仮固定基板および電子部品のモールド方法

    公开(公告)号:JP6420023B1

    公开(公告)日:2018-11-07

    申请号:JP2018534892

    申请日:2018-02-01

    CPC classification number: H01L21/02 H01L21/56

    Abstract: 仮固定基板2は、複数の電子部品6を接着し、樹脂モールド7で仮固定するための固定面1Aと、固定面の反対側にある底面3Bとを備える。仮固定基板2が透光性セラミックスからなり、固定面1Aにスクラッチが分散しており、透光性セラミックスを構成する結晶粒子の研磨面および粒界が底面に露出している。底面におけるスクラッチの密度が前記固定面におけるスクラッチ密度よりも低い。 【選択図】 図3

    仮固定基板および電子部品の仮固定方法

    公开(公告)号:JPWO2018179766A1

    公开(公告)日:2019-04-04

    申请号:JP2018002371

    申请日:2018-01-26

    Abstract: 仮固定基板2は、複数の電子部品を接着し、樹脂モールドで仮固定するための固定面2aと、固定面の反対側にある底面2bとを備える。仮固定基板2の横断面で見たときに固定面2aが仮固定基板から上に向かって凸形状をなすように仮固定基板が反っており、式(1)を満足する。 0.45 ≦ W 3/4 /W ≦ 0.55 ・・・ (1) (仮固定基板の横断面で見たときの固定面の幅をWとし、仮固定基板の反りの基準面に対する固定面の高さが、基準面に対する固定面の高さの最大値の3/4以上になる領域の幅をW 3/4 とする。) 【選択図】 図1

    接続基板
    10.
    发明专利
    接続基板 审中-公开

    公开(公告)号:JPWO2017154593A1

    公开(公告)日:2019-01-17

    申请号:JP2017006820

    申请日:2017-02-23

    Abstract: セラミック基板の貫通孔内に設けられた貫通導体11が、金属多孔体20、金属多孔体20の気孔16A〜16Dに形成されているガラス相17、19および気孔内の空隙30、31を有する。貫通導体11の横断面において気孔の面積比率が5〜50%である。貫通導体11をセラミック基板の厚さ方向Bに見て第一の主面11a側の第一の部分11Aと第二の主面側11bの第二の部分11Bとに分けたとき、第一の部分11Aにおけるガラス相の面積比率が第二の部分11Bにおけるガラス相の面積比率よりも大きく、第一の部分11Aにおける空隙の面積比率が第二の部分11Bにおける空隙の面積比率よりも小さい。 【選択図】 図7

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