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公开(公告)号：WO2002068732A1
公开(公告)日：2002-09-06
申请号：PCT/JP2002/001796
申请日：2002-02-27
IPC: C30B15/00
CPC classification number: C30B15/02
Abstract: An inexpensive recharge pipe for solid multicrystal material that is capable of improving productivity of single crystal; and a single crystal producing method using the same. The recharge pipe, which is removably installed in the single crystal producing device having a crucible containing a crystal molten liquid, is internally provided with a substantially cylindrical recharge pipe main body for holding a solid multicrystal material therein, the recharge pipe main body gradually widening toward the lower end. The recharge pipe is further equipped with a conical valve removably disposed at the lower end of the recharge pipe main body, a lid removably disposed at the upper end of the recharge pipe main body, a hook, a recharge pipe wire connecting the hook and the conical valve, and a stop for positioning the recharge pipe wire such that is extends through substantially the center of the recharge pipe main body.
Abstract translation: 一种廉价的固体多晶材料再生管，能够提高单晶的生产率; 和使用其的单晶制造方法。 在具有含有结晶熔融液体的坩埚的单晶制造装置中，可再充电管内部设置有用于将固体多晶体材料保持在其中的大致圆筒形再生管主体，再生管主体朝向 下端。 再充电管还配备有可拆卸地设置在再充电管主体的下端的锥形阀，可拆卸地设置在再充电管主体的上端的盖，钩，连接钩的再生管线和 锥形阀和用于定位再充电管线的止动件，使得其基本上延伸穿过再充电管主体的中心。
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公开(公告)号：JP2015086088A
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：JP2013223999
申请日：2013-10-29
Applicant: 信越半導体株式会社
CPC classification number: C30B15/14 , C30B15/206 , C30B29/06
Abstract: 【課題】熱履歴の調節をしつつ、シリコン単結晶の引上げ速度の向上や酸素濃度の低減を容易にできるシリコン単結晶引上装置を提供する。 【解決手段】原料を収容するルツボと、該原料を加熱して原料融液にするヒーターを格納するメインチャンバと、前記ヒーターと前記メインチャンバとの間に配置され、前記ヒーターからの輻射熱を遮断するシールドとを具備するチョクラルスキー法によるシリコン単結晶引上装置であって、前記ヒーター及び前記シールドを下方から支持する支持部材を有し、前記支持部材が昇降可能であることで、前記ヒーターと前記シールドとが一緒に昇降可能なものであることを特徴とするシリコン単結晶引上装置。 【選択図】 図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够容易地提高单晶硅的拉拔速度或降低氧浓度同时调节热历史的硅单晶拉制装置。解决方案：提供使用切克劳斯基法的硅单晶拉制装置， 包括：原料坩埚; 主室，其容纳加热原料以加工原料熔体的加热器; 以及设置在加热器和主室之间的屏蔽件，并且切断来自加热器的辐射热。 硅单晶拉制装置还包括从下方支撑加热器和屏蔽件的支撑构件，支撑构件可上升和下降以提供加热器和屏蔽件的上升和下降。
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公开(公告)号：JP2020152612A
公开(公告)日：2020-09-24
申请号：JP2019053430
申请日：2019-03-20
Applicant: 信越半導体株式会社
Abstract: 【課題】育成中の単結晶を効率良く冷却し、該単結晶の成長速度の高速化を図る。 【解決手段】原料融液5を収容するルツボ6、7及び原料融液5を加熱するヒータ8を格納するメインチャンバー2と、メインチャンバー2の上部に連設され、原料融液5から引き上げられた単結晶4を収容する引上げチャンバー3と、単結晶4を取り囲むようにメインチャンバー2の天井部から原料融液5の表面に向かって延伸する冷却筒12と、冷却筒12の内側に嵌合される冷却補助筒19とを備えるチョクラルスキー法による単結晶製造装置であって、冷却補助筒19に嵌合される径拡大部材20をさらに備え、冷却補助筒19は、軸方向に貫く切れ目を有し、かつ径拡大部材20が押し込まれることで径が拡大して冷却筒12に密着するものである。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2016074574A
公开(公告)日：2016-05-12
申请号：JP2014207505
申请日：2014-10-08
Applicant: 信越半導体株式会社
IPC: C30B29/06
