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公开(公告)号：WO2009087927A1
公开(公告)日：2009-07-16
申请号：PCT/JP2008/073724
申请日：2008-12-26
Applicant: NTTエレクトロニクス株式会社 , 日本電信電話株式会社 , 石橋 忠夫 , 丸山 和宏 , 小林 賢二 , 明吉 智幸 , 菊池 順裕 , 都築 健 , 石川 光映
IPC: G02F1/025
CPC classification number: G02F1/025 , G02F2201/07
Abstract: 本発明に係る半導体光変調器は、コア層、前記コア層を挟み下部及び上部にそれぞれ配置される第１クラッド層及び第２クラッド層、並びに前記第２クラッド層と前記コア層との間に挿入されるバリア層を含む積層構造からなる第１半導体光導波路と、前記第１半導体光導波路の積層構造のうち、前記第２クラッド層がｎ型半導体内で局所的に積層方向に貫通するｐ型半導体を持つ積層構造からなる第２半導体光導波路と、前記第１半導体光導波路の前記第１クラッド層に接続される第１電極と、前記第１半導体光導波路の前記第２クラッド層と前記第２半導体光導波路の前記第２クラッド層のｐ型半導体とを電気的に接続する第２電極と、を備える。
Abstract translation: 半导体光调制器设置有由多层结构构成的第一半导体光波导，所述第一半导体光波导分别包括芯层，芯层，第一覆盖层和布置在下部和第二覆层上的第二覆层， 以及插入在所述第二覆盖层和所述芯层之间的阻挡层; 在第一半导体光波导的多层结构中，由具有p型半导体的多层结构构成的第二半导体光波导，其中所述第二覆盖层在n型半导体中在层叠方向上局部渗透; 连接到第一半导体光波导的第一包层的第一电极; 以及将第一半导体光波导的第二包层与第二半导体光波导的第二包层的p型半导体电连接的第二电极。
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公开(公告)号：WO2008050809A1
公开(公告)日：2008-05-02
申请号：PCT/JP2007/070752
申请日：2007-10-24
Applicant: NTTエレクトロニクス株式会社 , 日本電信電話株式会社 , 石橋 忠夫 , 菊池 順裕 , 都築 健
CPC classification number: G02F1/017 , B82Y20/00 , G02F1/025 , G02F2202/101
Abstract: 本発明によれば、耐圧が高く、製作の容易なｎｐｉｎ型光変調器を提供することができる。本発明の一実施例による半導体光増幅器（１０）は、基板側にカソード層（１２－１）を配置して順次積層されたｎｐｉｎ型の半導体光変調器であって、少なくとも第１のｎ型クラッド層（１３－１）、ｐ型クラッド層（１４）、コア層（１７）、および第２のｎ型クラッド層（１３－２）を含む半導体光変調器において、ｐ型クラッド層（１４）がカソード層の電極（１８－１）に電気的に接続されていることを特徴とする。これによって、ｎｐｉｎ型光変調器での光吸収に伴うｐ型クラッド層へのホールの蓄積をマイナス側の電極に吸収させることができる。このｎｐｉｎ型の半導体光変調器は、メサ型の導波路構造とすることにより、従来の半導体製造技術を用いて比較的容易に製作することができる。
Abstract translation: 提供了一种容易制造的具有高耐受电压的npin型光调制器。 半导体光调制器（10）具有在衬底侧上具有阴极层（12-1）的npin型并且依次层叠的层。 半导体光调制器至少包括第一n型覆盖层（13-1），p型覆盖层（14），芯层（17）和第二n型覆盖层（13-2）。 p型覆盖层（14）与阴极层的电极（18-1）电连接。 因此，可以通过负侧的电极消除由于npin型光学调制器中的光吸收而在p型覆盖层上的空穴的累积。 由于npin型半导体光调制器具有台面型波导结构，因此可以通过使用传统的半导体制造技术相对容易地制造。
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公开(公告)号：WO2007000996A1
公开(公告)日：2007-01-04
申请号：PCT/JP2006/312800
申请日：2006-06-27
Applicant: NTTエレクトロニクス株式会社 , 日本電信電話株式会社 , 石橋 忠夫 , 安藤 精後 , 廣田 幸弘 , 村本 好史
IPC: H01L31/107
CPC classification number: H01L31/107 , H01L31/1075
Abstract: ｎ形ドーピングされた領域を持つＩｎｐバッファ層がなだれ増倍層とｎ形電極層との間に配置された電子注入形ＡＰＤにおいては、暗電流の増大防止とデバイスの寿命確保という課題があった。特に、エッジブレークダウンを防止して信頼性を向上させること、簡単な製造技術により低コストで製造ができることが望まれていた。ＩｎＰバッファ層内に、光吸収層によって規定される領域の内側にｎ形ドーピング領域を設け、イオン注入法により所定のドーピングプロファイルとすることによって、なだれ増倍層における電界集中を緩和した。さらに、低濃度の第２の光吸収層を光吸収層となだれ増倍層の間に設けて、受光効率を最大化し、光吸収層の側面の空乏化を抑制して電界集中を防止する。エッジブレークダウン抑制し、素子の信頼性を向上させた。
