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公开(公告)号：JP2015076549A
公开(公告)日：2015-04-20
申请号：JP2013212783
申请日：2013-10-10
Applicant: 株式会社デンソー
Inventor： 浅井 信哉
Abstract: 【課題】活性層にチッピングが発生することを抑制することが可能なSOI構造を有する半導体基板およびその製造方法を提供する。 【解決手段】活性層3のうち側面3cと表面3aとの成す角度が鈍角となるようにする。これにより、活性層3の側面3cが表面3aに対して垂直になったり、活性層3の外縁部が尖ったナイフエッジ状にならない。このため、活性層3の外縁部においてチッピングが発生することを抑制することが可能となる。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种具有SOI结构的半导体衬底，其能够抑制有源层中的切屑的产生; 并提供半导体衬底的制造方法。解决方案：在半导体衬底中，形成有源层3，使得在侧面3c和表面3a之间形成的角度为钝角。 通过这样做，侧面3c不会变得垂直于有源层3的表面3a，或者有源层3的外边缘不会形成锐利的刀刃形状。 结果，可以抑制在有源层3的外边缘产生碎裂。
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3.发明专利
公开(公告)号：JP2015191917A
公开(公告)日：2015-11-02
申请号：JP2014065941
申请日：2014-03-27
Applicant: 株式会社デンソー
Abstract: 【課題】熱酸化膜と第2基板との接合性を向上する。 【解決手段】窪み部11が形成された第1基板10に熱酸化膜20を形成する工程の後、第1基板10の一面10aのうちの窪み部の開口部における周辺部を境界領域12aとし、境界領域12aより面積が大きく、境界領域12aを取り囲む領域を周辺領域12bとしたとき、熱酸化膜20のうちの境界領域12aに形成された部分の厚さを周辺領域12bに形成された部分の厚さ以下にする熱酸化膜調整工程を行う。そして、熱酸化膜20のうちの周辺領域12aに形成された部分と第2基板30とを接合する。 【選択図】図4
Abstract translation: 要解决的问题：提高热氧化膜和第二基板的粘合性。解决方案：在形成有凹痕11的第一基板10上形成热氧化膜20的步骤之后，热氧化膜调节步骤 其中，如果将第一基板10的面10a中的凹陷部分的开口的周边部分定义为边界区域12a，并且大于边界区域12a并且围绕边界区域12a的区域是 定义为周边区域12b时，形成在热氧化膜20的边界区域12a中的部分的厚度小于形成在周边区域12b中的部分的厚度。 然后，形成在热氧化膜20的周边区域12a中的部分被接合到第二基板30。
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