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    単結晶製造方法
    2.
    发明专利
    単結晶製造方法 有权
    单晶的制造方法

    公开(公告)号：JP2015110487A

    公开(公告)日：2015-06-18

    申请号：JP2013252747

    申请日：2013-12-06

    Applicant: 信越半導体株式会社

    Inventor： 宮原 祐一 ,  高島 祥 ,  澤崎 康彦 ,  岩崎 淳

    IPC: C30B15/10 ,  C30B29/06

    CPC classification number: C30B15/10 ,  C03C3/04 ,  C30B15/30 ,  C30B29/06 ,  C30B30/04 ,  C03C2201/30 ,  C03C2201/32

    Abstract: 【課題】湯漏れの発生を防止するとともに、効率良く石英ルツボを使用して単結晶の育成を行うことができる製造方法を提供する。 【解決手段】CZ法による単結晶製造方法であって、石英ルツボの製造に用いられた石英原料粉に含まれるAl/Li比と、石英ルツボの使用時間と、該使用時間での失透割合と、失透部分起因の湯漏れの発生の有無との相関関係を予め求めておき、該相関関係に基づいて、湯漏れが発生しないように、単結晶の育成の際に使用する石英ルツボの失透割合の範囲を設定し、該設定した割合の範囲内に収まるように、石英ルツボの製造に用いられた石英原料粉に含まれるAl/Li比に応じて石英ルツボの最大使用時間を決定し、該最大使用時間の範囲内で石英ルツボを使用して単結晶の育成を行う単結晶製造方法。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够有效地使用石英坩埚来防止熔融金属的泄漏和提高单晶的制造方法。解决方案：通过CZ法提供单晶制造方法，其制造方法包括： 以前发现与用于制造石英坩埚的石英原料粉末之间的Al和Li的Al / Li比与石英坩埚的使用时间，使用时间中的失透比以及由于 发生失透部分; 根据相关性设定用于提高单晶的石英坩埚的失透比的范围，使得不会发生熔融金属的泄漏; 根据用于制造石英坩埚的石英原料粉末中包含的Al和Li的Al / Li比，确定石英坩埚的最大使用时间，使其落在该比率的设定范围内; 并且在最大使用时间的范围内使用石英坩埚提高单晶。

    遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の測定方法及びシリコン単結晶の製造方法
    4.
    发明专利
    遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の測定方法及びシリコン単結晶の製造方法 有权
    加热保护构件下端表面和原料熔体表面之间的距离测量方法及硅单晶的制造方法

    公开(公告)号：JP2016074574A

    公开(公告)日：2016-05-12

    申请号：JP2014207505

    申请日：2014-10-08

    Applicant: 信越半導体株式会社

    Inventor： 宮原 祐一 ,  増田 直樹 ,  岩崎 淳

    IPC: C30B29/06

    Abstract: 【課題】DPMを安定して正確に測定することのできる測定方法を、より低コストで提供することを目的とする。 【解決手段】チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の引上げにおいて、遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離を測定する方法であって、シリコン単結晶の引上げ開始前に、仮想原料融液面を備えた治具を設け、仮想原料融液面に映る基準反射体の鏡像の位置を測定し、鏡像と基準反射体との間の距離と、遮熱部材下端面と仮想原料融液面との間の距離との関係を求め、シリコン単結晶の引上げ中、原料融液面に映る基準反射体の鏡像の位置を測定し、基準反射体の鏡像と基準反射体との間の距離と遮熱部材下端面と仮想原料融液面との間の距離との関係に基づき、遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離を算出することを特徴とする遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の測定方法。 【選択図】 図1

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够以更低的成本稳定且精确地测量DPM的测量方法。解决方案：提供一种隔热构件的下端表面和原料熔体表面之间的距离的测量方法 使用Czochralski法拉制硅单晶，其中：在拉制硅单晶之前，提供具有原料熔体的虚拟表面的工具，反射在虚拟的反射镜上的参考反射体的镜像的位置 测定原料熔融体的表面，得到镜像与基准反射体之间的距离与隔热部件的下端面与原料的虚拟表面熔融之间的距离的关系。 并且在拉拔硅单晶时，测量反射在原料熔体表面上的参考反射体的镜像位置，并且基于参考反射镜的镜像与第 参考反射器和隔热构件的下端面与原料熔融物的虚拟表面之间的距离，计算隔热构件的下端面与原料熔融物的表面之间的距离 图1

    残湯吸引器のノズル位置の設定方法及び残湯吸引装置
    5.
    发明专利
    残湯吸引器のノズル位置の設定方法及び残湯吸引装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018070426A

    公开(公告)日：2018-05-10

    申请号：JP2016214457

    申请日：2016-11-01

    Applicant: 信越半導体株式会社

    Inventor： 宮原 祐一 ,  増田 直樹

    IPC: C30B15/00 ,  C30B29/06

    Abstract: 【課題】チョクラルスキー法でルツボ内の原料融液からシリコン単結晶を引き上げた後、ルツボ内に残った原料融液の残湯を除去する際に、所望の残湯量が除去できる位置となるように残湯吸引器のノズル位置を設定することのできる残湯吸引器のノズル位置の設定方法及び残湯吸引装置を提供する。 【解決手段】残湯吸引器のノズル位置を設定する方法であって、残湯吸引器にロードセルを連結し、残湯吸引器のノズルの下端がルツボの底に到達するまで残湯吸引器を降下させ、ロードセルで測定した残湯吸引器の重量の変化からノズルの下端のルツボの底への到達及びルツボの底の位置を検知して、その後、残湯吸引器のノズルの下端とルツボの底との距離を所定の距離に設定することを特徴とする残湯吸引器のノズル位置の設定方法。 【選択図】 図1

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