放電電極
    2.
    发明专利
    放電電極 审中-公开

    公开(公告)号:JP2018200877A

    公开(公告)日:2018-12-20

    申请号:JP2018133732

    申请日:2018-07-13

    Inventor: 楠原 昌樹

    Abstract: 【課題】アッシングやプラズマクリーニングに用いられるオゾンの発生には、従来、減圧チャンバーにおけるプラズマ発生が用いられていた。しかし、減圧プロセスは、設備コストやプロセスコストが高いため、オゾン発生のコストを低減するのが困難であった。 【解決手段】誘電体部材を介して電界又は磁界を印加しプラズマを発生させるプラズマヘッド単位部材を複数並列に並べたプラズマヘッドにより、誘電体バリア放電による大気圧プラズマCVDでオゾンの発生を行うことにした。誘電体放電により大気圧でも安定したグロー放電プラズマを形成することができ、大気圧でのオゾン発生が可能になり、例えば、低コストの半導体装置の製造が可能になった。 【選択図】 図1

    オゾン発生装置、及び、オゾン発生方法

    公开(公告)号:JP2017141159A

    公开(公告)日:2017-08-17

    申请号:JP2017079313

    申请日:2017-04-12

    Inventor: 楠原 昌樹

    Abstract: 【課題】アッシングやプラズマクリーニングに用いられるオゾンの発生には、従来、減圧チャンバーにおけるプラズマ発生が用いられていた。しかし、減圧プロセスは、設備コストやプロセスコストが高いため、オゾン発生のコストを低減するのが困難であった。 【解決手段】誘電体部材を介して電界又は磁界を印加しプラズマを発生させるプラズマヘッド単位部材を複数並列に並べたプラズマヘッドにより、誘電体バリア放電による大気圧プラズマCVDでオゾンの発生を行うことにした。誘電体放電により大気圧でも安定したグロー放電プラズマを形成することができ、大気圧でのオゾン発生が可能になり、例えば、低コストの半導体装置の製造が可能になった。 【選択図】 図1

    CVD装置、及び、CVD膜の製造方法
    5.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2017112366A

    公开(公告)日:2017-06-22

    申请号:JP2016235463

    申请日:2016-12-02

    Inventor: 楠原 昌樹

    Abstract: 【課題】低コストで太陽電池を製造できる、大気圧下で窒化膜の成膜が可能なCVD装置を提供する。 【解決手段】流路板201、202を所定枚数積み重ねて構成され、流路板のガス出口側端面に、中空部を有するセラミック部材203、204の中空部内に電極線205、206が非接触状態で配置されてなる放電電極が設けられる、プラズマヘッド単位部材を有する。セラミック部材を介して電界又は磁界を印加しプラズマを発生させるプラズマヘッド単位部材を複数並列に並べたプラズマヘッドにより、誘電体バリア放電による大気圧プラズマCVDで窒化膜を形成する。誘電体バリア放電により大気圧でも安定したグロー放電プラズマを形成することができ、隣接するプラズマ吹出し口から異なるガスのプラズマを発生、反応させることにより、大気圧での窒化膜形成が可能になり、低コストの太陽電池製造が実現可能になった。 【選択図】図1

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