Abstract: 【課題】DPMを安定して正確に測定することのできる測定方法を、より低コストで提供することを目的とする。 【解決手段】チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の引上げにおいて、遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離を測定する方法であって、シリコン単結晶の引上げ開始前に、仮想原料融液面を備えた治具を設け、仮想原料融液面に映る基準反射体の鏡像の位置を測定し、鏡像と基準反射体との間の距離と、遮熱部材下端面と仮想原料融液面との間の距離との関係を求め、シリコン単結晶の引上げ中、原料融液面に映る基準反射体の鏡像の位置を測定し、基準反射体の鏡像と基準反射体との間の距離と遮熱部材下端面と仮想原料融液面との間の距離との関係に基づき、遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離を算出することを特徴とする遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の測定方法。 【選択図】 図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够以更低的成本稳定且精确地测量DPM的测量方法。解决方案：提供一种隔热构件的下端表面和原料熔体表面之间的距离的测量方法 使用Czochralski法拉制硅单晶，其中：在拉制硅单晶之前，提供具有原料熔体的虚拟表面的工具，反射在虚拟的反射镜上的参考反射体的镜像的位置 测定原料熔融体的表面，得到镜像与基准反射体之间的距离与隔热部件的下端面与原料的虚拟表面熔融之间的距离的关系。 并且在拉拔硅单晶时，测量反射在原料熔体表面上的参考反射体的镜像位置，并且基于参考反射镜的镜像与第 参考反射器和隔热构件的下端面与原料熔融物的虚拟表面之间的距离，计算隔热构件的下端面与原料熔融物的表面之间的距离 图1
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公开(公告)号：JP6614380B1
公开(公告)日：2019-12-04
申请号：JP2019053430
申请日：2019-03-20
Applicant: 信越半導体株式会社
Abstract: 【課題】育成中の単結晶を効率良く冷却し、該単結晶の成長速度の高速化を図る。 【解決手段】原料融液5を収容するルツボ6、7及び原料融液5を加熱するヒータ8を格納するメインチャンバー2と、メインチャンバー2の上部に連設され、原料融液5から引き上げられた単結晶4を収容する引上げチャンバー3と、単結晶4を取り囲むようにメインチャンバー2の天井部から原料融液5の表面に向かって延伸する冷却筒12と、冷却筒12の内側に嵌合される冷却補助筒19とを備えるチョクラルスキー法による単結晶製造装置であって、冷却補助筒19に嵌合される径拡大部材20をさらに備え、冷却補助筒19は、軸方向に貫く切れ目を有し、かつ径拡大部材20が押し込まれることで径が拡大して冷却筒12に密着するものである。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2015110487A
公开(公告)日：2015-06-18
申请号：JP2013252747
申请日：2013-12-06
Applicant: 信越半導体株式会社
CPC classification number: C30B15/10 , C03C3/04 , C30B15/30 , C30B29/06 , C30B30/04 , C03C2201/30 , C03C2201/32
Abstract: 【課題】湯漏れの発生を防止するとともに、効率良く石英ルツボを使用して単結晶の育成を行うことができる製造方法を提供する。 【解決手段】CZ法による単結晶製造方法であって、石英ルツボの製造に用いられた石英原料粉に含まれるAl/Li比と、石英ルツボの使用時間と、該使用時間での失透割合と、失透部分起因の湯漏れの発生の有無との相関関係を予め求めておき、該相関関係に基づいて、湯漏れが発生しないように、単結晶の育成の際に使用する石英ルツボの失透割合の範囲を設定し、該設定した割合の範囲内に収まるように、石英ルツボの製造に用いられた石英原料粉に含まれるAl/Li比に応じて石英ルツボの最大使用時間を決定し、該最大使用時間の範囲内で石英ルツボを使用して単結晶の育成を行う単結晶製造方法。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够有效地使用石英坩埚来防止熔融金属的泄漏和提高单晶的制造方法。解决方案：通过CZ法提供单晶制造方法，其制造方法包括： 以前发现与用于制造石英坩埚的石英原料粉末之间的Al和Li的Al / Li比与石英坩埚的使用时间，使用时间中的失透比以及由于 发生失透部分; 根据相关性设定用于提高单晶的石英坩埚的失透比的范围，使得不会发生熔融金属的泄漏; 根据用于制造石英坩埚的石英原料粉末中包含的Al和Li的Al / Li比，确定石英坩埚的最大使用时间，使其落在该比率的设定范围内; 并且在最大使用时间的范围内使用石英坩埚提高单晶。
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公开(公告)号：JP2019123645A
公开(公告)日：2019-07-25
申请号：JP2018005765
申请日：2018-01-17
Applicant: 信越半導体株式会社
Abstract: 【課題】 ヒーターの円周方向の温度分布を従来のヒーターよりも均一にすることができ、有転位の発生頻度を低減することが可能な単結晶製造用黒鉛ヒーターを提供する。 【解決手段】 円筒状の発熱体と、該発熱体に接続された通電用の端子部とを有するチョクラルスキー法により単結晶を製造する場合に用いられる黒鉛ヒーターであって、前記発熱体は、上端から下方向へ伸びる上スリット及び下端から上方向へ伸びる下スリットが交互に複数設けられ、前記上スリット及び前記下スリットにより、前記上スリットの終端と前記下スリットの終端間の高さ領域が複数の発熱スリット部に分割されており、前記端子部が接続される前記発熱スリット部との間の前記発熱体の連結領域における最大断面積が、前記発熱スリット部の断面積の1.1倍以上6.0倍以下であることを特徴とする単結晶製造用黒鉛ヒーター。 【選択図】図1
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