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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2009130956A1
公开(公告)日：2009-10-29
申请号：PCT/JP2009/054942
申请日：2009-03-13
Inventor： 木下 健
IPC: G03F1/16 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: マスクパターン境界部での反射光のコントラストの低下、特にマスクパターン外縁の境界部での反射光のコントラストの低下が抑制されたＥＵＶマスク、および、該ＥＵＶマスクの製造に用いるＥＵＶマスクブランクを提供する。 基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層と、がこの順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、 前記基板上の少なくとも一部において、パターニング時に前記吸収体層が除去される部位と、前記吸収体層が除去される部位に隣接する、パターニング時に前記吸収体層が除去されない部位と、の間に段差が設けられていることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
Abstract translation: 提供了一种EUV掩模，其中掩模图案边界部分处的反射光的对比度的劣化，特别是掩模图案外周边界部分处的反射光的对比度的劣化被抑制。 还提供了用于制造EUV掩模的EUV掩模空白。 在用于EUV光刻的反射掩模板中，用于反射EUV光的反射层和用于吸收EUV光的吸收层依次形成在基板上。 至少在衬底的一部分上，在衬底被图案化之后，在吸收层被除去的部分和与这些部分相邻并且具有吸收层的部分之间布置有台阶 当衬底被图案化时被去除。
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3.发明专利
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公开(公告)号：JP2015073013A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：JP2013207961
申请日：2013-10-03
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: G03F1/24 , G03F1/54 , C23C14/48 , H01L21/027
Abstract: 【課題】イオン注入法を用いて、EUVマスクブランクの吸収層のEUV光線反射率を調整する手順を含んだEUVマスクブランクの製造方法の提供。 【解決手段】基板上にEUV光を反射する反射層を形成し、前記反射層上にEUV光を吸収する吸収層を形成するEUVリソグラフィ(EUVL)用反射型マスクブランクの製造方法であって、前記吸収層が、スパッタリング法により形成したスパッタリング形成膜に、前記スパッタリング形成膜よりもEUV光に対する消衰係数が高い元素のイオンを注入して、イオン注入前のEUV光に対する吸収係数よりも、イオン注入後のEUV光に対する吸収係数を高くすることを特徴とするEUVL用反射型マスクブランクの製造方法。 【選択図】なし
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于制造EUV掩模坯料的方法，其包括用于通过使用离子注入法调节EUV掩模坯料的吸收体层的EUV光束反射率的步骤。解决方案：在制造 用于EUV光刻（EUVL）的反射掩模板，用于在基板上形成反射EUV光的反射层，以及形成用于吸收反射层上的EUV光的吸收层，吸收层使得离子后的EUV光的吸收系数 通过在通过溅射形成的溅射形成膜中通过注入具有高于溅射形成膜的EUV光的消光系数的元素的离子，离子注入之前的注入更高。
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