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公开(公告)号：JP2019150879A
公开(公告)日：2019-09-12
申请号：JP2019067991
申请日：2019-03-29
Applicant: 富士電機株式会社
Abstract: 【課題】温度上昇とともに熱伝導率が低下せず、かつ濡れ性等のはんだ材の接合特性にも優れたはんだ材を提供する。 【解決手段】耐熱温度が高く、熱伝導特性が高温領域で変化しない鉛フリーはんだを提供する。Sbを、5.0質量%を超えて10.0質量%以下と、Agを2.0〜4.0質量%含有し、残部は、Sn及び不可避不純物からなるはんだ材、並びに半導体素子と、基板電極もしくはリードフレームとの間に、かかるはんだ材を含んでなる接合層を備える半導体装置。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2015207592A
公开(公告)日：2015-11-19
申请号：JP2014085666
申请日：2014-04-17
Applicant: 富士電機株式会社
CPC classification number: H01L24/78 , B23K20/004 , B23K20/10 , B23K20/26 , H01L24/85 , H01L2224/05599 , H01L2224/29101 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48227 , H01L2224/4847 , H01L2224/73265 , H01L2224/78252 , H01L2224/78313 , H01L2224/78353 , H01L2224/78611 , H01L2224/789 , H01L2224/85048 , H01L2224/85099 , H01L2224/85181 , H01L2224/85201 , H01L2224/85205 , H01L2224/85207 , H01L2224/85399 , H01L2224/859 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2924/00014
Abstract: 【課題】直径500μm以上600μm以下のワイヤを半導体素子上の電極へワイヤボンディングできる半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】本発明のワイヤボンディング装置は、ワイヤボンディングによって電極とアルミニウム合金製のワイヤとを電気的に接続するワイヤボンディング装置100において、直径500μm以上600μm以下のワイヤ6を供給するワイヤ供給装置10と、ワイヤ6を50℃以上100℃以下に加熱する加熱装置11a,11bと、電極2,7にワイヤ6を加圧する加圧装置12,12a,12bと、加圧装置12で加圧されたワイヤ6に超音波振動を加える超音波発生装置13とを備える。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种半导体器件制造装置，其能够将直径为500〜600μm的线接合到半导体器件上的电极; 以及制造半导体器件的方法。解决方案：可操作以通过引线接合电连接电极和铝合金线的引线接合装置100包括：导线馈送单元10，其可操作地馈送具有直径为 500-600微米; 加热器11a，11b，可操作以在50-100℃的温度下加热电线6; 按压单元12,12a，12b，可操作以将电线6压靠电极2,3; 以及超声波发生器13，其可操作以对由按压单元12按压的线6施加超声波振动。
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公开(公告)号：JP2021142568A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：JP2021089202
申请日：2021-05-27
Applicant: 富士電機株式会社
Abstract: 【課題】耐熱温度が高く、熱伝導特性が高温領域で変化しない鉛フリーはんだを提供する。 【解決手段】Sbを、5.0質量%を超えて10.0質量%以下と、Agを2.0〜4.0質量%含有し、残部は、Sn及び不可避不純物からなるはんだ材、並びに半導体素子11と、基板電極もしくはリードフレームとの間に、かかるはんだ材を含んでなる接合層10を備える半導体装置。 【選択図】図1
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：JP2017228630A
公开(公告)日：2017-12-28
申请号：JP2016123296
申请日：2016-06-22
Applicant: 富士電機株式会社
IPC: H01L25/18 , H01L23/50 , H01L21/60 , H01L21/607 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L25/07
CPC classification number: H01L21/52 , H01L23/057 , H01L23/10 , H01L23/3675 , H01L23/492 , H01L23/498 , H01L23/562 , H01L25/18
Abstract: 【課題】外部接続端子と回路板との接合面に対する応力を低減する接合構造を提供する。 【解決手段】半導体装置100は、一端側の内部接合部161aが回路板120に接合し、中間部がケース110に埋設されて、他端側の外部接合部161fがケース110から表出され、ケース110の内側と内部接合部161aとの間に、内部接合部161aに対する応力を緩衝するような緩衝部161gが設けられたU端子161を有する。このような緩衝部161gを設けることにより、半導体装置100の全体が変形し、半導体装置100が局所的に変形して内部接合部161aと回路板120との接合面に応力が集中しても、当該緩衝部161gにより応力が緩衝される。 【選択図】図2
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公开(公告)号：JP6838298B2
公开(公告)日：2021-03-03
申请号：JP2016123296
申请日：2016-06-22
Applicant: 富士電機株式会社
IPC: H01L25/18 , H01L23/50 , H01L21/60 , H01L21/607 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L25/07
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