-
公开(公告)号：JP5987898B2
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：JP2014506176
申请日：2013-03-14
Applicant: 宇部興産株式会社
CPC classification number: C08G69/32 , C08G73/1014 , C08G73/1042 , C08G73/1067 , C08J5/042 , C08J5/24 , C08J2349/00 , C08J2377/10 , C08J2379/08
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JPWO2019131884A1
公开(公告)日：2021-01-14
申请号：JP2018048158
申请日：2018-12-27
Applicant: 宇部興産株式会社
Abstract: 本発明は、下記式(1)および下記式(2)を満たす、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物およびピロメリット酸二無水物の少なくとも一方を含むテトラカルボン酸成分、パラフェニレンジアミンおよび4,4’−ジアミノジフェニルエーテルの少なくとも一方を含むジアミン成分、およびカルボン酸モノ無水物から得られる構造を有するポリアミック酸を含むフレキシブルデバイス基板形成用ポリイミド前駆体樹脂組成物に関する。 式(1) 0.97≦X/Y 式(2) 0.5≦(Z/2)/(Y−X)≦1.05 (式中、Xは前記テトラカルボン酸成分のモル数、Yは前記ジアミン成分のモル数、Zは前記カルボン酸モノ無水物のモル数を表す。)
-
-
公开(公告)号：JPWO2018079707A1
公开(公告)日：2019-09-19
申请号：JP2017038882
申请日：2017-10-27
Applicant: 宇部興産株式会社
Abstract: 本発明は、テトラカルボン酸成分とジアミン成分とから得られるポリイミドであって、厚み10μmのフィルムにおける黄色度が3未満であり、50℃から200℃までの線膨張係数が55ppm/K以下であり、厚み10μmのフィルムにおける波長365nmの光透過率が70%以上、かつ、波長308nmの光透過率が0.1%未満である、ポリイミドに関する。
-
公开(公告)号：JPWO2019203353A1
公开(公告)日：2021-05-20
申请号：JP2019016858
申请日：2019-04-19
Applicant: 宇部興産株式会社
IPC: H01L21/312 , B32B27/34 , C08G73/10
Abstract: 優れたC−V特性を示すポリイミドフィルムを含むフレキシブル電子デバイスを提供する。このポリイミドフィルムは、抵抗値が4Ωcmのシリコンウェハ上に、0.75μmの膜厚で形成した積層体の容量−電圧測定を行ったとき、0.005/V以上の最大勾配を示すポリイミドで形成されたフィルムである(但し、前記最大勾配は、前記シリコンウェハに対して前記ポリイミドフィルムに印加する直流電圧を最低電圧V1と最高電圧V2の間で、正方向走査と負方向走査を行いながら容量測定を行い、第3回目の正方向走査時の規格化容量−電圧曲線における勾配の絶対値の最大値を意味し、前記規格化容量−電圧曲線は、最低電圧V1における容量を1として規格化されている。)。
-
公开(公告)号：JP2019189872A
公开(公告)日：2019-10-31
申请号：JP2019106461
申请日：2019-06-06
Applicant: 宇部興産株式会社
IPC: C08G73/10
Abstract: 【課題】優れたC−V特性を示すポリイミド、特にフィルム形態のポリイミド、そのポリイミドを用いた積層基板、およびそれらを含むフレキシブルディスプレイ等の電子デバイスを提供することを目的とする。 【解決手段】抵抗値が4Ωcmのシリコンウェハ上に、ポリイミドフィルムを0.75μmの厚膜で形成した積層体の容量−電圧測定を行ったとき、0.005/V以上の最大勾配を示すことを特徴とするポリイミド(但し、前記最大勾配は、前記シリコンウェハに対して前記ポリイミドフィルムに印加する直流電圧を最低電圧V1と最高電圧V2の間で、正方向走査と負方向走査を行いながら容量測定を行い、第3回目の正方向走査時の規格化容量−電圧曲線における勾配の絶対値の最大値を意味し、前記規格化容量−電圧曲線は、最低電圧V1における容量を1として規格化されている。)。 【選択図】図2
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.029 seconds)
