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    ベースプレートの汚染防止方法
    2.
    发明专利
    ベースプレートの汚染防止方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021143083A

    公开(公告)日：2021-09-24

    申请号：JP2020041075

    申请日：2020-03-10

    Applicant: 信越化学工業株式会社

    Inventor： 岡田 哲郎 ,  星野 成大 ,  石田 昌彦

    IPC: C01B33/037

    Abstract: 【課題】多結晶シリコンの製造に用いるベースプレートの汚染を防止する手段を提供する。 【解決手段】ベースプレートの汚染防止方法は、ベースプレート及び前記ベースプレートを覆う蓋を有する反応器内で多結晶シリコンを製造する工程と、前記ある多結晶シリコンの製造が終了した後で、前記蓋を前記ベースプレートから除去する工程と、前記ベースプレートを含む空間を隔離装置によって隔離する工程と、を有する。 【選択図】図1

    多結晶シリコン製造装置
    4.
    发明专利
    多結晶シリコン製造装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021020823A

    公开(公告)日：2021-02-18

    申请号：JP2019137105

    申请日：2019-07-25

    Applicant: 信越化学工業株式会社

    Inventor： 岡田 哲郎 ,  星野 成大 ,  石田 昌彦

    IPC: C01B33/035

    Abstract: 【課題】金属電極および芯線ホルダとの間で安定的な通電を可能とする電極アダプタの提供。 【解決手段】本発明に係る多結晶シリコンの製造装置は、芯線ホルダと金属電極を電気的に接続する電極アダプタを備えており、前記電極アダプタは前記金属電極に設けられている螺合部との間では非導通とされている。また、本発明に係る多結晶シリコンの製造装置は、芯線ホルダと金属電極を電気的に接続する電極アダプタを備えており、前記電極アダプタは固定機構部によって前記金属電極に固定され、かつ、前記電極アダプタは前記固定機構部との間では非導通とされている。 【選択図】図3

    多結晶シリコン棒および単結晶シリコンの製造方法
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    发明专利
    多結晶シリコン棒および単結晶シリコンの製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2019077568A

    公开(公告)日：2019-05-23

    申请号：JP2017203017

    申请日：2017-10-20

    Applicant: 信越化学工業株式会社

    Inventor： 宮尾 秀一 ,  石田 昌彦 ,  星野 成大 ,  祢津 茂義

    IPC: C30B29/06 ,  C30B13/00 ,  C01B33/035

    Abstract: 【課題】単結晶シリコン製造用原料として好適な多結晶シリコンを提供すること。 【解決手段】本発明に係る多結晶シリコン棒は、0.3MPaG以上の圧力下で化学気相法により育成された多結晶シリコン棒であって、該多結晶シリコン棒の任意の部位から採取した板状試料を、シリコンの融点未満の温度からシリコンの融点を超える温度まで昇温させながら顕微鏡観察したときに、融点直下において、複数の結晶粒子が不均質に集合した結晶領域であって、針状結晶ではない結晶領域の直径が10μmを超える不均質結晶領域が観察されない、多結晶シリコン棒である。 【選択図】図3

    水素ガス回収システムおよび水素ガスの分離回収方法
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    发明专利
    水素ガス回収システムおよび水素ガスの分離回収方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018203617A

    公开(公告)日：2018-12-27

    申请号：JP2018153367

    申请日：2018-08-17

    Applicant: 信越化学工業株式会社

    Inventor： 石田 昌彦 ,  祢津 茂義 ,  斉藤 弘 ,  田中 秀二

    IPC: C01B3/52 ,  C01B3/50 ,  C01B33/035 ,  C01B39/02 ,  B01J20/18 ,  B01J20/34 ,  B01D53/68 ,  B01D53/72 ,  B01D53/75 ,  B01D53/78 ,  B01D53/82 ,  B01J20/20 ,  C01B3/56

    Abstract: 【課題】多結晶シリコン製造工程からの反応排ガス中のメタンを、複雑なシステム構成とすることなく効率的に除去し、回収水素を高純度化する水素ガス回収システムの提供。 【解決手段】本発明の水素ガス回収システムは、多結晶シリコン製造工程からの、水素を含む反応排ガスからクロロシラン類を凝縮分離する凝縮分離装置(A)と、水素を含む反応排ガスを圧縮する圧縮装置(B)と、水素を含む反応排ガスを吸収液と接触させて塩化水素を吸収分離する吸収装置(C)と、水素を含む反応排ガスに含まれる、メタン、塩化水素、およびクロロシラン類の一部を吸着除去するための活性炭を充填した吸着塔からなる第1の吸着装置(D)と、水素を含む反応排ガスに含まれるメタンを吸着除去する合成ゼオライトを充填した吸着塔からなる第2の吸着装置(E)と、メタン濃度を低減させた精製水素ガスを回収するガスライン(F)により構成される。 【選択図】図1

    トリクロロシランの精製システムおよびシリコン結晶
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    发明专利
    トリクロロシランの精製システムおよびシリコン結晶 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018140927A

    公开(公告)日：2018-09-13

    申请号：JP2017241644

    申请日：2017-12-18

    Applicant: 信越化学工業株式会社

    Inventor： 岸 亮太 ,  石田 昌彦 ,  祢津 茂義

    IPC: C01B33/02 ,  C01B33/107

    Abstract: 【課題】高沸点化合物の転化に伴い発生した付加物の解離による再汚染や平衡制約による不純物残留を防止することが可能なトリクロロシランの精製システムの提供。 【解決手段】多段式の不純物転化工程には、シリコン結晶中でドナーまたはアクセプタとなる不純物を含有するトリクロロシランが供給される。このトリクロロシラン中の不純物は、蒸留補助剤の存在下で、高沸点化合物へと転化される。複数の不純物転化工程部(10 1 〜10 n )は直列に連結されており、不純物転化工程部は何れも、前段部からのトリクロロシランの受入部aと、蒸留補助剤の導入部bと、後段部へのトリクロロシランの送出部cと、残余部(高沸点化合物、蒸留補助剤、トリクロロシラン残液)を当該不純物転化工程部外に排出するドレイン部dを備えている。 【選択図】図2

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