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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JPWO2018190278A1
公开(公告)日：2020-05-14
申请号：JP2018014804
申请日：2018-04-06
Applicant: JSR株式会社
Abstract: 本発明は、基板表面の微小なパーティクルを効率よく除去でき、かつ形成された膜を基板表面から容易に除去することができる半導体基板洗浄用組成物の提供を目的とする。本発明の半導体基板洗浄用組成物は、ノボラック樹脂と、重合体でない有機酸と、溶媒とを含有し、固形分濃度が20質量%以下である。上記有機酸が、カルボン酸であるとよい。上記カルボン酸が、モノカルボン酸、ポリカルボン酸又はこれらの組み合わせであるとよい。上記有機酸の分子量としては、50以上500以下が好ましい。上記ノボラック樹脂10質量部に対する上記有機酸の含有量としては、0.001質量部以上10質量部以下が好ましい。上記溶媒が、エーテル系溶媒、アルコール系溶媒、又はこれらの組み合わせであるとよい。上記溶媒におけるエーテル系溶媒、アルコール系溶媒、又はこれらの組み合わせの含有割合としては、50質量%以上が好ましい。
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公开(公告)号：JPWO2020130094A1
公开(公告)日：2021-11-04
申请号：JP2019049920
申请日：2019-12-19
Applicant: JSR株式会社
IPC: C11D7/22 , C11D7/50 , C08L101/00 , C08G8/10 , C08L61/10 , H01L21/304
Abstract: 本発明は、基板に基板処理膜形成用組成物を塗工する工程と、上記塗工工程により形成された基板処理膜に基板処理膜除去液を接触させる工程とを備える半導体基板の洗浄方法に用いられる基板処理膜形成用組成物であって、重合体及び溶媒を含有し、上記重合体が炭素数2〜20の1価の炭化水素基を有することを特徴とする。
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公开(公告)号：JP2018067696A
公开(公告)日：2018-04-26
申请号：JP2016207390
申请日：2016-10-21
Applicant: JSR株式会社
IPC: C07C69/54 , C07C43/215 , C09D7/40 , C09D4/00 , C09D201/02 , C09D201/06 , C09D201/08 , H01L21/304
Abstract: 【課題】本発明は、基板パターンの倒壊抑制性及び欠陥抑制性に優れる基板パターン倒壊抑制用処理材と、これを用いた基板の処理方法の提供を目的とする。 【解決手段】本発明の基板パターン倒壊抑制用処理材は、一方の面に基板パターンが形成された基板の上記基板パターン側の面に、基板パターン倒壊抑制用処理材の塗工により基板パターン倒壊抑制膜を形成する工程を備える基板の処理方法に用いられ、熱又は光の作用により高分子量化する第1化合物と、溶媒とを含有することを特徴とする。上記第1化合物が、架橋基を有するとよい。上記架橋基が、重合性炭素−炭素二重結合を含む基、重合性炭素−炭素三重結合を含む基、置換若しくは非置換の環状エーテル基又はこれらの組み合わせであるとよい。上記第1化合物の有する上記架橋基の数としては、2以上が好ましい。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JPWO2018074535A1
公开(公告)日：2019-09-26
申请号：JP2017037767
申请日：2017-10-18
Applicant: JSR株式会社
IPC: C09D201/02 , C09D7/63 , C09D7/20 , C09D201/04 , C09D201/06 , C09D201/08 , H01L21/304
Abstract: 本発明は、基板パターンの倒壊抑制性に優れる処理剤と、これを用いた基板の処理方法との提供を目的とする。本発明の処理剤は、基板の表面に形成されたパターンの倒壊を抑制する処理剤であって、芳香環、及びこの芳香環に結合するヘテロ原子含有基を有する化合物と、溶媒とを含有することを特徴とする。上記ヘテロ原子含有基が、ヒドロキシ基、カルボキシ基、シアノ基、アミノ基、スルホ基、カルボニル基、オキシ基、ハロゲン原子又はこれらの組み合わせを含むとよい。上記溶媒が極性溶媒であるとよい。
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公开(公告)号：JP2015135470A
公开(公告)日：2015-07-27
申请号：JP2014215331
申请日：2014-10-22
Applicant: JSR株式会社
Abstract: 【解決手段】 下記工程1〜工程3を有することを特徴とするホールパターンの形成方法。工程1:基材に、アルカリ可溶性樹脂(A)、1分子中に下記式(1)で表わされる構造を少なくとも2つ有する化合物(B)、および光重合開始剤(C)を含有する樹脂膜を形成する工程。工程2:ホールパターンが得られるように前記樹脂膜を選択的に露光する工程。工程3:露光後の樹脂膜にアルカリ性の水溶液を接触させる工程。 (R 1 は、水素原子またはメチル基を示す。*は結合手を示す。) 【効果】本発明のホールパターンの形成方法は、現像速度を上げても基材、特に表面に銅膜を有する基材の銅膜が腐食されることなくホールパターンを形成することが可能である。本発明のホールパターン形成用樹脂組成物は、前記ホールパターンの形成方法に用いられる樹脂膜を好適に形成することができる。 【選択図】なし
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种形成能够形成孔图案的孔图案的方法，即使在显影速度增加时，也可以特别是在其表面上具有铜膜的基板的铜膜，特别是铜膜，以及用于 形成能够良好地形成树脂膜的孔图案，并且用于形成孔图案的方法。解决方案：形成孔图案的方法包括：步骤1，在基底上形成含有碱性金属的树脂膜， 一种分子中具有至少两个由下式（1）表示的结构的化合物（B）和光聚合引发剂（C）; 选择性地露出树脂膜的步骤2，以获得孔图案; 和暴露后使碱性水溶液与树脂膜接触的步骤3。 （式中，R表示氢原子或甲基，*表示键。）
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