公开(公告)号：WO2007142209A1

公开(公告)日：2007-12-13

申请号：PCT/JP2007/061322

申请日：2007-06-05

Applicant: JSR株式会社 ,  杉田 光 ,  杉江 紀彦 ,  石田 英光 ,  夏目 紀浩 ,  田中 正人

Inventor： 杉田 光 ,  杉江 紀彦 ,  石田 英光 ,  夏目 紀浩 ,  田中 正人

IPC: G03F7/40 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/40

Abstract: 　リソグラフィープロセスにおいて、被加工基板をエッチングする条件で十分なエッチング耐性を有するパターンを形成する。被加工基板にレジストパターンを形成する工程と、このレジストパターン間に該レジストパターンよりもエッチング耐性に優れ、かつ分子内にシリコン原子を含まない重合体を埋め込む工程と、上記レジストパターンのみを選択的にエッチング除去して上記重合体のパターンを上記被加工基板に形成する工程とを含み、上記埋め込む工程において埋め込まれる重合体が分子内に芳香環を含有する重合体であり、上記重合体を埋め込む工程後に放射線照射処理を施す。

Abstract translation: 本发明提供了一种图案形成方法，其在光刻工艺中在对象基板的蚀刻条件下形成具有令人满意的耐腐蚀性的图案。 该方法包括在对象基板上形成抗蚀剂图案的步骤，在图案和步骤的凹部中嵌入具有比抗蚀剂图案更好的抗蚀剂图案并且在其分子中不含有任何硅原子的聚合物的步骤 选择性地蚀刻和去除抗蚀剂图案以在对象基板上形成聚合物的图案。嵌入步骤中的聚合物是在其分子中具有芳环的聚合物，并且在嵌入聚合物的步骤之后， 进行放射线照射处理。

公开(公告)号：WO2007046453A1

公开(公告)日：2007-04-26

申请号：PCT/JP2006/320811

申请日：2006-10-19

Applicant: JSR株式会社 ,  田中 正人 ,  杉田 光 ,  高橋 純一 ,  能村 仲篤

Inventor： 田中 正人 ,  杉田 光 ,  高橋 純一 ,  能村 仲篤

IPC: C08F12/02 ,  C08F12/32 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/091 ,  C08F212/32 ,  C08L2201/00 ,  C08F212/08

Abstract: 　下記一般式（１）と、（２）及び／又は（３）とで表される繰り返し単位を有し、ＧＰＣによるポリスチレン換算重量平均分子量が１，０００～１００，０００の、ビニルナフタレン誘導体の重合体。リソグラフィープロセスにおいて、フォトレジスト層への反射及びインターミキシングを防ぐことが可能な反射防止膜に含有されるビニルナフタレン誘導体の重合体を提供する。 （式（１）～（３）において、Ｒ １ 及びＲ ４ は水素原子又はメチル基を示す。Ｒ ２ は同一又は非同一の水素原子、炭素数１～６の置換可アルキル基等を示す。Ｒ ３ は水素原子又はグリシジル基を示す。Ｘは単結合又はメチレン基を示す。ｐ、ｑは０～７の整数であり、ｐ＋ｑ＝７である。Ｙは架橋可能な炭素数１～１０の１価の有機基を示す。）

Abstract translation: 包含由通式（1）表示的重复单元和由通式（2）和/或通式（3）表示的重复单元的重均分子量为1,000至100,000的乙烯基萘衍生物的聚合物 通过GPC测定的聚苯乙烯术语，其将包含在能够抑制光刻胶层上的反射和在光刻中混合的抗反射涂层中：其中R 1和R 4各自 氢或甲基; R 2相同或不同，每个氢，任选取代的具有1至6个碳原子的烷基等; R 3是氢或缩水甘油基; X是单键或亚甲基; p和q各自为0至7的整数，条件是p和q之和为7; Y为碳原子数为1〜10的一价交联性有机基团。

公开(公告)号：WO2006093057A1

公开(公告)日：2006-09-08

申请号：PCT/JP2006/303492

申请日：2006-02-24

Applicant: JSR株式会社 ,  今野 圭二 ,  田中 正人 ,  石井 桃子 ,  高橋 純一 ,  永井 智樹

Inventor： 今野 圭二 ,  田中 正人 ,  石井 桃子 ,  高橋 純一 ,  永井 智樹

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0752 ,  G03F7/0751 ,  G03F7/11 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0332 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/115 ,  Y10T428/31515 ,  Y10T428/31612 ,  Y10T428/31663

Abstract: 　本発明の課題は、レジスト膜との密着性に優れ、レジストパターンの再現性を向上させるとともに、現像等に用いられるアルカリ液およびレジスト除去時の酸素アッシングに対して耐性を有するレジスト下層膜を形成することができ、かつ、保存安定性に優れたレジスト下層膜用組成物を提供することにある。 　本発明に係るレジスト下層膜用組成物は、下記式（Ａ）で表されるシラン化合物の加水分解物および／またはその縮合物を含有することを特徴とする。 　Ｒ 1 b Ｒ 2 c Ｓｉ（ＯＲ 3 ） 4-a 　・・・（Ａ） ［式中、Ｒ 1 は少なくとも一つの不飽和結合を有する１価の有機基を示し、Ｒ 2 は独立に水素原子、ハロゲン原子または１価の有機基を示し、Ｒ 3 は独立に１価の有機基を示し、Ｒ 1 はＯＲ 3 基以外の基であり、ａは１～３の整数を示し、ｂは１～３の整数を示し、ｃは０～２の整数を示し、かつ、ａ＝ｂ＋ｃである。］                                                                                       

