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公开(公告)号：JP2015110487A
公开(公告)日：2015-06-18
申请号：JP2013252747
申请日：2013-12-06
Applicant: 信越半導体株式会社
CPC classification number: C30B15/10 , C03C3/04 , C30B15/30 , C30B29/06 , C30B30/04 , C03C2201/30 , C03C2201/32
Abstract: 【課題】湯漏れの発生を防止するとともに、効率良く石英ルツボを使用して単結晶の育成を行うことができる製造方法を提供する。 【解決手段】CZ法による単結晶製造方法であって、石英ルツボの製造に用いられた石英原料粉に含まれるAl/Li比と、石英ルツボの使用時間と、該使用時間での失透割合と、失透部分起因の湯漏れの発生の有無との相関関係を予め求めておき、該相関関係に基づいて、湯漏れが発生しないように、単結晶の育成の際に使用する石英ルツボの失透割合の範囲を設定し、該設定した割合の範囲内に収まるように、石英ルツボの製造に用いられた石英原料粉に含まれるAl/Li比に応じて石英ルツボの最大使用時間を決定し、該最大使用時間の範囲内で石英ルツボを使用して単結晶の育成を行う単結晶製造方法。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够有效地使用石英坩埚来防止熔融金属的泄漏和提高单晶的制造方法。解决方案：通过CZ法提供单晶制造方法，其制造方法包括： 以前发现与用于制造石英坩埚的石英原料粉末之间的Al和Li的Al / Li比与石英坩埚的使用时间，使用时间中的失透比以及由于 发生失透部分; 根据相关性设定用于提高单晶的石英坩埚的失透比的范围，使得不会发生熔融金属的泄漏; 根据用于制造石英坩埚的石英原料粉末中包含的Al和Li的Al / Li比，确定石英坩埚的最大使用时间，使其落在该比率的设定范围内; 并且在最大使用时间的范围内使用石英坩埚提高单晶。
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