排ガスを圧縮する圧縮装置(B)と、水素を含む反応排ガスを吸収液と接触させて塩化水素を吸収分離する吸収装置(C)と、水素を含む反応排ガスに含まれる、メタン、塩化水素、およびクロロシラン類の一部を吸着除去するための活性炭を充填した吸着塔からなる第1の吸着装置(D)と、水素を含む反応排ガスに含まれるメタンを吸着除去する合成ゼオライトを充填した吸着塔からなる第2の吸着装置(E)と、メタン濃度を低減させた精製水素ガスを回収するガスライン(F)により構成される。 【選択図】図1

    Abstract translation: 在由多晶硅制造过程废气的反应的甲烷没有复杂的系统配置有效地除去，为了提高回收的氢气的纯度。 本发明中，多晶硅的制造工艺中，缩合分离器用于从含有氢和（A），压缩，用于压缩含有氢的反应气体的反应气体中分离冷凝氯硅烷的甲氢气回收系统 装置（B），和吸收剂用于吸收分离氯化氢和反应气体被带入与含吸收液体氢（C）接触，并且包含含有氢气，甲烷，氯化氢的反应气体中，和一个氯硅烷 从吸附塔填充有活性炭吸附除去第一吸附和（D）制成的部件，第二甲烷组成的吸附塔填充有合成沸石吸附和去除的包含在含有反应气体的氢 一个抽吸装置（E），通过气体线具有减少的甲烷浓度（F）回收纯化的氢气构成。 点域1

    多結晶シリコンの製造方法
    10.
    发明专利
    多結晶シリコンの製造方法 有权
    生产多晶硅的方法

    公开(公告)号：JP2015081215A

    公开(公告)日：2015-04-27

    申请号：JP2013220204

    申请日：2013-10-23

    Applicant: 信越化学工業株式会社

    Inventor： 石田 昌彦 ,  祢津 茂義 ,  斉藤 弘 ,  長谷川 正幸

    IPC: C01B33/035

    CPC classification number: C01B33/03 ,  B01D3/143 ,  B01D53/0423 ,  B01D53/0438 ,  C01B33/035 ,  C01B33/1071 ,  C01B33/10784 ,  B01D2253/102 ,  B01D2256/26 ,  B01D2259/4009 ,  B01D53/002

    Abstract: 【課題】反応排ガスに含まれるクロロシランを回収して、これを多結晶シリコン析出反応へと循環再供給して再利用する際に、回収クロロシランを系外排除することなく、クローズド化された系内で、半導体グレードの高純度多結晶シリコンを製造する方法を提供すること。 【解決手段】本発明においては、C工程で分画した回収クロロシランから純物低減処理クロロシランを得るD工程、および、該D工程で得られた不純物低減処理クロロシランを多結晶シリコンの析出工程であるA工程に供給する構成を採用した。この採用により、半導体グレードの高純度多結晶シリコンを製造するプロセスにおいて、析出反応系で循環する回収クロロシランに蓄積する不純物化合物が除去されて安定した品質の多結晶シリコンを得ることができる。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种在封闭系统内生产半导体级的高纯度多晶硅的方法，而不用将回收的氯代硅烷回收到系统外部，当反应废气中所含的氯硅烷回收再循环再循环 多晶硅沉积反应。解决方案：本发明采用这样的结构，即在回收的氯代硅烷中，在C步骤中，在D步骤中分离得到经处理的氯硅烷以减少杂质，并且经处理的氯代硅烷以减少在D步骤中获得的杂质 被提供给沉积多晶硅的A步骤。 在半导体级的高纯度多晶硅的制造方法中，除去通过沉积反应体系循环的回收氯硅烷中积聚的杂质化合物，通过采用该结构可以得到质量稳定的多晶硅。

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