Abstract translation: 本发明提供了一种能够形成抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜的组合物，其对抗蚀剂膜具有优异的粘附性，可提高抗蚀剂图案的再现性，并且耐受用于显影等中的碱性液体 ，以及除去抗蚀剂中的氧灰化，同时具有优异的储存稳定性。 抗蚀剂下层膜的组合物的特征在于含有下式（A）表示的硅烷化合物和/或其缩合物的水解物。 R＆lt; 1＆gt; b＆lt; b＆gt;

公开(公告)号：WO2005037846A1

公开(公告)日：2005-04-28

申请号：PCT/JP2004/015150

申请日：2004-10-14

Applicant: JSR株式会社 ,  西村 功 ,  山原 登 ,  田中 正人 ,  下川 努

Inventor： 西村 功 ,  山原 登 ,  田中 正人 ,  下川 努

IPC: C07F7/18

CPC classification number: G03F7/0757 ,  C07F7/0852 ,  C07F7/1836 ,  C08G77/14 ,  C08G77/24 ,  G03F7/0045

Abstract: Disclosed is a novel polysiloxane which is suitable for a resin component in a chemically amplified resist that is particularly excellent in I-D bias, depth of focus (DOF) and the like. Also disclosed are a novel silane compound useful as a raw material for synthesizing such a polysiloxane, and a radiation-sensitive resin composition containing such a polysiloxane. The silane compound is represented by the following formula (I). (I) The polysiloxane has a constitutional unit represented by the following formula (1). (1) (R represents an alkyl group; R and R respectively represent a fluorine atom, a lower alkyl group or a lower fluorinated alkyl group; n is 0 or 1; k is 1 or 2; and i is an integer of 0-10.) The radiation-sensitive resin composition contains such a polysiloxane and a radiation-sensitive acid generator.

Abstract translation: 公开了适用于I-D偏压，深度聚焦（DOF）等特别优异的化学增幅抗蚀剂中的树脂成分的新型聚硅氧烷。 还公开了可用作合成这种聚硅氧烷的原料的新型硅烷化合物和含有这种聚硅氧烷的辐射敏感性树脂组合物。 硅烷化合物由下式（I）表示。 （I）聚硅氧烷具有由下式（1）表示的结构单元。 （1）（R表示烷基; R 1和R 2分别表示氟原子，低级烷基或低级氟代烷基; n为0或1; k为1或2; i 是0-10的整数。）辐射敏感性树脂组合物含有这种聚硅氧烷和辐射敏感的酸发生剂。

公开(公告)号：WO2005087841A1

公开(公告)日：2005-09-22

申请号：PCT/JP2005/004747

申请日：2005-03-17

Applicant: JSR株式会社 ,  西村 功 ,  杉浦 誠 ,  田中 正人

Inventor： 西村 功 ,  杉浦 誠 ,  田中 正人

IPC: C08G77/14

CPC classification number: G03F7/0757 ,  C08G77/14 ,  C08G77/24 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392

Abstract: The invention provides a siloxane resin which exhibits high transparency at a wavelength of 193nm or below and is extremely favorable as the resin component of radiation -sensitive resin compositions useful in the production of LSI's and a radiation-sensitive resin composition useful as a chemically amplified resist which is excellent in depth of focus (DOF) and little suffers development defects. The siloxane resin is one containing in the same molecule structural units (I) represented by the general formula (I) and structural units (II) represented by the general formula (II) wherein the contents of the units (I) and (II) are respectively above 0 mole % but do not exceed 70 mole % [wherein A and B are each a divalent, straight-chain, branched, or cyclic hydrocarbon group; R is a monovalent acid-dissociable group; and R is straight-chain, branched, or cyclic alkyl]. The radiation-sensitive resin composition comprises (i) a siloxane resin described above and (ii) a radiation -sensitive acid generator.

Abstract translation: 本发明提供一种硅氧烷树脂，其在193nm以下的波长下显示高透明性，并且作为用于制造LSI的辐射敏感性树脂组合物的树脂组分和用作化学放大抗蚀剂的辐射敏感性树脂组合物是非常有利的 其优异的深度焦点（DOF），并且几乎没有发展缺陷。 硅氧烷树脂是同一分子中含有由通式（I）表示的结构单元（I）和由通式（II）表示的结构单元（II），其中单元（I）和（II） 分别高于0摩尔％但不超过70摩尔％[其中A和B各自为二价，直链，支链或环状烃基; R 1是一价酸解离基团; 和R 2是直链，支链或环状烷基]。 辐射敏感性树脂组合物包含（i）上述硅氧烷树脂和（ii）辐射敏感性酸发生剂。

公开(公告)号：JP5873622B2

公开(公告)日：2016-03-01

申请号：JP2010053791

申请日：2010-03-10

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 河津 智晴 ,  田中 正人 ,  森 隆 ,  高梨 和憲 ,  保田 慶友

IPC: G03F7/26 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3065 ,  G03F7/11

CPC classification number: G03F7/0752 ,  C08G77/04 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/30 ,  G03F7/36 ,  C08G77/80