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公开(公告)号:JP6420023B1
公开(公告)日:2018-11-07
申请号:JP2018534892
申请日:2018-02-01
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 仮固定基板2は、複数の電子部品6を接着し、樹脂モールド7で仮固定するための固定面1Aと、固定面の反対側にある底面3Bとを備える。仮固定基板2が透光性セラミックスからなり、固定面1Aにスクラッチが分散しており、透光性セラミックスを構成する結晶粒子の研磨面および粒界が底面に露出している。底面におけるスクラッチの密度が前記固定面におけるスクラッチ密度よりも低い。 【選択図】 図3
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公开(公告)号:JP6375188B2
公开(公告)日:2018-08-15
申请号:JP2014184079
申请日:2014-09-10
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/44 , C04B35/50 , H01L21/304 , H01L21/683
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公开(公告)号:JP5781254B1
公开(公告)日:2015-09-16
申请号:JP2015518488
申请日:2014-12-16
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01L21/76254 , C01F7/02 , C04B35/10 , C04B35/115 , C04B35/64 , C04B37/001 , H01L21/02002 , H01L21/6835 , H01L23/15 , H01L27/12 , H01L29/06 , C01P2006/60 , C04B2235/3206 , C04B2235/3225 , C04B2235/3244 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/6562 , C04B2235/6582 , C04B2235/661 , C04B2235/662 , C04B2235/786 , C04B2237/343 , C04B2237/70 , C04B2237/704 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381
Abstract: 半導体用複合基板のハンドル基板2Aが多結晶透光性アルミナからなり、多結晶透光性アルミナのアルミナ純度が99.9%以上であり、多結晶透光性アルミナの200〜400nmの波長範囲における前方全光線透過率の平均値が60%以上であり、多結晶透光性アルミナの200〜400nmの波長範囲における直線透過率の平均値が15%以下である。 【選択図】 図1
Abstract translation: 处理半导体复合基板的基板2A由多晶硅半透明氧化铝,氧化铝纯度多晶硅半透明氧化铝为99.9%以上,在波长范围200〜400nm的多晶半透明氧化铝总的前 和透光率的平均值为60%以上且波长范围200〜400nm的多晶半透明氧化铝的直线透过率的平均值为15%或更小。 点域1
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公开(公告)号:JPWO2018179766A1
公开(公告)日:2019-04-04
申请号:JP2018002371
申请日:2018-01-26
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/56
Abstract: 仮固定基板2は、複数の電子部品を接着し、樹脂モールドで仮固定するための固定面2aと、固定面の反対側にある底面2bとを備える。仮固定基板2の横断面で見たときに固定面2aが仮固定基板から上に向かって凸形状をなすように仮固定基板が反っており、式(1)を満足する。 0.45 ≦ W 3/4 /W ≦ 0.55 ・・・ (1) (仮固定基板の横断面で見たときの固定面の幅をWとし、仮固定基板の反りの基準面に対する固定面の高さが、基準面に対する固定面の高さの最大値の3/4以上になる領域の幅をW 3/4 とする。) 【選択図】 図1
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公开(公告)号:JP5849176B1
公开(公告)日:2016-01-27
申请号:JP2015533347
申请日:2015-01-13
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01L29/16 , C04B35/115 , C04B35/6264 , C04B35/632 , C04B35/634 , C04B37/001 , C04B37/005 , C04B37/008 , C30B29/06 , C30B33/06 , H01L21/2007 , H01L29/0649 , C04B2235/3206 , C04B2235/3225 , C04B2235/3244 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/6023 , C04B2235/6582 , C04B2235/661 , C04B2235/662 , C04B2235/786 , C04B2237/062 , C04B2237/064 , C04B2237/08 , C04B2237/34 , C04B2237/343 , C04B2237/36 , C04B2237/52 , C04B2237/588 , Y10T428/24355
Abstract: 半導体用複合基板のハンドル基板1が多結晶アルミナにより形成されており、ハンドル基板1の外周縁部8の平均粒径が20〜55μmであり、ハンドル基板の中央部20の平均粒径が10〜50μmであり、ハンドル基板の外周縁部8の平均粒径が中央部20の平均粒径の1.1倍以上、3.0倍以下である。 【選択図】 図1
Abstract translation: 处理半导体复合衬底的衬底1的多晶氧化铝形成具有处理衬底的外周缘部8的平均粒径1为20〜55Myuemu,手柄基板10的与中央部20的平均粒径 一个50微米,处理衬底的外周缘部8的平均粒径为中央部20的平均粒径的1.1倍以上3.0倍以下。 点域1
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公开(公告)号:JP5756888B2
公开(公告)日:2015-07-29
申请号:JP2014545018
申请日:2014-03-26
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01L21/76251 , B23K20/00 , C04B35/111 , C04B35/115 , C04B35/565 , C04B35/581 , C04B35/587 , C04B37/001 , C04B37/005 , H01L21/187 , H01L21/2007 , C04B2235/3206 , C04B2235/3225 , C04B2235/3244 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6582 , C04B2235/661 , C04B2235/662 , C04B2235/72 , C04B2235/725 , C04B2235/963 , C04B2237/062 , C04B2237/064 , C04B2237/343 , C04B2237/365 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/52 , C04B2237/708 , H01L21/02002 , H01L21/0243 , H01L21/76254 , Y10T428/24355
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公开(公告)号:JP5697813B1
公开(公告)日:2015-04-08
申请号:JP2014557911
申请日:2014-07-10
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/115 , H01L21/02
CPC classification number: C04B35/44 , B32B18/00 , C04B35/115 , C04B35/634 , C04B37/005 , H01L27/1203 , B32B2250/02 , B32B2305/026 , B32B2457/14 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3244 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/6582 , C04B2235/661 , C04B2235/662 , C04B2235/775 , C04B2235/786 , C04B2235/963 , C04B2237/062 , C04B2237/30 , C04B2237/343 , C04B2237/52
Abstract: ハンドル基板1は、透光性セラミックからなる。ハンドル基板1の接合面1a側の表面領域2Aに含まれる大きさ0.5〜3.0μmの気孔の平均密度が50個/mm 2 以下である。ハンドル基板1内に大きさ0.5〜3.0μmの気孔の平均密度が100個/mm 2 以上の領域3が形成されている。透光性セラミックの平均粒径が5〜60μmである。
Abstract translation: 处理衬底1由透光性陶瓷构成。 孔径0.5的平均密度〜3.0μm的包含在处理衬底1的接合面1a的表面区域2A是小于50个/ mm 2 @。 孔径0.5〜的平均密度3.0μm的基板1上形成的把手100个/ mm 2个@或多个区域3。 的透光性陶瓷的平均粒径为5至60μm。
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公开(公告)号:JPWO2017154593A1
公开(公告)日:2019-01-17
申请号:JP2017006820
申请日:2017-02-23
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: セラミック基板の貫通孔内に設けられた貫通導体11が、金属多孔体20、金属多孔体20の気孔16A〜16Dに形成されているガラス相17、19および気孔内の空隙30、31を有する。貫通導体11の横断面において気孔の面積比率が5〜50%である。貫通導体11をセラミック基板の厚さ方向Bに見て第一の主面11a側の第一の部分11Aと第二の主面側11bの第二の部分11Bとに分けたとき、第一の部分11Aにおけるガラス相の面積比率が第二の部分11Bにおけるガラス相の面積比率よりも大きく、第一の部分11Aにおける空隙の面積比率が第二の部分11Bにおける空隙の面積比率よりも小さい。 【選択図】 図7
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