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公开(公告)号：WO2008139653A1
公开(公告)日：2008-11-20
申请号：PCT/JP2007/071707
申请日：2007-11-08
CPC classification number: B08B3/08 , A23B7/152 , A23B7/153 , A23L3/3463 , A61L2/183 , A61L2/186 , A61L2202/26 , B08B3/04
Abstract: 水素ラジカルおよび炭素ラジカルから選ばれる少なくともいずれかを含む水を用いて、被処理物を洗浄する方法、ならびに、被処理物を洗浄処理するための処理槽（２，２２）と、前記処理槽（２，２２）に水素ラジカルおよび炭素ラジカルから選ばれる少なくともいずれかを含む水を供給する手段とを備える洗浄装置（１，２１，４１）によって、化学薬品を使用することなく、十分に洗浄効果を発揮することができる新規な方法、およびそのための装置が提供される。
Abstract translation: 使用含有选自氢自由基和碳自由基中的至少任一种的水洗涤洗涤物的方法。 提供了一种新颖的方法，在不使用任何化学物质的情况下，通过洗涤装置（1,21,41）施加令人满意的清洗效果，所述洗涤装置（1,21,41）包括用于洗涤物体的洗涤处理的处理槽（2,22）和至少包含至少 从处理槽（2,22）中选择氢自由基和碳自由基中的任意一种。 此外，提供了一种新颖方法的装置。
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公开(公告)号：JP2021021713A
公开(公告)日：2021-02-18
申请号：JP2019140342
申请日：2019-07-30
Applicant: 倉敷紡績株式会社
Abstract: 【課題】基板の枚葉式処理において、基板上の処理液の熱画像を撮影して、高い精度で温度測定が可能なサーモカメラを提供する。 【解決手段】基板上の処理液の温度を可視化する熱画像センサ21と、前記熱画像センサを内部に収容する筐体23と、前記筐体の前記熱画像センサの受光面側に設けられ、駆動用気体によって開閉するシャッターとを有するサーモカメラ20。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2021021712A
公开(公告)日：2021-02-18
申请号：JP2019140341
申请日：2019-07-30
Applicant: 倉敷紡績株式会社
Abstract: 【課題】基板の枚葉式処理において、処理室内に設置して、基板上の処理液の熱画像をその場で取得可能なサーモカメラを提供する。 【解決手段】基板上の処理液の温度を可視化する熱画像センサ21と、前記熱画像センサを内部に収容する筐体23と、前記筐体の前記熱画像センサの受光面側に設けられ、赤外線を透過する保護部50とを有するサーモカメラ20。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2015131256A
公开(公告)日：2015-07-23
申请号：JP2014002781
申请日：2014-01-09
Applicant: 倉敷紡績株式会社
Abstract: 【課題】ヒドロキシルラジカル濃度をより安定に精度良く制御することが可能な、ヒドロキシルラジカル含有水の製造装置および製造方法を提供すること。 【解決手段】純水供給部20と、前記純水にオゾンを溶解させるオゾン溶解部30と、前記オゾン溶解部30の上流または下流に設けられたオゾン分解抑制剤混合部40と、オゾンとオゾン分解抑制剤を含む水中のオゾン濃度を安定化させるオゾン濃度安定化手段と、前記オゾン濃度安定化手段の下流に設けられた過酸化水素混合部60と、前記過酸化水素混合部の下流に設けられ、少なくともヒドロキシルラジカルを含むラジカル種の濃度を測定するヒドロキシルラジカル測定部70と、前記測定された少なくともヒドロキシルラジカルを含むラジカル種の濃度に基づいて、前記過酸化水素混合部60に供給される過酸化水素量を制御する過酸化水素制御部71とを有するヒドロキシルラジカル含有水製造装置10。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供能够更稳定且更精确地控制羟基自由基浓度的含羟基自由基水的制造装置和方法。解决方案：用于制造含羟基自由基的水的装置10包括：纯的 供水部20，将臭氧溶解在纯水中的臭氧溶解部30; 臭氧分解抑制剂的混合部分40设置在臭氧溶解部分30的上游或下游; 臭氧浓度稳定装置，其稳定含臭氧水和臭氧分解抑制剂中的臭氧浓度; 设置在臭氧浓度稳定装置下游的过氧化氢的混合部分60; 羟基自由基测量部分70，其测量至少含有羟基的自由基物质的浓度; 以及过氧化氢控制部分71，其基于测量的至少含羟基的自由基物质的浓度来控制供给至过氧化氢的混合部分60的过氧化氢的量。
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公开(公告)号：JP5731972B2
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：JP2011518449
申请日：2010-06-01
Applicant: 倉敷紡績株式会社
CPC classification number: B08B17/00 , C02F1/722 , C02F1/78 , C11D11/0047 , G03F7/423 , B08B2203/005 , C02F1/68 , C02F2103/346 , C02F2305/023
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2018119941A
公开(公告)日：2018-08-02
申请号：JP2017064145
申请日：2017-03-29
Applicant: 倉敷紡績株式会社
Abstract: 【課題】 半導体材料に影響を与えることなく、槽内の流動体の性状をリアルタイムで計測することができる半導体処理装置を提供する。 【解決手段】 内部の流動体100にウエハを浸漬可能な処理槽2と、前記処理槽内に設けられ、前記浸漬されたウエハ20表面との間に、隙間10をおいて前記ウエハと平行配置された透明板7と、前記ウエハと透明板との間に前記ウエハに平行な面状のレーザー光30を照射するレーザー発振器8と、前記レーザー光が前記流動体により散乱し、前記透明板7を透過した散乱光40を検出する光検出器14と、前記光検出器14が検出した前記散乱光に基づいて、前記流動体100の性状を計測演算する計測演算部15と、を備える。 【選択図】 図2
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