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公开(公告)号：JPWO2020137648A1
公开(公告)日：2021-10-21
申请号：JP2019049120
申请日：2019-12-16
Applicant: 株式会社SUMCO
Abstract: 【課題】酸素濃度が低いシリコン単結晶の製造歩留まりを高めることが可能な石英ガラスルツボを提供する。 【解決手段】円筒状の側壁部10aと、底部10bと、側壁部10aと底部10bとをつなぐコーナー部10cとを有する石英ガラスルツボ1であって、気泡を含まない石英ガラスからなる透明層11と、透明層11の外側に形成され、多数の気泡を含む石英ガラスからなる気泡層12と、気泡層12の外側に形成され、原料シリカ粉が半溶融状態で固化した半溶融層13とを備えている。半溶融層13を除いた状態でのコーナー部10cの赤外線透過率は25〜51%であり、半溶融層13を除いた状態でのコーナー部10cの赤外線透過率は側壁部10aの赤外線透過率よりも低く、半溶融層13を除いた状態での側壁部10aの赤外線透過率は底部10bの赤外線透過率よりも低い。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2020100515A
公开(公告)日：2020-07-02
申请号：JP2018237641
申请日：2018-12-19
Applicant: 株式会社SUMCO
Abstract: 【課題】シリコン単結晶中の転位発生を防止しながら低酸素の単結晶を製造することが可能な石英ガラスルツボを提供する。 【解決手段】石英ガラスルツボ1は、気泡を含有する合成石英溶融ガラスからなり、石英ガラスルツボ1の内面を構成するシール層11と、気泡を含有しない合成石英溶融ガラスからなり、シール層11の外側に形成された合成透明層12と、気泡を含有しない天然石英溶融ガラスからなり、合成透明層12の外側に形成された天然透明層13と、気泡を含有する天然石英溶融ガラスからなり、天然透明層13の外側に形成された天然気泡層14とを備え、シール層11の気泡含有率は合成透明層12よりも高い。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2020023411A
公开(公告)日：2020-02-13
申请号：JP2018148114
申请日：2018-08-07
Applicant: 株式会社SUMCO
Abstract: 【課題】石英ガラスルツボの大型化によって生じる、直胴部の内側への倒れ込みや変形を防止することを可能とし、さらに、特性の異なる複数の層を有する石英ガラスルツボにおいて、それらの層が直接接する境界部において密度差によって生じる剥離を防止する石英ガラスルツボ、およびかかる石英ガラスルツボの製造方法の提供。 【解決手段】直胴部と底部を有するシリコン単結晶引上用石英ガラスルツボ8において、直胴部上部では密度が低く、底部では密度が高いことを特徴とするシリコン単結晶引上用石英ガラスルツボ8。直胴部と底部を有し、複数層からなるシリコン単結晶引上用石英ガラスルツボ8において、外層と内層とが接する境界部において、それぞれの層の密度差が0.0014g/cm 3 以下であることを特徴とするシリコン単結晶引上用石英ガラスルツボ8。 【選択図】図2
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公开(公告)号：JP2019119619A
公开(公告)日：2019-07-22
申请号：JP2017253107
申请日：2017-12-28
Applicant: 株式会社SUMCO
Abstract: 【課題】シリカガラスルツボのガラス構造を非破壊で測定して、シリコン単結晶の引き上げ時に転位の発生を抑制することができるシリカガラスルツボを高精度に見極めること。 【解決手段】本発明のシリカガラスルツボの評価方法は、測定対象となるシリカガラスルツボについてシリコン単結晶の引き上げを行う前のラマンスペクトルである使用前ラマンスペクトルを取得する工程と、シリカガラスルツボについてシリコン単結晶の引き上げを行った後のラマンスペクトルである使用後ラマンスペクトルを取得する工程と、使用前ラマンスペクトルから使用後ラマンスペクトルへの遷移に基づきシリカガラスルツボの評価を行う工程と、を備える。 【選択図】図12
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公开(公告)号：JP2019119617A
公开(公告)日：2019-07-22
申请号：JP2017253105
申请日：2017-12-28
Applicant: 株式会社SUMCO
Abstract: 【課題】シリカガラスルツボのガラス構造を非破壊で測定して、シリコン単結晶の引き上げ時に転位の発生を抑制することができるシリカガラスルツボを高精度に見極めること。 【解決手段】本発明のルツボ測定装置は、円筒状の側壁部と、湾曲した底部と、側壁部と底部との間に設けられ底部の曲率よりも高い曲率を有するコーナ部と、を備えるシリカガラスルツボを測定するルツボ測定装置であって、測定対象となるシリカガラスルツボの全体を覆うように設けられた遮光部と、遮光部内に設けられ、シリカガラスルツボに向けてレーザ光を出射する発光部と、遮光部内に設けられ、発光部から出射されたレーザ光のシリカガラスルツボでのラマン散乱光を受ける受光部と、受光部で受けたラマン散乱光からラマンスペクトルを得る演算部と、を備える。 【選択図】図5
