公开(公告)号：WO2004094338A1

公开(公告)日：2004-11-04

申请号：PCT/JP2004/005201

申请日：2004-04-12

Applicant: 旭硝子株式会社 ,  伊藤 和弘 ,  大崎 康子 ,  中山 勝寿 ,  渡辺 一成 ,  千葉 次郎

Inventor： 伊藤 和弘 ,  大崎 康子 ,  中山 勝寿 ,  渡辺 一成 ,  千葉 次郎

IPC: C04B35/195

CPC classification number: C04B35/468 ,  C03C3/064 ,  C03C8/02 ,  C03C8/14 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/632 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3481 ,  C04B2235/365 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/80 ,  H05K1/0306

Abstract: モル％表示で、ＳｉＯ 2 　２０～３９％、Ｂ 2 Ｏ 3 　５～３５％、Ａｌ 2 Ｏ 3 　２～１５％、ＣａＯ＋ＳｒＯ　１～２５％、ＢａＯ　５～２５％、ＺｎＯ　０～３５％、ＴｉＯ 2 ＋ＺｒＯ 2 ＋ＳｎＯ 2 　０～１０％、から本質的になり、Ｂ 2 Ｏ 3 ＋ＺｎＯが１５～４５％であり、アルカリ金属酸化物を含有しない、または同酸化物を合計で１％未満の範囲で含有する誘電体形成用無鉛ガラス。また、Ｂａ含有化合物粉末と前記誘電体形成用無鉛ガラスの粉末とから本質的になる誘電体形成用ガラスセラミックス組成物。また、前記誘電体形成用ガラスセラミックス組成物を焼成して得られる誘電体。

Abstract translation: 一种用于形成电介质的无铅玻璃，其以摩尔％计含有20〜39％的SiO 2，5〜35％的B 2 O 3，2〜15％的Al 2 O 3，1〜25％的CaO + SrO，5〜25重量％ 的BaO，0〜35％的ZnO，0〜10％的TiO 2 + ZrO 2 + SnO 2，条件是B 2 O 3 + ZnO为15〜45％，并且不含有1％以下的碱金属氧化物。 用于形成电介质的玻璃陶瓷组合物，其包含含Ba化合物粉末和用于形成电介质的上述无铅玻璃粉末; 以及通过烧制玻璃陶瓷组合物而制备的电介质。

公开(公告)号：WO2008143189A1

公开(公告)日：2008-11-27

申请号：PCT/JP2008/059074

申请日：2008-05-16

Applicant: 旭硝子株式会社 ,  廣松 邦明 ,  伊藤 和弘 ,  黒岩 裕

Inventor： 廣松 邦明 ,  伊藤 和弘 ,  黒岩 裕

IPC: C03C8/02 ,  C03B19/10

CPC classification number: C03B19/10

Abstract: 　実質的に同じ組成でありながら、通常用いられるガラスフリットに比べてより低融点化されたガラス微粒子集合体を得る。 　多成分ガラスからなり、平均粒径が２００ｎｍ以下であって、収縮開始温度が１５００°C以下であるガラス微粒子集合体。特に、ガラス微粒子の平均粒径が１００ｎｍ以下であることが好ましく、ガラス微粒子の形状がほぼ真球状であることが好ましい。ガラス微粒子は、ＣＯ ２ レーザ光５をガラスバルクのサンプル２の表面に集光、照射することにより、形成することができる。

Abstract translation: 公开了与常规玻璃料相比具有较低熔点的玻璃微粒组合物，尽管具有与常规玻璃料基本相同的组成。 具体公开了一种玻璃微粒组件，其包含多组分玻璃，平均粒径为200nm以下，收缩开始温度为1500℃以下。 优选玻璃微粒的平均粒径为100nm以下，具有大致球状。 玻璃微粒可以通过用CO 2激光束（5）浓缩和照射粗糙体样品（2）的表面来制造。

公开(公告)号：JP2015216006A

公开(公告)日：2015-12-03

申请号：JP2014097782

申请日：2014-05-09

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 渡邉 俊成 ,  宮川 直通 ,  伊藤 和弘 ,  渡邉 暁

IPC: H01J23/04

Abstract: 【課題】放射性物質を使用せずに、従来に比べて有意に良好な効率で電子を放出させることが可能な、マグネトロンの陰極を提供する。 【解決手段】マグネトロンの陰極であって、C12A7エレクトライド化合物を有することを特徴とする陰極。 【選択図】図2

Abstract translation: 要解决的问题：提供能够发射电子的电子负极，其效率明显优于以前，而不使用放射性物质。解决方案：磁控管的负极包括C12A7电化合物。

公开(公告)号：JP6149725B2

公开(公告)日：2017-06-21

申请号：JP2013268344

申请日：2013-12-26

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 渡邉 俊成 ,  宮川 直通 ,  伊藤 和弘 ,  渡邉 暁 ,  光井 彰

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L51/50 ,  H05B33/26 ,  H05B33/02 ,  H01L29/786

CPC classification number: C23C14/3457 ,  C23C14/08 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/105 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

公开(公告)号：JP2016013927A

公开(公告)日：2016-01-28

申请号：JP2012250255

申请日：2012-11-14

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 伊藤 和弘 ,  渡邉 暁 ,  渡邉 俊成 ,  宮川 直通

IPC: C01F7/16

CPC classification number: C01F7/164 ,  C01F7/002 ,  C04B35/44 ,  C04B35/553 ,  C23C14/3414 ,  C01P2004/61 ,  C01P2006/40 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6587 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/77

