公开(公告)号：JP2021134127A

公开(公告)日：2021-09-13

申请号：JP2020033032

申请日：2020-02-28

Applicant: 株式会社ダイセル

Inventor： 劉 明 ,  西川 正浩 ,  稻本 佳寛 ,  岸本 真紀

IPC: C01B32/15 ,  C06B45/00 ,  C01B32/26

Abstract: 【課題】爆轟法で得られ、かつ、NVセンターに由来するZPL(Zero Phonon Level)の2つの鋭いピークを有する蛍光ナノダイヤモンドの製造方法を提供する。 【解決手段】以下の工程1〜4を含み、蛍光発光波長スペクトルがNV 0 及び/又はNV − のゼロフォノン線(ZPL)を示す蛍光ナノダイヤモンドの製造方法:工程1:少なくとも1種の爆薬を爆発させてナノダイヤモンド原料を得る爆轟工程、工程2:前記ナノダイヤモンド原料或いは前記ナノダイヤモンド原料を強酸処理、オゾン処理又は気相酸化によりsp2炭素を除去したナノダイヤモンドを1000℃〜1600℃でアニーリングする第1アニーリング工程、工程3:第1アニーリング工程後、イオンビーム又は電子ビームを照射する空孔形成工程、工程4:空孔形成後、600℃〜900℃でアニーリングしてNVセンターを形成する第2アニーリング工程。 【選択図】図1