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公开(公告)号：JP2021121411A
公开(公告)日：2021-08-26
申请号：JP2018078169
申请日：2018-04-16
Applicant: AGC株式会社 , AGCエスアイテック株式会社
IPC: B01J20/283 , B01J20/288 , C01B37/02 , C12N1/02 , B01J20/281
Abstract: 【課題】生体由来の微小物質、特には細胞外小胞を生理活性を失わない状態で効率よく回収することが可能なサイズ排除クロマトグラフィ担体、および該サイズ排除クロマトグラフィ担体の製造方法、並びに該サイズ排除クロマトグラフィ担体を用いた微小物質の回収方法の提供。 【解決手段】無機多孔質粒子と、前記無機多孔質粒子の表面に固定化された親水性有機物層と、を有するサイズ排除クロマトグラフィの担体であって、前記担体全量に対する前記親水性有機物層のカーボン量の割合が1.5質量%以上10質量%以下であるサイズ排除クロマトグラフィ担体、および、該サイズ排除クロマトグラフィ担体を用いて細胞培養上清または生体液から微小物質を回収する方法。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP6643320B2
公开(公告)日：2020-02-12
申请号：JP2017511068
申请日：2016-04-07
Applicant: AGCエスアイテック株式会社
IPC: B01J20/283 , B01J20/281 , C01B33/157
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公开(公告)号：JPWO2016163480A1
公开(公告)日：2018-02-08
申请号：JP2017511068
申请日：2016-04-07
Applicant: AGCエスアイテック株式会社
IPC: C01B33/157 , G01N30/88
CPC classification number: B01J39/17 , B01J39/04 , B01J39/18 , B01J39/26 , C01B33/18 , G01N30/482 , G01N30/88
Abstract: 耐アルカリ性が高い多孔質シリカ、およびこれを用いたクロマトグラフィ担体を提供する。リン酸化物成分とジルコニウム酸化物成分とを含む多孔質シリカであって、多孔質シリカの単位比表面積当たりのリン原子の量が1μmol/m2〜25μmol/m2であり、多孔質シリカの単位比表面積当たりのジルコニウム原子の量が1μmol/m2〜15μmol/m2である、多孔質シリカである。また、この多孔質シリカに固定されたリガンドを含む、クロマトグラフィ担体である。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP6023554B2
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：JP2012245991
申请日：2012-11-08
Applicant: AGCエスアイテック株式会社
IPC: C01B33/12
CPC classification number: C01B33/18 , C01P2004/20
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公开(公告)号：JP2018062440A
公开(公告)日：2018-04-19
申请号：JP2016201180
申请日：2016-10-12
Applicant: AGCエスアイテック株式会社
Abstract: 【課題】耐アルカリ性が高いジルコニア被覆多孔質シリカの製造方法を提供する。 【解決手段】無機オキソ酸及び/またはその塩と、ジルコニウム酸化物前駆体とを任意の順で、または同時に多孔質シリカに付着させ、次いで焼成する、ジルコニア被覆多孔質シリカの製造方法である。無機オキソ酸及び/またはその塩は、硫酸、炭酸、ホウ酸、及びこれらの塩からなる群から選択される1種以上を用いることができる。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP2018062439A
公开(公告)日：2018-04-19
申请号：JP2016201161
申请日：2016-10-12
Applicant: AGCエスアイテック株式会社
Abstract: 【課題】耐アルカリ性が高い多孔質シリカの製造方法を提供する。 【解決手段】下記(1)から(3)からなる群から選択される1種以上を多孔質シリカに付着させるジルコニウム処理工程、及びジルコニウム処理工程後に多孔質シリカを焼成する焼成工程を含む、ジルコニア被覆多孔質シリカの製造方法。 (1)ジルコニウム酸化物前駆体及び配位性有機化合物 (2)有機配位子を有するジルコニウム錯体 (3)有機配位子を有するジルコニウム錯体及び配位性有機化合物 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2018150226A
公开(公告)日：2018-09-27
申请号：JP2018034997
申请日：2018-02-28
Applicant: AGCエスアイテック株式会社
Abstract: 【課題】コアシェル型シリカにおいて、多孔質のシェル層の一層分の厚さを厚くして、シェル層全体の積層数を少なくする。 【解決手段】シリカ粒子の表面にスクシンイミド骨格を有する高分子化合物を反応させ、ポリアミン化合物を反応させ、カチオン性高分子化合物で修飾された修飾シリカを得て、該修飾シリカにシリカ原料を付着させ、カチオン性高分子化合物を除去し、シリカシェル層を得る、コアシェル型シリカの製造方法である。 【選択図】図2
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公开(公告)号：JP6002142B2
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：JP2013540854
申请日：2012-10-26
Applicant: AGCエスアイテック株式会社
IPC: G01N30/88 , C07K17/14 , B01J20/24 , C01B33/193
CPC classification number: B01J20/286 , B01D15/3809 , B01J20/103 , B01J20/28004 , B01J20/28019 , B01J20/28076 , B01J20/28085 , B01J20/3085 , B01J20/3204 , B01J20/3274 , C01B33/193 , C07K17/14 , C07K1/22
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