Abstract: 【課題】高電子密度の導電性マイエナイト化合物を効率良く製造する方法の提供。 【解決手段】導電性マイエナイト化合物の製造方法であって、(a)被処理体を準備する工程であって、前記被処理体は、マイエナイト化合物またはマイエナイト化合物の前駆体を含む、工程S110と、(b)前記被処理体を、還元性雰囲気の環境下において熱処理する工程S120であって、前記環境には、複合材料および/または合金が存在し、前記被処理体は、前記複合材料および/または合金に接触しない状態で配置され、前記複合材料および/または合金は、カルシウム(Ca)、マグネシウム(Mg)、リチウム(Li)、アルミニウム(Al)、シリコン(Si)、チタン(Ti)、バナジウム(V)、マンガン(Mn)、クロム(Cr)、ナトリウム(Na)、およびガリウム(Ga)からなる群から選定された少なくとも一つの元素を含む工程と、を有することを特徴とする製造方法。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种高效生产电子密度高的导电钙铝石化合物的方法。提供一种导电性钙铝石化合物的制造方法，其特征在于，包括：（a）制备待处理物质的步骤S110 待处理的物质含有钙铝石化合物或钙铝石化合物的前体; 以及步骤S120，其中在环境中存在复合材料和/或合金的还原性大气环境中对被处理物进行热处理，所述待处理物质被设置为不与 复合材料和/或合金，并且复合材料和/或合金含有选自由钙（Ca），镁（Mg），锂（Li），铝（Al），硅 （Si），钛（Ti），钒（V），锰（Mn），铬（Cr），钠（Na）和镓（Ga）。

公开(公告)号：JP5842914B2

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：JP2013515079

申请日：2012-05-07

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 伊藤 和弘 ,  渡邉 俊成 ,  渡邉 暁 ,  宮川 直通

IPC: H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  C01F7/164 ,  C04B35/44 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/638 ,  C01P2006/40 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6587

公开(公告)号：JP2015124401A

公开(公告)日：2015-07-06

申请号：JP2013268346

申请日：2013-12-26

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 光井 彰 ,  渡邉 俊成 ,  伊藤 和弘 ,  渡邉 暁 ,  宮川 直通

IPC: C01F7/16 ,  H01B13/00 ,  H01B5/14 ,  C23C14/08

Abstract: 【課題】非晶質酸化物のエレクトライドの薄膜を容易に製造する方法を提供する。 【解決手段】結晶質C12A7エレクトライドを含むターゲットを用いて、低酸素分圧の雰囲気下で、スパッタリング法により、基板上に成膜を行うことにより、カルシウム原子およびアルミニウム原子を含む非晶質酸化物のエレクトライドの薄膜を形成することを特徴とする薄膜の製造方法。 【選択図】図2

Abstract translation: 要解决的问题：提供容易制造无定形氧化物电极薄膜的方法。解决方案：在薄膜的制造方法中，含有钙原子和铝原子的无定形氧化物的电极的薄膜 通过使用包含结晶C12A7电极的靶在低氧分压的气氛下通过溅射法在基板上沉积而形成。

公开(公告)号：JP6237221B2

公开(公告)日：2017-11-29

申请号：JP2013268346

申请日：2013-12-26

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 光井 彰 ,  渡邉 俊成 ,  伊藤 和弘 ,  渡邉 暁 ,  宮川 直通

IPC: C01F7/16 ,  H01B13/00 ,  H01B5/14 ,  C23C14/08

公开(公告)号：JP6198276B2

公开(公告)日：2017-09-20

申请号：JP2014521490

申请日：2013-06-19

Applicant: 国立研究開発法人科学技術振興機構 ,  国立大学法人東京工業大学 ,  旭硝子株式会社

Inventor： 細野 秀雄 ,  戸田 喜丈 ,  林 克郎 ,  伊藤 節郎 ,  渡邉 暁 ,  宮川 直通 ,  渡邉 俊成 ,  伊藤 和弘

IPC: H05B33/26 ,  C23C14/08

CPC classification number: H01B1/08 ,  C04B35/44 ,  C04B35/62645 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/35 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/664 ,  H01L51/5221

公开(公告)号：JP2015076540A

公开(公告)日：2015-04-20

申请号：JP2013212569

申请日：2013-10-10

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 渡邉 俊成 ,  宮川 直通 ,  伊藤 和弘 ,  渡邉 暁 ,  光井 彰

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L51/05 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L21/316 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L21/28

Abstract: 【課題】従来に比べて、ソース電極、ドレイン電極と、半導体層との間における抵抗の低い半導体素子を提供する。 【解決手段】基板、第1の電極、第2の電極、第3の電極、および半導体層を有する半導体素子であって、前記基板の厚さ方向において、前記基板、前記第1の電極、前記第3の電極がこの順に配置される構造を含み、前記第1の電極と前記第3の電極との間に前記半導体層が存在し、前記第1の電極および前記第3の電極のいずれか一方または双方と前記半導体層との間に、カルシウム原子およびアルミニウム原子を含む非晶質酸化物のエレクトライドの薄膜により構成されるエレクトライド層が設けられている半導体素子により上記課題を解決する。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：与传统技术相比，提供一种在源极和漏极之间具有较低电阻的半导体元件和半导体层。解决方案：具有衬底，第一电极，第二电极，第三电极的半导体元件 和半导体层，包括基板，第一电极和第三电极在基板的厚度方向上依次配置的结构。 半导体层存在于第一电极和第三电极之间。 由第一电极和第三电极之间的任何一个或第二电极和半导体层设置由含有钙原子和铝原子的无定形氧化物电极的薄膜构成的电化学层。