公开(公告)号：JP6671166B2

公开(公告)日：2020-03-25

申请号：JP2015244530

申请日：2015-12-15

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 宮原 準弥 ,  藤野 豊 ,  中村 源志 ,  白神 健太郎

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/316

公开(公告)号：JP6590716B2

公开(公告)日：2019-10-16

申请号：JP2016017680

申请日：2016-02-02

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 白神 健太郎 ,  秋山 浩二 ,  宮原 準弥 ,  藤野 豊

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L21/283 ,  H01L21/8238

公开(公告)号：JP6710089B2

公开(公告)日：2020-06-17

申请号：JP2016075061

申请日：2016-04-04

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 鈴木 健二 ,  堀田 隼史 ,  丸山 智久 ,  那須 勝行 ,  宮原 準弥 ,  前川 浩治

IPC: C23C16/14 ,  H01L21/288 ,  H01L21/285 ,  H01L21/28 ,  C23C16/02

公开(公告)号：JP2017139277A

公开(公告)日：2017-08-10

申请号：JP2016017680

申请日：2016-02-02

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 白神 健太郎 ,  秋山 浩二 ,  宮原 準弥 ,  藤野 豊

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/28 ,  H01L29/49 ,  H01L29/423 ,  H01L21/283 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L21/321 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

Abstract: 【課題】工程の増加を抑制しつつ困難性をともなうことなくMOSトランジスタの閾値制御を行う。 【解決手段】半導体基板の主面のMOSトランジスタのチャンネル領域に、ゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜の上に第1の電極層1形成し、第1の電極層の上に、仕事関数調整用金属を含む第2の電極層を形成し、その後、マイクロ波プラズマ処理装置による酸化処理または窒化処理により、仕事関数調整用金属を不活性化し、前記MOSトランジスタの閾値制御を行う。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2017186595A

公开(公告)日：2017-10-12

申请号：JP2016075061

申请日：2016-04-04

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 鈴木 健二 ,  堀田 隼史 ,  丸山 智久 ,  那須 勝行 ,  宮原 準弥 ,  前川 浩治

IPC: C23C16/14 ,  H01L21/288 ,  H01L21/285 ,  H01L21/28 ,  C23C16/02

CPC classification number: C23C16/08 ,  C23C16/14 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/52 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/76843

Abstract: 【課題】原料ガスとして塩化タングステンガスを用いて、下地膜のエッチングを抑制しつつタングステン膜を成膜することができるタングステン膜の成膜方法を提供する。 【解決手段】下地膜が形成された被処理基板に対してSiH 4 ガス処理を施す工程と、その後、塩化タングステンガスおよび還元ガスを、チャンバー内のパージを挟んでシーケンシャルに前記チャンバー内に供給して主タングステン膜を成膜するタングステン膜成膜工程とを有する。SiH 4 ガス処理の後に塩化タングステンガス処理を行ってもよく、また、タングステン膜成膜工程において、塩化タングステンガスを供給する際に、還元ガスの存在を抑制してもよい。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP2017112183A

公开(公告)日：2017-06-22

申请号：JP2015244530

申请日：2015-12-15

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 宮原 準弥 ,  藤野 豊 ,  中村 源志 ,  白神 健太郎

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02236 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/56 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32247 ,  H01J37/32256 ,  H01J37/32311 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/687 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32834 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02252

Abstract: 【課題】半導体基板に、界面準位密度が低減された良質で薄い酸化膜を有するとともに、等価換算膜厚(EOT)が小さな絶縁膜積層体を製造する方法を提供する。 【解決手段】絶縁膜積層体の製造方法は、Ge基板200等の半導体基板上に、第1の高誘電率膜201を形成する工程と、半導体基板をプラズマ処理装置1の処理容器2内でプラズマ処理し、半導体基板と第1の高誘電率膜201との界面に酸化膜を形成する工程と、第1の高誘電率膜201の上に、第2の高誘電率膜203を形成する工程と、を含む。プラズマ酸化処理は、複数のマイクロ波透過板から導入される複数のマイクロ波の合計パワーのパワー密度を、処理容器の内部空間に臨む天井部の面積と複数のマイクロ波透過板の面積との総和を基準にして0.035kW/m 2 以上3.5kW/m 2 以下の範囲内で、半導体基板が20℃以上145℃以下の範囲内となる処理温度で行う。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP5953057B2

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：JP2012023038

申请日：2012-02-06

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 塩澤 俊彦 ,  宮原 準弥 ,  藤野 豊

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32266 ,  H01J37/32311 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/463