セラミック基板及び電子部品内蔵モジュール

    公开(公告)号:JPWO2018037842A1

    公开(公告)日:2019-06-20

    申请号:JP2017027723

    申请日:2017-07-31

    Abstract: 本発明のセラミック基板は、表面にセラミック層を有するセラミック素体と、上記セラミック素体の一方主面に設けられた表面電極とを備えるセラミック基板であって、上記表面電極と上記セラミック層との間に、上記セラミック層の焼成温度よりも高い融点を有する絶縁性の酸化物からなる酸化物層が設けられているとともに、上記表面電極が設けられていない上記セラミック層上にも上記酸化物層が設けられており、上記表面電極が設けられていない上記セラミック層上の上記酸化物層の表面が粗面であることを特徴とする。

    噴射加工装置および被加工物の表面加工方法

    公开(公告)号:JPWO2017002538A1

    公开(公告)日:2018-03-15

    申请号:JP2017526247

    申请日:2016-06-04

    Inventor: 浅井 良太

    CPC classification number: B08B3/02 B08B5/00 B24C3/12 B24C9/00 H05K3/26

    Abstract: 被加工物の破損が抑制された噴射加工装置を提供する。被加工物1の表面に加工媒体3を噴射する際に、被加工物1を、ノズル4と反対側から、被加工物1の搬送方向に回転しながら支持する回転式支持材5を備え、回転式支持材5は、第1回転式支持材6と第2回転式支持材7とが組み合わされて構成され、第1回転式支持材6は第1回転体(ローラー6a)を備え、第2回転式支持材7は第2回転体(ベルト7a)を備え、さらに所定の領域に加工媒体3を排出可能な排出口8を備えるようにした。

    積層型電子部品および積層型電子部品モジュール

    公开(公告)号:JPWO2018181077A1

    公开(公告)日:2020-02-06

    申请号:JP2018011950

    申请日:2018-03-25

    Abstract: 高い接着強度で一体化され、かつ、低誘電率絶縁体層の上下両側に形成された電極同士の間に発生するクロストークが抑制された積層型電子部品を提供する。 積層された複数の絶縁体層を備え、絶縁体層の少なくとも1層は低誘電率絶縁体層であり、低誘電率絶縁体層は、その低誘電率絶縁体層よりも比誘電率の高い接着剤によって、積層方向に隣接する他の低誘電率絶縁体層と、または、積層方向に隣接するその低誘電率絶縁体層よりも比誘電率の高い高誘電率絶縁体層と接合され、接合された低誘電率絶縁体層同士の間、または、接合された低誘電率絶縁体層と高誘電率絶縁体層との間に電極が形成されたものとする。

    レーザ加工方法および積層型電子部品の製造方法

    公开(公告)号:JP2018094611A

    公开(公告)日:2018-06-21

    申请号:JP2016243800

    申请日:2016-12-15

    Abstract: 【課題】レーザ照射領域に2以上の基板を配置して穴加工する場合に、基板に形成される穴の位置精度を向上する。 【解決手段】複数の基板11〜46に個片化される前の基板(親基板)MBに、レーザ加工機50を用いてレーザ光LBを走査しながら照射し、複数の穴1〜6を形成するレーザ加工方法であって、平面視で、レーザ光LBを照射する領域であるレーザ照射領域GAと複数の基板11〜46のうちの基板11、12、21、22とが重なるようにかつ基板11〜22に設ける全ての穴の位置座標p1〜p6がレーザ照射領域GAに含まれるように、レーザ照射領域GAに親基板MBを配置する基板配置工程S21と、基板配置工程S21の後に、レーザ光LBを走査しながら基板11〜22に照射して、基板11〜22に複数の穴1〜6を形成する穴形成工程S22とを含む。 【選択図】図3A

    配線基板および電子モジュール
    9.
    发明专利

    公开(公告)号:JPWO2018181076A1

    公开(公告)日:2020-01-23

    申请号:JP2018011943

    申请日:2018-03-24

    Abstract: 配線基板にうねりが発生した際における、第1電極と第2電極との間に発生する浮遊容量の変動が抑制された配線基板を提供する。 複数の絶縁体層1a〜1fが積層され、同一の層間に間隔を開けて第1電極3と第2電極4とが形成され、第1電極3の厚みは、第2電極4の厚みよりも大きく、絶縁体層1a〜1fの積層方向に対して垂直な方向から透視したとき、第1電極3の下側主面は第2電極4の下側主面よりも低く、第1電極3の上側主面は第2電極4の上側主面よりも高くなるようにする。

    セラミック多層基板の製造方法
    10.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2018026433A

    公开(公告)日:2018-02-15

    申请号:JP2016156727

    申请日:2016-08-09

    Inventor: 浅井 良太

    Abstract: 【課題】収縮抑制用セラミックグリーンシートを用いて材料設計の自由度が高いセラミック多層基板の製造方法を提供する。 【解決手段】複数の基板用セラミックグリーンシート11が積層された未焼成のセラミック積層体と、未焼成のセラミック積層体10の少なくとも一方主面に配置され、未焼成のセラミック積層体10が焼結する温度では実質的に焼結しない収縮抑制用セラミックグリーンシート20と、からなる複合積層体1を準備する工程と、未焼成のセラミック積層体10が焼結する温度で焼成する焼成工程と、複合積層体1の主面上の上記収縮抑制用セラミックグリーンシート20に、固形物、液状物及び圧縮ガスを吹き付けることにより、セラミック積層体10との界面に形成された反応層21を残すとともに、ガラス成分と反応していない非焼結層を除去する第1除去工程と、反応層21を除去する第2除去工程と、を備える。 【選択図】図1

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