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公开(公告)号：JP2020120052A
公开(公告)日：2020-08-06
申请号：JP2019011698
申请日：2019-01-25
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 【課題】電源ノイズを抑制する部品を基板表面上に実装することが不要となるキャパシタ内蔵基板を提供する。 【解決手段】キャパシタ内蔵基板1は、電源配線である第1導体層12と、グランドである第2導体層13と、第1導体層12と第2導体層13とに挟まれた第1誘電体層14と、電源配線である第3導体層15とを含む。第1導体層12は、第1領域12aと第2領域12bとに分割されており、第1領域12aと第3導体層15とは、第2導体層13と未接続である第1ビア16で接続され、第2領域12bと第3導体層15とは、第2導体層13と未接続である第2ビア17で接続され、第3導体層15は、キャパシタ内蔵基板1の厚み方向に沿って、第1誘電体層14からずらした位置に配置されるとともに、第1ビア16との接続箇所と第2ビア17との接続箇所との間に、配線の一部が第3導体層15における他の部分よりも細い第1狭窄部15aを有する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2020013924A
公开(公告)日：2020-01-23
申请号：JP2018136035
申请日：2018-07-19
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 【課題】導電膜と誘電体膜とを積層した積層体が基体の内部に設けられた薄膜キャパシタを内蔵した回路基板において、基体の反りに伴う積層体の変形を抑制する。 【解決手段】回路基板は、基体の内部に設けられ、第1の導電膜、第1の導電膜に積層された誘電体膜、及び誘電体膜に積層された第2の導電膜を含む積層体と、第1の導電膜、誘電体膜及び第2の導電膜の各々と連続的に接触する第3の導電膜を有し、基体を貫通する少なくとも1つの貫通ビアと、を含む。 【選択図】図2
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JPWO2017183135A1
公开(公告)日：2018-11-15
申请号：JP2016062507
申请日：2016-04-20
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: キャパシタを内蔵する回路基板の、加熱による信頼性及び性能の低下を抑える。 回路基板(1)は、絶縁層(20)内に設けられたキャパシタ(10)を有する。キャパシタ(10)は、誘電体層(11)と、開口部(12a)を有する電極層(12)と、開口部(12a)と対応する位置に開口部(13a)を有する電極層(13)とを含む。回路基板(1)には、誘電体層(11)、開口部(12a)及び開口部(13a)を貫通し、平面視で開口部(12a)及び開口部(13a)よりも小さい導体ビア(31)が設けられる。キャパシタ(10)の一方の電極層(13)は、絶縁層(20)内に設けられた接続ビア(32)、及び絶縁層(20)上に設けられた導体層(33)を介して、導体ビア(31)と電気的に接続される。
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公开(公告)号：JP2018116951A
公开(公告)日：2018-07-26
申请号：JP2017004844
申请日：2017-01-16
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H05K3/46
Abstract: 【課題】回路基板の、ビア接続部に発生する応力に起因した損傷を抑え、性能及び信頼性の低下を抑える。 【解決手段】例えば、回路基板1は、積層されたガラス基板20と樹脂基板10とを有する。ガラス基板20は、貫通孔22と、その貫通孔22の内壁に設けられた金属層24と、その金属層24の内側に設けられた導電性樹脂23とを有する。樹脂基板10は、ガラス基板20の貫通孔22と対向する開口端12bが金属層24の内側に位置する貫通孔12と、貫通孔12内に設けられてガラス基板20の導電性樹脂23と接続された導電性樹脂13とを有する。これにより、ガラス基板20と樹脂基板10とのビア接続部に発生する応力を抑え、その応力に起因したガラス基板20のクラック、それによる回路基板1の性能及び信頼性の低下を抑える。 【選択図】図3
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公开(公告)号：JP6064705B2
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：JP2013054525
申请日：2013-03-18
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H05K1/0271 , H01L21/4853 , H01L21/76877 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L23/49894 , H01L24/81 , H05K1/0298 , H05K1/0326 , H05K1/0346 , H05K1/115 , H01L2224/0401 , H01L2224/08235 , H01L2224/131 , H01L2224/16235 , H01L2224/81191 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2924/1306 , H01L2924/351 , H05K2201/0154 , H05K2201/09136 , H05K2201/10734
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公开(公告)号：JP2016133350A
公开(公告)日：2016-07-25
申请号：JP2015007013
申请日：2015-01-16
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 【課題】試験サンプルの厚み方向への加重負荷を解放して面方向のせん断試験を行うためのせん断試験装置を提供する。 【解決手段】接着性を有する試験サンプルの温度を制御する温度制御部19と、試験サンプルS 1 の第1接着面が接着される第1面2aを有する第1支持具2と、第1支持具2の第1面2aに対向して配置され、試験サンプルS 1 の前記第1接着面と異なる第2接着面が接着される第2面5aを有し、温度制御部19による温度の変化によって生じる第1面2aから第2面5aへの試験サンプルS 1 の厚みの変化に追従する移動自在な第2支持具5と、第1面2aに沿った方向で第1支持具2にせん断応力を加える制御部4と、を含む。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种剪切试验装置，用于将在厚度方向施加的载荷释放到测试样品上并在表面方向上进行剪切试验。解决方案：剪切试验装置具有：温度控制单元19，用于控制 具有粘合性的试样的温度; 具有第一表面2a的第一支撑件2，测试样品Sis的第一粘合剂表面粘附到第一表面2a; 面向第一支撑件2的第一表面2a设置的第二支撑件5，具有第二表面5a，第二表面5a与测试样品Sis不同的第一粘合剂表面粘附到其上，并且可移动以跟随变化 在温度控制单元19由于温度变化而使测试样品S从第一表面2a到第二表面5a的厚度; 以及控制单元4，用于在沿着第一表面2的方向上向第一支撑件2施加剪切应力。选择的图示：图1
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公开(公告)号：JP2016096236A
公开(公告)日：2016-05-26
申请号：JP2014231289
申请日：2014-11-14
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 【課題】半導体実装装置に関し、パッケージ基板に反りが発生した場合にも電源供給電極との接続を良好に保つ。 【解決手段】半導体チップを搭載したパッケージ基板の外形よりも大きな貫通穴を有する第1の配線基板と前記第1の配線基板より可撓性の高い第2の配線基板とを結合するとともに、前記パッケージ基板を前記第1の配線基板に設けた貫通穴に挿入して前記第2の配線基板上に実装する。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种半导体封装装置，即使在封装基板上发生翘曲时，也能够在封装基板和电源电极之间保持良好的连接。解决方案：具有比外部的通孔大的第一布线板 其上安装有半导体芯片的封装基板的形状被耦合到具有比第一布线板高的柔性的第二布线板。 此外，将封装基板插入到设置在第一布线板上的通孔中以安装在第二布线板上。选择的图示：图1
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