-
-
公开(公告)号：JP2018166175A
公开(公告)日：2018-10-25
申请号：JP2017063623
申请日：2017-03-28
Applicant: 株式会社デンソー
IPC: B81C1/00 , H01L29/84 , H01L21/3065
Abstract: 【課題】トレンチの側面が荒れることを抑制する。 【解決手段】支持基板10と、支持基板10上に配置された絶縁膜11と、を有する第1基板12と、第1基板12における絶縁膜11上に配置された第2基板13と、を有し、第1基板12のうちの第2基板13側に窪み部17が形成された半導体基板14を用意する。そして、第2基板13に窪み部17に達するトレンチ16を形成する。この際、対向する側面のうちの一方の側面が絶縁膜11を介して支持基板10に支持された領域の側面で構成されると共に、対向する側面のうちの他方の側面が窪み部17上に浮遊している領域の側面で構成されるトレンチ16を形成し、かつトレンチ16を形成することの前、またはトレンチ16を形成することと同時に、トレンチ16の一方の側面となる絶縁膜11を介して支持基板10に支持された領域の側面から第2基板13の平面方向に熱が伝達されることを抑制する熱分離用トレンチ51を形成する。 【選択図】図7
-
公开(公告)号：JP2018004447A
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：JP2016131708
申请日：2016-07-01
Applicant: 株式会社デンソー
IPC: G01P15/08 , H01L29/84 , B81B3/00 , G01P15/125
Abstract: 【課題】キャビティ内に物理量に応じたセンサ信号を出力するセンシング部が備えられた半導体装置において、基板の歪みによるノイズを抑制できる半導体装置を提供する。 【解決手段】この半導体装置は、第1面を有する支持基板と、第2面を有し、第2面が第1面に対向する状態で支持基板に接合されるキャップ基板と、を備える。支持基板とキャップ基板との間に気密性のキャビティが形成され、キャビティ内における第2面に固定された固定電極と、キャビティ内において固定電極に対向して形成されることにより静電容量を成し、静電容量の変化に応じたセンサ信号を出力するセンシング部と、を備える。そして、支持基板を貫通して形成され、キャビティの内外を互いに電気的に接続する貫通電極を備える。 【選択図】図1
-
4.发明专利
公开(公告)号：JP2015191917A
公开(公告)日：2015-11-02
申请号：JP2014065941
申请日：2014-03-27
Applicant: 株式会社デンソー
Abstract: 【課題】熱酸化膜と第2基板との接合性を向上する。 【解決手段】窪み部11が形成された第1基板10に熱酸化膜20を形成する工程の後、第1基板10の一面10aのうちの窪み部の開口部における周辺部を境界領域12aとし、境界領域12aより面積が大きく、境界領域12aを取り囲む領域を周辺領域12bとしたとき、熱酸化膜20のうちの境界領域12aに形成された部分の厚さを周辺領域12bに形成された部分の厚さ以下にする熱酸化膜調整工程を行う。そして、熱酸化膜20のうちの周辺領域12aに形成された部分と第2基板30とを接合する。 【選択図】図4
Abstract translation: 要解决的问题：提高热氧化膜和第二基板的粘合性。解决方案：在形成有凹痕11的第一基板10上形成热氧化膜20的步骤之后，热氧化膜调节步骤 其中，如果将第一基板10的面10a中的凹陷部分的开口的周边部分定义为边界区域12a，并且大于边界区域12a并且围绕边界区域12a的区域是 定义为周边区域12b时，形成在热氧化膜20的边界区域12a中的部分的厚度小于形成在周边区域12b中的部分的厚度。 然后，形成在热氧化膜20的周边区域12a中的部分被接合到第二基板30。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.029 seconds)
