Patent search ap:("日本電気株式会社") AND inv:"多田宗弘" Page 1

1.

发明专利
スイッチ回路とこれを用いた半導体装置およびスイッチ方法审中-公开

公开(公告)号：JPWO2018190241A1

公开(公告)日：2020-05-14

申请号：JP2018014567

申请日：2018-04-05

Applicant: 日本電気株式会社

Inventor： 伴野直樹 , 多田宗弘

IPC: H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L45/00 , G11C13/00

Abstract: マルチファンアウトに対応した抵抗変化素子を用いたクロスバスイッチにおいて、高速で信頼性の高いスイッチ動作を可能とするために、各々端子2つを有して直列接続する抵抗変化素子と整流素子とを有する2つのスイッチが直列接続する端子で接続している、複数の4端子スイッチと、2つのスイッチの抵抗変化素子の直列接続する端子とは別の端子が各々接続する、少なくとも一方が複数存する、入力線と出力線と、2つのスイッチの整流素子の直列接続する端子とは別の端子に各々接続する制御線と、を有し、制御線は、入力線と出力線と共に、入力線もしくは出力線の内の一つに接続する4端子スイッチの内の複数の4端子スイッチの抵抗変化素子の内の、入力線に接続する抵抗変化素子の組と出力線に接続する抵抗変化素子の組を、組ごとに順にオンもしくはオフするスイッチ回路とする。

2.

发明专利
相補型スイッチユニットのプログラム方法、および半導体装置审中-公开

公开(公告)号：JP2017182848A

公开(公告)日：2017-10-05

申请号：JP2016064066

申请日：2016-03-28

Applicant: 日本電気株式会社

Inventor： 多田宗弘 , 辻幸秀

IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00 , G11C13/00

Abstract: 【課題】プログラムに要する時間を短くすることができ、テストコストを削減することができる、相補型スイッチユニットのプログラム方法を提供する。【解決手段】相補型スイッチユニット20は、印加電圧に応じて電気抵抗が変化する抵抗変化素子10a、10bを有する。抵抗変化素子10a、10bは直列に接続され、互いの接続された端子が同一の極性である。プログラム回路21は、波形が異なる複数のパルスを抵抗変化素子10a、10bそれぞれに異なるタイミングで供給する。【選択図】図2

3.

发明专利
半導体装置およびプログラミング方法有权

公开(公告)号：JP6094582B2

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：JP2014521209

申请日：2013-02-28

Applicant: 日本電気株式会社

Inventor： 阪本利司 , 多田宗弘 , 宮村信

IPC: H03K17/00 , G11C13/00

CPC classification number: G11C29/027 , G11C13/003 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/15 , G11C2213/75 , G11C2213/79

4.

发明专利
半導体装置及びその製造方法有权

公开(公告)号：JP5999768B2

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：JP2012514820

申请日：2011-05-11

Applicant: 日本電気株式会社

Inventor： 多田宗弘 , 阪本利司 , 波田博光

IPC: H01L27/10 , H01L21/82 , H01L45/00 , H01L49/00 , H01L27/105

CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/1266 , H01L45/14 , H01L45/146 , H01L45/1675

5.

发明专利
抵抗変化素子及びそのプログラミング方法有权
Title translation: 电阻变化元件及其编程方法

公开(公告)号：JP5849577B2

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：JP2011216256

申请日：2011-09-30

Applicant: 日本電気株式会社

Inventor： 多田宗弘 , 宮村信

IPC: H01L45/00 , H01L49/00 , H01L27/10 , H01L21/82 , G11C13/00 , H01L27/105

6.

发明专利
半導体装置の製造方法及び半導体装置有权

公开(公告)号：JP5704648B2

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：JP2011134284

申请日：2011-06-16

Applicant: 日本電気株式会社 , 富士通セミコンダクター株式会社

Inventor： 多田宗弘 , 波田博光 , 中林正明

IPC: H01L27/105 , H01L21/8246 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L43/08 , H01L45/00 , H01L49/00 , H01L21/318 , H01L21/31 , C23C16/42 , H01L43/12 , H01L21/316

7.

发明专利
電極に接する絶縁膜の製造方法及びその絶縁膜を含む半導体装置有权
Title translation: 所述的半导体装置，包括制造方法，绝缘膜在与所述电极接触的绝缘膜

公开(公告)号：JP5699516B2

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：JP2010227559

申请日：2010-10-07

Applicant: 日本電気株式会社

Inventor： 多田宗弘 , 伊藤仁彦 , 岡本浩一郎

IPC: C23C16/42 , H01L21/316 , H01L49/00 , H01L45/00 , H01L27/105 , H01L27/28 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L21/31 , C23C16/44

8.

发明专利
半導体装置、および半導体装置の製造方法有权

公开(公告)号：JP6874768B2

公开(公告)日：2021-05-19

申请号：JP2018525219

申请日：2017-06-28

Applicant: 日本電気株式会社

Inventor： 伴野直樹 , 多田宗弘

IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00 , H01L21/8239

9.

发明专利
抵抗変化素子の書換え方法、および抵抗変化素子を用いた不揮発性記憶装置审中-公开

公开(公告)号：JPWO2019082860A1

公开(公告)日：2020-12-17

申请号：JP2018039252

申请日：2018-10-23

Applicant: 日本電気株式会社

Inventor： 阪本利司 , 伴野直樹 , 多田宗弘 , 辻幸秀

IPC: H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00 , G11C13/00

Abstract: 書換え回数を増加させる抵抗変化素子の書換え方法、および抵抗変化素子を用いた不揮発性記憶装置を提供する。第1電極と第2電極の間に抵抗変化層が配置され、上記第1電極と上記第2電極との間に書き込み電圧を印加することにより、上記第1電極と上記第2電極との間の抵抗が可逆的に変化する抵抗変化素子の書換え方法であって、上記抵抗変化素子に書き込みを行った後で、上記抵抗変化素子の読み出しを行って読み出し電流を測定し、上記測定された読み出し電流と参照電流とを比較し、比較した結果に基づいて上記書き込みの条件を変更した後、再び上記抵抗変化素子に書き込みを行う。

10.

发明专利
抵抗変化素子、および抵抗変化素子の製造方法有权

公开(公告)号：JP6798489B2

公开(公告)日：2020-12-09

申请号：JP2017523112

申请日：2016-06-08

Applicant: 日本電気株式会社

Inventor： 多田宗弘 , 伴野直樹 , 岡本浩一郎

IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00 , H01L21/8239

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