Abstract translation: 传统上存在的问题是，需要在雪崩倍增层和n型电极层之间插入具有n型掺杂区域的InP缓冲层的电子注入APD，以防止暗电流增加 并保证设备寿命。 特别地，电子注入ADP需要通过防止边缘破坏而具有改善的可靠性，并且通过简单的制造技术以低损耗制造。 在由InP缓冲层中的光吸收层限定的区域内形成n型掺杂区域，由此通过离子注入限定了预定的掺杂分布，并且减轻了雪崩倍增层的电场浓度。 在光吸收层和雪崩倍增层之间插入第二轻掺杂的光吸收层。 因此，光检测效率最大化，抑制了光吸收层的侧面的耗尽，防止了电场的集中。 边缘击穿受到抑制，器件的可靠性得到提高。
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公开(公告)号：JP6489701B2
公开(公告)日：2019-03-27
申请号：JP2016014769
申请日：2016-01-28
Applicant: NTTエレクトロニクス株式会社 , 学校法人北里研究所
IPC: H01L29/868 , H01L29/861
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公开(公告)号：JP2015064505A
公开(公告)日：2015-04-09
申请号：JP2013199009
申请日：2013-09-25
Applicant: NTTエレクトロニクス株式会社
IPC: G02F1/015
Abstract: 【課題】本発明は、電気—光信号変換装置における無給電EA変調器の温度特性を改善し、広い温度範囲、かつ低雑音で動作させることを目的とする。 【解決手段】本発明の電気—光信号変換装置は、無給電電気−光信号変換器として反射型EA変調器を使用し、広い温度範囲でかつ低雑音で動作させる。そのため、変調器の温度変化に従って光源の光波長を調整する機能を組み込み、また、干渉ブロックでの位相、振幅制御を行うとともに光信号を受信する際にホモダイン受信することでDC光成分を除去して低雑音のRF信号受信を行う。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：通过提高电光信号转换装置中的无电力EA（电吸收）调制器的温度特性，在宽温度范围内和低噪声下操作电光信号转换装置。解决方案： 电光信号转换装置使用反射型EA调制器作为无动力电光信号转换器，并在宽的温度范围和低噪声下工作。 因此，结合调制器的温度变化调整光源的光波长的功能，电光信号转换装置在干涉块中进行相位振幅控制，并进行低噪声RF（Radio 频率）信号接收，当接收到光信号以去除直流光学部件时进行零差接收。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP6721663B2
公开(公告)日：2020-07-15
申请号：JP2018221315
申请日：2018-11-27
Applicant: NTTエレクトロニクス株式会社
IPC: H01L29/868 , H01L21/329 , H01L29/93 , H01Q1/38 , H01L29/861
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公开(公告)号：JP2016061579A
公开(公告)日：2016-04-25
申请号：JP2014187391
申请日：2014-09-16
Applicant: NTTエレクトロニクス株式会社
Abstract: 【課題】精度が高くダイナミックレンジが広い計測ができ、振動や温度揺らぎなどの影響を受けにくいマイクロ波センサ及びマイクロ波測定方法を提供することを目的とする。 【解決手段】本発明に係るマイクロ波センサは、マイクロ波変調光信号のDC成分(光中心周波数)の除去を行う際、図7のようにOE変換サイトではなく、モノリシックEOチップを用いてアンテナサイトで行うことで安定性を改善することとした。さらに、本発明は、EAMに直列接続した可変抵抗を調節することで、DC成分除去の最適化を可能としている。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种微波传感器，其能够执行具有动态范围的高精度测量，并且几乎不受振动，温度波动等的影响，并且还提供微波测量方法。解决方案：在微波传感器中，当 除去微波调制光信号的DC分量（光中心频率），通过使用单片EO芯片代替OE转换部位在天线位置进行去除来提高稳定性，如图3所示。 此外，通过调整串联连接到EAM的可变电阻，可以实现直流元件去除的优化。选择图：图1
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公开(公告)号：JP5844445B2
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：JP2014184271
申请日：2014-09-10
Applicant: NTTエレクトロニクス株式会社 , 日本電信電話株式会社
IPC: H01L31/107
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公开(公告)号：JP6470019B2
公开(公告)日：2019-02-13
申请号：JP2014231806
申请日：2014-11-14
Applicant: NTTエレクトロニクス株式会社
IPC: H01L29/868 , H01L29/861 , H01Q23/00 , H01L21/329
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