公开(公告)号：JPWO2018190278A1

公开(公告)日：2020-05-14

申请号：JP2018014804

申请日：2018-04-06

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 青木 俊 ,  鄭 康巨 ,  松木 智裕 ,  酒井 達也 ,  望田 憲嗣 ,  松村 裕史

IPC: C11D7/22 ,  C11D7/26 ,  C11D7/50 ,  C08L61/06 ,  C08K5/09 ,  H01L21/304

Abstract: 本発明は、基板表面の微小なパーティクルを効率よく除去でき、かつ形成された膜を基板表面から容易に除去することができる半導体基板洗浄用組成物の提供を目的とする。本発明の半導体基板洗浄用組成物は、ノボラック樹脂と、重合体でない有機酸と、溶媒とを含有し、固形分濃度が20質量%以下である。上記有機酸が、カルボン酸であるとよい。上記カルボン酸が、モノカルボン酸、ポリカルボン酸又はこれらの組み合わせであるとよい。上記有機酸の分子量としては、50以上500以下が好ましい。上記ノボラック樹脂10質量部に対する上記有機酸の含有量としては、0.001質量部以上10質量部以下が好ましい。上記溶媒が、エーテル系溶媒、アルコール系溶媒、又はこれらの組み合わせであるとよい。上記溶媒におけるエーテル系溶媒、アルコール系溶媒、又はこれらの組み合わせの含有割合としては、50質量%以上が好ましい。

公开(公告)号：JPWO2020130094A1

公开(公告)日：2021-11-04

申请号：JP2019049920

申请日：2019-12-19

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 片切 崇 ,  青木 俊 ,  松木 智裕 ,  植田 嘉奈子 ,  高梨 和憲 ,  中津 大貴

IPC: C11D7/22 ,  C11D7/50 ,  C08L101/00 ,  C08G8/10 ,  C08L61/10 ,  H01L21/304

Abstract: 本発明は、基板に基板処理膜形成用組成物を塗工する工程と、上記塗工工程により形成された基板処理膜に基板処理膜除去液を接触させる工程とを備える半導体基板の洗浄方法に用いられる基板処理膜形成用組成物であって、重合体及び溶媒を含有し、上記重合体が炭素数2〜20の1価の炭化水素基を有することを特徴とする。

公开(公告)号：JP5842778B2

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：JP2012218829

申请日：2012-09-28

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 若松 剛史 ,  生井 準人 ,  青木 俊

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/11

CPC classification number: B44C1/227 ,  G03F7/00 ,  G03F7/094 ,  H01L21/00 ,  G03F7/091 ,  Y10S430/118

公开(公告)号：JP6458799B2

公开(公告)日：2019-01-30

申请号：JP2016510192

申请日：2015-03-04

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 青木 俊 ,  田中 博允 ,  若松 剛史 ,  滝本 嘉夫 ,  石川 真義 ,  木村 徹

IPC: G03F7/09 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  C08G8/20 ,  G03F7/40

公开(公告)号：JP2018067696A

公开(公告)日：2018-04-26

申请号：JP2016207390

申请日：2016-10-21

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 鄭 康巨 ,  松村 裕史 ,  松木 智裕 ,  青木 俊 ,  錦織 克聡 ,  滝本 嘉夫

IPC: C07C69/54 ,  C07C43/215 ,  C09D7/40 ,  C09D4/00 ,  C09D201/02 ,  C09D201/06 ,  C09D201/08 ,  H01L21/304

Abstract: 【課題】本発明は、基板パターンの倒壊抑制性及び欠陥抑制性に優れる基板パターン倒壊抑制用処理材と、これを用いた基板の処理方法の提供を目的とする。 【解決手段】本発明の基板パターン倒壊抑制用処理材は、一方の面に基板パターンが形成された基板の上記基板パターン側の面に、基板パターン倒壊抑制用処理材の塗工により基板パターン倒壊抑制膜を形成する工程を備える基板の処理方法に用いられ、熱又は光の作用により高分子量化する第1化合物と、溶媒とを含有することを特徴とする。上記第1化合物が、架橋基を有するとよい。上記架橋基が、重合性炭素−炭素二重結合を含む基、重合性炭素−炭素三重結合を含む基、置換若しくは非置換の環状エーテル基又はこれらの組み合わせであるとよい。上記第1化合物の有する上記架橋基の数としては、2以上が好ましい。 【選択図】なし

公开(公告)号：JPWO2020008965A1

公开(公告)日：2021-07-08

申请号：JP2019025256

申请日：2019-06-25

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 青木 俊 ,  片切 崇 ,  高梨 和憲 ,  島 基之

IPC: H01L21/304

Abstract: 半導体基板の表面に基板処理膜を形成してこの基板表面の異物を除去するプロセスにおいて、基板表面の微小なパーティクルを効率よく除去でき、かつ形成された基板処理膜を基板表面から容易に除去することができる基板処理膜形成用組成物及び基板の処理方法の提供を目的とする。本発明は、基板に基板処理膜形成用組成物を塗工する工程と、上記塗工工程により形成された基板処理膜に基板処理膜除去液を接触させる工程とを備える基板の処理方法に用いられる基板処理膜形成用組成物であって、樹脂と、溶媒とを含有し、上記溶媒が、標準沸点が175℃以上である第1溶媒成分を含み、上記樹脂100質量部に対する上記第1溶媒成分の含有量が1質量部以上である。

公开(公告)号：JPWO2018074535A1

公开(公告)日：2019-09-26

申请号：JP2017037767

申请日：2017-10-18

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 青木 俊 ,  鄭 康巨 ,  松村 裕史 ,  松木 智裕 ,  滝本 嘉夫

IPC: C09D201/02 ,  C09D7/63 ,  C09D7/20 ,  C09D201/04 ,  C09D201/06 ,  C09D201/08 ,  H01L21/304

Abstract: 本発明は、基板パターンの倒壊抑制性に優れる処理剤と、これを用いた基板の処理方法との提供を目的とする。本発明の処理剤は、基板の表面に形成されたパターンの倒壊を抑制する処理剤であって、芳香環、及びこの芳香環に結合するヘテロ原子含有基を有する化合物と、溶媒とを含有することを特徴とする。上記ヘテロ原子含有基が、ヒドロキシ基、カルボキシ基、シアノ基、アミノ基、スルホ基、カルボニル基、オキシ基、ハロゲン原子又はこれらの組み合わせを含むとよい。上記溶媒が極性溶媒であるとよい。