半導体モジュール
    3.
    发明专利
    半導体モジュール 有权
    半导体模块

    公开(公告)号:JP2015185780A

    公开(公告)日:2015-10-22

    申请号:JP2014062879

    申请日:2014-03-26

    Abstract: 【課題】LSIチップ由来の伝導ノイズを抑制しつつ半導体モジュールや電子機器を小型化、薄型化する。 【解決手段】電源配線10、グランド配線20及び膜140は、インターポーザ90の表面91と平行な方向に伸展する。電源配線10及びグランド配線20は、表面91上に、それぞれ一方及び他方の末端13,14,23,24並びに側端12,22を有する。一方の末端13,23は、それぞれインターポーザ90の裏面と導通接続する。他方の末端14,24は、それぞれパッド71,72と接し、又は一体になっている。パッド71,72は、それぞれボンディングワイヤ51,52と接する。側端12,22は、それぞれ一方及び他方の末端13,14,23,24の間に位置し、かつ互いに対向する。膜140は、誘電体及び/又は磁性体からなり、電源配線10とグランド配線20との間に位置し、かつこれらの側端12,22と接する。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题:为了实现半导体模块和电子设备的厚度的小型化和减小,同时抑制LSI芯片衍生的导电噪声。解决方案:在半导体模块中,电源布线10,接地布线20和薄膜140延伸 与插入器90的表面91平行的方向。电源配线10和接地配线20分别具有位于表面91上的一个端子13,14,23,24和侧端部12,22。 一个端子13,23与插入器90的后表面电连接。另一个端子14,24分别接触焊盘71 72或彼此聚集。 焊盘71,72分别与接合线51,52接触。 侧端12,22分别位于一个端子13,23之间,另一个端子14,24之间并且彼此相对。 膜140由电介质物质和/或磁性物质构成,位于电源配线10和接地配线20之间,与电源配线10的侧端部12,22和接地配线20接触 。

    導波管取付装置
    5.
    发明专利
    導波管取付装置 审中-公开
    波导安装设备

    公开(公告)号:JP2017005639A

    公开(公告)日:2017-01-05

    申请号:JP2015120740

    申请日:2015-06-16

    Inventor: 岩波 瑞樹

    Abstract: 【課題】 導波管を基板に取り付ける際の取り付け精度が高精度となるようにする。 【解決手段】 基板に設けられて信号が伝導する信号配線と、信号配線に接続されたインピーダンス整合板と、少なくとも2つ以上のマーカーと、を備えて、導波管を基板に取り付ける際に、導波管の所定部位をマーカーに合わせることにより、インピーダンス整合板に対する導波管の位置を規定しながら、当該導波管を基板に取り付ける。 【選択図】 図1

    Abstract translation: 在安装基板上的波导的安装精度被制成一个高的精度。 和一个信号进行的信号线的安装基板时所提供的基板,和阻抗匹配板,其连接到信号线,设置有至少两个或更多个标记物,波导, 通过组合波导到标记的预定部分,而限定了波导到所述阻抗匹配板的位置,安装在基板上的波导。 点域1

    導波路変換構造体
    6.
    发明专利
    導波路変換構造体 审中-公开
    波导转换结构

    公开(公告)号:JP2016127511A

    公开(公告)日:2016-07-11

    申请号:JP2015001359

    申请日:2015-01-07

    Inventor: 岩波 瑞樹

    Abstract: 【課題】単一の信号配線で構成された、76GHzから81GHzまでの帯域での挿入損失が小さい導波路変換構造体を提供する。 【解決手段】本発明の導波路変換構造体は、第1の誘電体層と、前記第1の誘電体層を厚さ方向で挟んで設けられた第1と第2の導体層と、導波管の開口部に面して前記第1の導体層に設けられた第1のスリットと、前記第1のスリットの内側に設けられた、信号配線と第1の整合素子と、前記第1のスリットに対向して前記第2の導体層に設けられた第2のスリットと、前記第2のスリットの内側に設けられた第2の整合素子と、前記第1と第2のスリットの外側で前記第1と第2のスリットを囲んで設けられた、前記第1と第2の導体層を接続する複数の第1のビアと、を有する。 【選択図】 図1

    Abstract translation: 要解决的问题:提供由单个信号布线形成的波导转换结构,并降低76GHz和81GHz之间的带内的插入损耗。解决方案:波导转换结构包括:第一介电层; 第一和第二导体层,其设置为在厚度方向上对第一电介质层进行开关; 第一狭缝,其设置在所述第一导体层中,同时面向波导的开口; 信号线路和设置在第一狭缝内的第一匹配元件; 第二狭缝,其设置在所述第二导体层中,同时面向所述第一狭缝; 第二匹配元件,设置在第二狭缝的内部; 以及多个第一通孔,其设置在第一和第二狭缝的外部,同时围绕第一和第二狭缝并且连接第一和第二导体层。选择的图示:图1

    半導体モジュール
    7.
    发明专利
    半導体モジュール 有权
    半导体模块

    公开(公告)号:JP2015185779A

    公开(公告)日:2015-10-22

    申请号:JP2014062878

    申请日:2014-03-26

    CPC classification number: H01L2224/48091 H01L2224/48227 H01L2924/15311

    Abstract: 【課題】LSIチップ由来のノイズを抑制しつつ半導体モジュールや電子機器を小型化、薄型化する。 【解決手段】インターポーザ90の表面91はLSIチップ60に面し、電源配線10、グランド配線20、信号配線30、パッド71及び膜140は表面91に接し、かつ表面91と平行な方向に伸展する。非信号配線は、表面91上に、一方及び他方の末端13,14、並びに側端11,12を有し、一方の末端13は、インターポーザ90の裏面と導通接続し、他方の末端14は、パッド71と接し、又は一体になっており、パッド71は、ボンディングワイヤ51と接する。側端12は、一方及び他方の末端13,14の間に位置し、側端12は膜140と接し、膜140は磁性体及び/又は誘電体からなり、インターポーザ90を表面91側から上面視すると、非信号配線の占める領域と膜140の占める領域とは互いに接しかつ分離している。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题:为了实现半导体模块和电子设备的厚度的小型化和减小,同时抑制LSI芯片衍生的噪声。解决方案:半导体模块包括:具有面向LSI芯片60的表面91的插入器90; 以及电源布线10,接地布线20,信号布线30,焊盘71和薄膜140,它们各自接触表面91并且在与表面91平行的方向上延伸。非信号布线具有一个和另一个端子13 ,14表面91和侧端11,12,一个端子13与插入件90的后表面电连接,另一个端子14接触焊盘71或与焊盘71聚集。焊盘71接触接合线 侧端12位于一端和另一个端子13,14之间,并且侧端12与膜140接触。膜140由磁性物质和/或电介质构成。 当从表面91侧从上方观察插入件90时,由非信号布线占据的区域和膜140所占据的区域彼此接触并彼此隔离。

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