公开(公告)号：JP2020047499A

公开(公告)日：2020-03-26

申请号：JP2018175634

申请日：2018-09-20

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 生田 浩之 ,  上田 博一 ,  藤野 豊

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

Abstract: 【課題】必要なプラズマ処理効果を維持しつつ、チャンバー壁部等へのプラズマダメージを低減することができるプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置を提供する。 【解決手段】プラズマ処理方法は、被処理基板をチャンバー内のマイクロ波プラズマ生成領域から離れた領域に配置することと、チャンバー内の圧力を1Torr以上にすることと、チャンバー内にマイクロ波プラズマ源からマイクロ波を導入するとともに、還元性ガスを含む処理ガスを導入してマイクロ波プラズマを生成し、マイクロ波プラズマ生成領域のマイクロ波プラズマから活性種を被処理基板側に拡散させることと、被処理基板に高周波電力を印加して被処理基板近傍にカソードカップリングプラズマを生成し、基板近傍のイオンを基板に引き込むこととを有する。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP6338462B2

公开(公告)日：2018-06-06

申请号：JP2014118531

申请日：2014-06-09

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 池田 太郎 ,  河西 繁 ,  原 恵美子 ,  藤野 豊 ,  長田 勇輝 ,  中込 淳 ,  小松 智仁

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/511 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/332 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

公开(公告)号：JP2016149486A

公开(公告)日：2016-08-18

申请号：JP2015026315

申请日：2015-02-13

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 河西 繁 ,  宮谷 光太郎 ,  黒鳥 託也 ,  小手 健一 ,  藤野 豊 ,  谷原 聡 ,  川村 剛平

IPC: C23C16/02 ,  C23C16/32 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L21/02345 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315

Abstract: 【課題】絶縁膜の剥離を抑制するとともに、水分除去時のスループットを向上することができる絶縁膜の成膜方法を提供する。 【解決手段】水素含有雰囲気において、水分12が付着し、第1のCF膜10に埋設された銅配線11へマイクロ波15が照射され、該マイクロ波15が照射された銅配線11の上にオクタフルオロシクロペンテンガスを用いたプラズマCVDによって第2のCF膜16が形成される。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供能够抑制绝缘膜的剥离并且在除去水分时提高生产量的绝缘膜形成方法。解决方案：在含氢气氛下，粘附水分12，将微波15照射到铜布线11 ，嵌入第一CF膜10中，在铜布线11上形成第二CF膜16，利用八氟环戊烯气体通过等离子体CVD照射微波15。图1

公开(公告)号：JP2020017606A

公开(公告)日：2020-01-30

申请号：JP2018139051

申请日：2018-07-25

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 藤野 豊

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/42 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46 ,  H01L21/31

Abstract: 【課題】エッチングパターンがより微細化しても、エッチングの際のwigglingの発生を有効に抑制することができるハードマスク用膜を形成する方法および装置、ならびに半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】ハードマスク用膜を形成する方法は、基体上にエッチング対象膜が形成された基板を準備する工程と、基板上に、ハードマスク用膜を、初期の膜ストレスが引張りストレスとなり、かつ引張りストレスが当該膜の底面から上面にかけて単調増加するように、成膜パラメータを制御しつつ成膜する工程とを有する。 【選択図】 図5

公开(公告)号：JP2018182259A

公开(公告)日：2018-11-15

申请号：JP2017084680

申请日：2017-04-21

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 藤野 豊 ,  尾▲崎▼ 成則 ,  中西 敏雄

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46 ,  H01L21/683 ,  H01L21/31

Abstract: 【課題】専有面積の増大を抑えつつ、複数枚の被処理基板に対するプラズマ処理を実施することが可能なプラズマ処理装置などを提供する。 【解決手段】円形の被処理基板Wに対してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置1は、処理容器10内に第1、第2の載置台21と、ガス供給部15から供給された処理ガスをプラズマ化するエネルギーの供給を行う複数のエネルギー供給窓73とを備える。これらのエネルギー供給窓73は、第1、第2の載置台3に載置された各被処理基板Wに対向する多角形の各頂点に設けられ、双方の多角形の一辺が共通化された配置となっている。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP2017139277A

公开(公告)日：2017-08-10

申请号：JP2016017680

申请日：2016-02-02

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 白神 健太郎 ,  秋山 浩二 ,  宮原 準弥 ,  藤野 豊

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/28 ,  H01L29/49 ,  H01L29/423 ,  H01L21/283 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L21/321 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

Abstract: 【課題】工程の増加を抑制しつつ困難性をともなうことなくMOSトランジスタの閾値制御を行う。 【解決手段】半導体基板の主面のMOSトランジスタのチャンネル領域に、ゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜の上に第1の電極層1形成し、第1の電極層の上に、仕事関数調整用金属を含む第2の電極層を形成し、その後、マイクロ波プラズマ処理装置による酸化処理または窒化処理により、仕事関数調整用金属を不活性化し、前記MOSトランジスタの閾値制御を行う。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6010406B2

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：JP2012204568

申请日：2012-09-18

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 池田 太郎 ,  宮下 大幸 ,  長田 勇輝 ,  藤野 豊 ,  小松 智仁

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32266 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32229 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H05H2001/4615 ,  H05H2001/4622 ,  H05H2001/463

公开(公告)号：JP2015198097A

公开(公告)日：2015-11-09

申请号：JP2014073450

申请日：2014-03-31

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 藤野 豊

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/458 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/6719 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67167

Abstract: 【課題】複数の基板に所定の処理を施す基板処理システムにおいて、処理チャンバで処理するウェハWの枚数の増加に伴う、処理チャンバの容積の増加を最小限にする。 【解決手段】複数のウェハWに対して処理を施すウェハ処理システム1であって、複数枚の基板を収容して所定の処理を施す円環状の処理チャンバ20と、複数枚のウェハWを収容するカセットCを載置するカセット載置部10と、処理チャンバ20とカセット載置部10との間で基板を搬送するウェハ搬送機構40と、を有し、処理チャンバ20内には、複数のウェハWが平面視において同心円状に配置される。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于对多个基板进行预定处理的基板处理系统，其中随着处理室中要处理的晶片W的数量的增加，处理室的体积增加是 最小化。解决方案：用于对多个晶片W进行处理的晶片处理系统1包括：环形处理室20，其容纳经受其中预定处理的多个基板; 盒放置单元10，其上放置有用于容纳多个晶片W的盒C; 以及用于在处理室20和盒放置单元10之间输送基板的晶片传送机构40.在处理室20中，多个晶片W在平面图中同心地设置。

公开(公告)号：JP6796450B2

公开(公告)日：2020-12-09

申请号：JP2016208443

申请日：2016-10-25

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 小松 智仁 ,  尾▲崎▼ 成則 ,  藤野 豊 ,  中込 淳

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46 ,  H01L21/31

公开(公告)号：JP6671230B2

公开(公告)日：2020-03-25

申请号：JP2016088185

申请日：2016-04-26

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 藤野 豊 ,  小松 智仁 ,  池田 太郎 ,  中込 淳 ,  和久津 岳生

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/511 ,  C23C16/42 ,  C23C16/455 ,  H05H1/46