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    MEMS製造方法
    3.
    发明专利
    MEMS製造方法 审中-公开
    MEMS制造方法

    公开(公告)号：JP2017005459A

    公开(公告)日：2017-01-05

    申请号：JP2015116696

    申请日：2015-06-09

    Applicant: 株式会社村田製作所

    Inventor： 山田 宏 ,  梅田 圭一 ,  中村 吉成 ,  丹羽 亮介

    IPC: B81C1/00 ,  H03H9/24 ,  G01C19/5769 ,  H01L41/332 ,  H03H3/007

    Abstract: 【課題】下面にキャビティが形成されたシリコン基板であっても、シリコン基板をたわませることなく、当該シリコン基板の表面を平坦にすることを可能にする。 【解決手段】下側基板の表面と上側基板と裏面とが外周部で接合して形成され、外周部の内側に空洞を有するシリコン基板を用意する工程と、上側基板の表面における、空洞に重なる領域に、第1金属層を形成する工程と、第1金属層の少なくとも一部除去して第1電極を成形する工程と、第1電極の上に、絶縁層を形成する工程と、絶縁層の上にレジスト材料からなる犠牲膜を形成する工程と、第1電極が露出するまで、犠牲膜及び絶縁膜に対してエッチバック処理を行う工程と、を含む。 【選択図】図3A

    Abstract translation: A为具有形成在下表面上的空腔的硅衬底，而不会偏转硅衬底使得能够平坦化硅衬底的表面上。 的前表面和所述下基板和所述后表面的上板基板是通过将外周部分，制备具有在所述外周部，在上板基板的表面的内侧的空腔的硅衬底的步骤，重叠的空腔形成 在该区域，形成第一金属层，形成第一电极和至少部分地在所述第一金属层中除去，在所述第一电极的工序，形成绝缘层，绝缘层 过去，形成由抗蚀剂材料制成的牺牲层，直到第一电极暴露，以及执行回蚀工艺以在牺牲层和绝缘膜。 点域3A

    共振装置及びその製造方法
    5.
    发明专利
    共振装置及びその製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2017090380A1

    公开(公告)日：2018-08-16

    申请号：JP2016082310

    申请日：2016-10-31

    Applicant: 株式会社村田製作所

    Inventor： 梅田 圭一 ,  岸 武彦 ,  山田 宏 ,  福光 政和

    IPC: H03H9/24

    CPC classification number: H03H3/0072 ,  H03H3/0077 ,  H03H3/04 ,  H03H9/0561 ,  H03H9/0595 ,  H03H9/1057 ,  H03H9/2489 ,  H03H2003/0435

    Abstract: パッケージ化された共振装置において、共振周波数の調整を行う。 縮退していないシリコンから成る下蓋と、縮退したシリコンから成り、下蓋 と対向する下面を有する基板と、当該基板に積層された第1電極層及び第2電極層と、第1電極層及び第2電極層の間に形成され、第1電極層を介して基板の上面と対向する面を有する圧電膜と、を有する共振子と、共振子を間に挟んで下蓋と対向する上蓋とを備え、基板の下面は、当該基板の下面における他の領域よりも表面に形成されている凹凸の深さないし高さが大きい領域、又は凹凸が占める面積が大きい領域である調整部を有する。

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