公开(公告)号：JP2016103540A

公开(公告)日：2016-06-02

申请号：JP2014240327

申请日：2014-11-27

Applicant: 株式会社村田製作所

Inventor： 佐々木 健次 ,  黒谷 欣吾 ,  北原 崇

IPC: H01L29/737 ,  H01L21/8222 ,  H01L27/06 ,  H01L21/60 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7371 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/535 ,  H01L24/13 ,  H01L27/0823 ,  H01L29/40 ,  H03F3/19 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/1302 ,  H01L2224/16227 ,  H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L2924/13051 ,  H03F2200/408 ,  H03F2200/451

Abstract: 【課題】複数の単位トランジスタにより構成されるHBTを含む化合物半導体装置において、熱抵抗を低減させる。 【解決手段】複数の単位トランジスタを含むヘテロ接合バイポーラトランジスタと、複数の単位トランジスタのエミッタと電気的に接続されたバンプと、を備える化合物半導体装置であって、複数の単位トランジスタが、第1の方向に配列され、バンプが、複数の単位トランジスタのエミッタ上に、第1の方向に延伸して配置され、複数の単位トランジスタのうちの少なくとも1つの単位トランジスタのエミッタが、バンプの第1の方向における中心線から、第1の方向と垂直な第2の方向における一方の側に偏位して配置され、複数の単位トランジスタのうちの他の少なくとも1つの単位トランジスタのエミッタが、バンプの第1の方向における中心線から、第2の方向における他方の側に偏位して配置される。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：降低包括由多个单位晶体管构成的HBT的化合物半导体器件的耐热性。解决方案：一种化合物半导体器件包括：包括多个单位晶体管的异质结双极晶体管; 以及与所述多个单位晶体管的发射极电连接的凸块。 所述多个单位晶体管沿第一方向排列，并且所述凸块布置在所述多个单位晶体管的发射极上，以沿所述第一方向延伸。 所述多个单位晶体管中的至少一个单位晶体管的发射极被布置成沿着所述凸块的所述第一方向从所述中心线偏离到与所述第一方向垂直的第二方向的一侧。 所述多个单位晶体管中的至少另一单位晶体管的发射极从所述凸块的所述第一方向的中心线排列到所述第二方向的另一侧。图1

公开(公告)号：JP6071009B2

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：JP2014240327

申请日：2014-11-27

Applicant: 株式会社村田製作所

Inventor： 佐々木 健次 ,  黒谷 欣吾 ,  北原 崇

IPC: H01L29/737 ,  H01L21/8222 ,  H01L27/06 ,  H01L21/60 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7371 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/535 ,  H01L24/13 ,  H01L27/0823 ,  H01L29/40 ,  H03F3/19 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/1302 ,  H01L2224/16227 ,  H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L2924/13051 ,  H03F2200/408 ,  H03F2200/451