結晶質KLN膜の製造方法、半導体装置の製造方法、半導体装置
    1.
    发明申请
    結晶質KLN膜の製造方法、半導体装置の製造方法、半導体装置 审中-公开
    用于制造晶体KLN膜的方法,用于制造半导体器件的工艺和半导体器件

    公开(公告)号:WO2009072585A1

    公开(公告)日:2009-06-11

    申请号:PCT/JP2008/072099

    申请日:2008-12-04

    Abstract:  結晶質KLN膜を作製するための新規作製工程、および、プロセス安定化のための新規膜構成、ならびに圧電体薄膜として該結晶質KLN膜を用いた半導体装置の製造方法を提供する。  本発明の結晶質KLN膜の製造方法は、アモルファスのPotassium Litium Niobate(KLN)膜を成膜する工程と、成膜されたKLN膜上に、窒化アルミニウム(AlN)若しくは酸化珪素(SiO 2 )を含むバリア層を成膜する工程と、バリア層が成膜されたKLN膜をアニールする工程とを含むことを特徴とする。

    Abstract translation: 公开了一种用于生产结晶KLN膜的新型制备方法; 用于过程稳定的新型膜结构; 以及使用结晶KLN膜作为压电薄膜的半导体器件的制造方法。 制造结晶KLN膜的方法包括以下步骤:形成无定形的铌酸锂钾(KLN)膜; 在KLN膜上形成包含氮化铝(AIN)或氧化硅(SiO 2)的阻挡层; 并对其上形成有阻挡层的KLN膜进行退火。

    カバーガラス及びこれを有する携帯情報端末、並びにカバーガラスの製造方法
    3.
    发明专利
    カバーガラス及びこれを有する携帯情報端末、並びにカバーガラスの製造方法 审中-公开
    具有玻璃盖的外罩玻璃和相同的,和制造方法的便携式信息终端

    公开(公告)号:JP2017001902A

    公开(公告)日:2017-01-05

    申请号:JP2015115139

    申请日:2015-06-05

    Abstract: 【課題】薄肉部の反りを低減可能なカバーガラス、及びこれを有する携帯情報端末、並びにカバーガラスの製造方法を提供する。 【解決手段】カバーガラス1は、該カバーガラス1の表面3又は裏面5に少なくとも一つの凹部7が設けられることにより形成された少なくとも一つの薄肉部13と、薄肉部13に接続する厚肉部17と、を備える。薄肉部13の表面3及び裏面5のうち少なくとも一方には、10〜1000nmの膜21、22が形成される、 【選択図】図3

    Abstract translation: 薄的部分翘曲可以减小护罩玻璃,以及具有的便携式信息终端一样的,和用于制造护罩玻璃的方法。 盖玻璃1包括至少一个薄壁部13的至少一个凹部7通过被设置在表面3或盖玻璃1的背面5上形成的,在厚壁部被连接到所述薄部13 配备了17的。 上的至少一个表面3和背面的薄部分13的如图5所示,膜21和10的22〜1000nm的形成,装置技术

    積層体の製造方法および積層体
    4.
    发明专利
    積層体の製造方法および積層体 审中-公开
    生产层压板和层压板的方法

    公开(公告)号:JP2015166287A

    公开(公告)日:2015-09-24

    申请号:JP2012153497

    申请日:2012-07-09

    Abstract: 【課題】ルチル型酸化チタンから主としてなる酸化チタン層を有する積層体の製造方法であって、成膜時の温度および成膜後の熱処理温度を比較的低温にできる積層体の製造方法を提供する。 【解決手段】積層体の製造方法は、成膜工程と熱処理工程とを有する。成膜工程は、150℃以下の温度の透明基体上に、Ni、Fe、およびCuから選ばれる少なくとも1種の添加元素を1〜5原子%含むチタンターゲットを使用して、スパッタリング法により前駆体層を成膜する。熱処理工程は、前駆体層が形成された透明基体を550〜750℃の温度で熱処理して、ルチル型酸化チタンから主としてなる酸化チタン層を得る。 【選択図】なし

    Abstract translation: 要解决的问题:提供层压体的制造方法,其中层压体具有主要由金红石型二氧化钛组成的氧化钛层和膜沉积时的温度以及在膜之后进行热处理时的温度 可以使沉积物相对较低。解决方案:制备层压体的方法包括膜沉积步骤和热处理步骤。 在薄膜沉积步骤中,通过溅射法在150℃或更低的温度下在透明基板上沉积前体层,通过使用含有1-5原子%的至少一种选自Ni, Fe和Cu。 在热处理步骤中,将前体层沉积的透明基板在550-750℃的温度下进行热处理,得到主要由金红石型二氧化钛组成的氧化钛层。

    透光性基板の製造方法、透光性基板、および有機LED素子
    6.
    发明专利
    透光性基板の製造方法、透光性基板、および有機LED素子 审中-公开
    透明基板,透明基板和有机LED元件的制造方法

    公开(公告)号:JP2016048596A

    公开(公告)日:2016-04-07

    申请号:JP2013006102

    申请日:2013-01-17

    CPC classification number: H01L51/5215 H01L51/5268

    Abstract: 【課題】着色の発生が有意に抑制された透光性基板、およびその製造方法を提供する。 【解決手段】ガラス基板110と、ガラス基板110上に形成されたITO膜140とを有する透光性基板100であって、ガラス基板110は、Bi(ビスマス)、Ti(チタン)、およびSn(スズ)からなる群から選定された少なくとも一つの元素を含み、ITO膜140は、ガラス基板110に近い側の方が、ガラス基板から遠い側に比べて酸化の程度が高い状態となっている透光性基板。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种显着抑制着色的半透明基板和制造方法。解决方案:半透明基板100具有玻璃基板110和形成在玻璃基板110上的ITO膜140.玻璃基板110包括 选自Bi(铋),Ti(钛)和Sn(锡)中的一种化学元素中的至少一种,ITO膜140在靠近玻璃基板110的一侧的氧化水平高于ITO 薄膜在远离玻璃基板的一侧。选择图:图1

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