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JPWO2017110966A1
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：JP2016088284
申请日：2016-12-22
Applicant: 株式会社SUMCO
Abstract: 変形前のシリカガラスルツボを調査して原因を特定することが出来ない、という問題を解決すること。 シリカガラスルツボの内表面に向かってレーザー光を照射し、内表面反射光を検出する内部反射光検出手段と、検出結果に基づいて内表面距離を算出する内部距離算出手段と、内表面距離と当該内表面距離の算出元となる内表面反射光を検出した際の内部反射光検出手段の位置を示す三次元座標とに基づいて内表面座標を算出する座標算出手段と、シリカガラスルツボの内表面の画像データを取得する内表面画像データ取得手段と、内表面画像データ取得手段が取得した画像データと当該画像データの撮影箇所を示す内表面座標とを対応付けた情報をシリカガラスルツボごとのルツボデータ情報として記憶するルツボデータ情報記憶手段と、を有する。
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公开(公告)号：JP2017202974A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：JP2017123012
申请日：2017-06-23
Applicant: 株式会社SUMCO
CPC classification number: G01N21/23 , C03C3/04 , C30B15/10 , C30B29/06 , G01L1/24 , G01L5/0047 , H04N5/232 , G01N2201/062 , G01N2201/0683
Abstract: 【課題】石英ガラスルツボ全体の歪み分布を非破壊で測定すること。 【解決手段】歪み測定装置は、石英ガラスルツボ1にその外側から投光する光源11と、光源11と石英ガラスルツボ1の壁体の外表面との間に配置された第1の偏光板12及び第1の1/4波長板13と、石英ガラスルツボ1の内側に配置されたカメラ14と、カメラ14の撮影方向を制御するカメラ制御機構15と、カメラ14と石英ガラスルツボ1の壁体の内表面との間に配置された第2の偏光板16及び第2の1/4波長板17とを備える。第2の1/4波長板17の光学軸は第1の1/4波長板13の光学軸に対して90度傾けられている。カメラ14は、光源11から投光され、第1の偏光板12、第1の1/4波長板13、石英ガラスルツボ1の壁体、第2の1/4波長板17及び第2の偏光板16を通過した光を撮影する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2017001951A
公开(公告)日：2017-01-05
申请号：JP2016199466
申请日：2016-10-07
Applicant: 株式会社SUMCO
IPC: C30B29/06
CPC classification number: Y02P40/57
Abstract: 【課題】長時間の高温条件下で使用しても、変形が抑制されるシリカガラスルツボを用いたシリコン単結晶の製造方法を提供すること。 【解決手段】本発明は、上端が開口し鉛直方向に延びる略円筒形の直胴部、湾曲した底部、及び前記直胴部と前記底部とを連結し且つ前記底部よりも曲率が大きいコーナー部を備えるシリカガラスルツボを用いたシリコン単結晶の製造方法であって、シリカガラスルツボは、内側に透明層、及びその外側に気泡層を備え、透明層の内表面側に圧縮応力が残留する圧縮応力層と、圧縮応力層と0.17MPa/mm以上、1.5MPa/mm以下の応力変化率で隣接している、引張応力が残留する引張応力層と、を備え、このシリカガラスルツボに多結晶シリコンを投入し、多結晶シリコンを熔融させ、多結晶シリコンの融液にシリコン種結晶の端部を浸けて回転させながら引き上げる、ことを特徴とする。 【選択図】図1
Abstract translation: 在长期高温条件A被使用，以用于使用所述石英玻璃坩埚变形被抑制的制造硅单晶的方法。 本发明涉及一种延伸到所述开口和垂直方向上，弯曲的底部部分，并且所述直体部以及连接所述底部部分和所述底部的曲率的大致圆筒状的上端的直体部分比部分大的角部 用于制造使用与石英玻璃坩埚的石英玻璃坩埚的硅单晶的方法是在内侧的透明层，并且包括在外侧的气泡层，压缩压缩应力残留在该透明层的内表面侧 和应力层，所述压缩应力层和0.17兆帕/ mm以上，在低于1.5兆帕/毫米的应力变化率相邻，具有拉伸应力层的拉伸应力残留，在二氧化硅玻璃坩埚的多晶硅 它被充电时，多晶硅熔化，同时拉与在多晶硅的熔融硅晶种，其特征在于的端部旋转。 1点域
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