Abstract:
A process for removing a bulk material layer from a substrate and planarizing the exposed surface by CMP by (1 ) providing an CMP agent exhibiting at the end of the chemical mechanical polishing, without the addition of supplementary materials, the same SER as at its start and a lower MRR than at its start, - an SER which is lower than the initial SER and an MRR which is the same or essentially the same as the initial MRR or a lower SER and a lower MRR than at its start; (2) contacting the surface of the bulk material layer with the CMP agent; (3) the CMP of the bulk material layer with the CMP agent; and (4) continuing the CMP until all material residuals are removed from the exposed surface; and a CMP agent and their use for manufacturing electrical and optical devices.
Abstract:
Verfahren zur Herstellung von schlagzähmodifizierten Polyoxymethylenen, dadurch gekennzeichnet, dass man Monomere, die einen Acrylatkautschuk B) bilden in Anwesenheit eines Polyoxymethylenhomo- oder copolymerisates A) in situ polymerisiert.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Xerogel enthaltend - von 20 bis 90 Gew.-% einer Monomerkomponente (a1 ) bestehend aus mindestens einem mehrfunktionellen Isocyanat und - von 10 bis 80 Gew.-% einer Monomerkomponente (a2) bestehend aus mindestens einem mehrfunktionellen aliphatischen Amin, wobei die Summe der Gew.-% der Monomerkomponenten (a1 ) und (a2) 100 Gew.-% ergibt und wobei die Monomerkomponenten im Xerogel in polymerer Form vorliegen und der volumengewichtete mittlere Porendurchmesser des Xerogels höchstens 5 μm beträgt. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung von Xerogelen, die so erhältlichen Xerogele sowie die Verwendung der Xerogele als Dämmstoff und in Vakuumisolationspaneelen.
Abstract:
A paper coating slip additive obtainable by free-radical polymerization, its preparation and its use in paper coating compositions are described. The additive is formed from (a) acid monomers selected from ethylenically unsaturated C3 to C8 carboxylic acids, (b) associative monomers of the general formula H 2 C=CR 1 -COO-(EO) n -(PO) m -R 2 where R 1 is hydrogen or methyl, n is at least two, m is from zero to 50, EO is an ethylene oxide group, PO is a propylene oxide group and R 2 is a C8-C30 alkyl group or a C8-C30 alkaryl group, and (c) nonionic copolymerizable monomers other than a) and b), wherein said additive has a weight average molecular weight of below 200 000 and wherein tert-dodecyl mercaptan is used as chain transfer agent.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von nachvernetztem Polyamid umfassend die Schritte (a) Bereitstellung einer Mischung enthaltend 80 bis 99,9 Gew.-% Polyamid (A), 0,1 bis 20 Gew.-% Komponente (B), die mindestens drei funktionelle Gruppen trägt, die mit den im Polyamid (A) enthaltenen funktionellen Gruppen reagieren können und 0 bis 25 Gew.-% Additiv (C), jeweils bezogen auf das Gesamtgewicht von (A), (B) und (C), (b) Formgebung der aus Schritt (a) erhaltenen Mischung, und (c) Wärmebehandlung des aus Schritt (b) erhaltenen geformten Körpers zur Nachvernetzung des Polyamids.
Abstract:
Aqueous, nitrogen-free cleaning composition, preparation and use thereof are provided. The composition having a pH of from 5 to 8 comprises (A) an amphiphilic nonionic, water-soluble or water-dispersible surfactant and (B) a metal chelating agent selected from polycarboxylic acids having at least 3 carboxylic acid groups. The composition is used for removing residues and contaminants from semiconductor substrates.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Xerogel enthaltend: von 30 bis 90 Gew.-% einer Monomerkomponente (a1) aus mindestens einem mehrfunktionellen Isocyanat und von 10 bis 70 Gew.-% einer Monomerkomponente (a2) aus mindestens einem mehrfunktionellen aromatischen Amin, wovon mindestens eines ausgewählt ist aus 4,4'-Diaminodiphenylmethan, 2,4'-Diaminodiphenylmethan, 2,2'-Diaminodiphenylmethan und oligomerem Diaminodiphenylmethan, wobei die Summe der Gew.-% der Monomerkomponenten (a1 ) und (a2) 100 Gew.-% ergibt und wobei die Monomerkomponenten im Xerogel in polymerer Form vorliegen und der volumengewichtete mittlere Porendurchmesser des Xerogels höchstens 5 μm beträgt. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung von Xerogelen, die so erhältlichen Xerogele sowie die Verwendung der Xerogele als Dämmstoff und in Vakuumisolationspaneelen.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von organischen Xerogelen umfassend: (a) Bereitstellen einer Zusammensetzung enthaltend eine organische Gelvorstufe (A) und ein Lösungsmittel (C); (b) Umsetzung der Gelvorstufe (A) in Gegenwart des Lösungsmittels (C) zu einem Gel; (c) Modifizierung des erhaltenen Gels mittels mindestens einer organischen Verbindung (D), welche weder in Schritt (a) noch in Schritt (b) zugegen war; (d) Trocknen des modifizierten Gels durch Überführung des Lösungsmittels (C) in den gasförmigen Zustand bei einer Temperatur und einem Druck unterhalb der kritischen Temperatur und des kritischen Drucks des Lösungsmittels (C). Weiterhin betrifft die Erfindung die so erhältlichen organischen Xerogele sowie deren Verwendung als Dämmstoff.
Abstract:
An aqueous chemical mechanical polishing (CMP) agent (A) comprising solid particles (a1) containing (a11) a corrosion inhibitor for metals, and (a12) a solid material, the said solid particles (a1) being finely dispersed in the aqueous phase; and its use in a process for removing a bulk material layer from the surface of a substrate and planarizing the exposed surface by chemical mechanical polishing until all material residuals are removed from the exposed surface, wherein the CMP agent exhibits at the end of the chemical mechanical polishing, without the addition of supplementary materials, - the same or essentially the same static etch rate (SER) as at its start and a lower material removal rate (MRR) than at its start, - a lower SER than at its start and the same or essentially the same MRR as at its start or - a lower SER and a lower MRR than at its start; such that the CMP agent exhibits a soft landing behavior.
Abstract:
A chemical mechanical polishing (CMP) composition, comprising (A) at least one type of inorganic particles which are dispersed in the liquid medium (C), (B) at least one type of polymer particles which are dispersed in the liquid medium (C), (C) a liquid medium, wherein the zeta-potential of the inorganic particles (A) in the liquid medium (C) and the zeta-potential of the polymer particles in the liquid medium (C) are of same signs.