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公开(公告)号：JP2014057113A
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：JP2013269316
申请日：2013-12-26
Applicant: Osram Opto Semiconductors Gmbh , オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH
Inventor： LELL ALFRED , EICHLER CHRISTOPH , RUMBOLZ CHRISTIAN
CPC classification number: H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01S5/2022 , H01S5/22 , H01S5/2205 , H01S5/2218 , H01S5/222 , H01L2924/00
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiation-emitting semiconductor chip with an improved light extraction efficiency.SOLUTION: The invention relates to a radiation-emitting semiconductor chip (1), comprising an active zone (2) for generating radiation having a wavelength λ and a patterned region (3) having irregularly arranged pattern elements. The pattern elements contain a first material having a first refractive index n, and are surrounded by a medium comprising a second material having a second refractive index n. The invention relates to a method for producing the radiation-emitting semiconductor chip.
Abstract translation: 要解决的问题：提供具有改进的光提取效率的辐射发射半导体芯片。解决方案：本发明涉及一种辐射发射半导体芯片（1），其包括用于产生具有波长λ的辐射的有源区（2） 以及具有不规则排列的图案元件的图案区域（3）。 图案元件包含具有第一折射率n的第一材料，并且被包括具有第二折射率n的第二材料的介质包围。 本发明涉及一种用于制造辐射发射半导体芯片的方法。
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公开(公告)号：JP2008034852A
公开(公告)日：2008-02-14
申请号：JP2007195436
申请日：2007-07-27
Applicant: Osram Opto Semiconductors Gmbh , オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH
Inventor： EICHLER CHRISTOPH , LELL ALFRED
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/025 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01S5/0213 , H01S5/0422 , H01S5/3063 , H01S5/3077 , H01S5/3213 , H01S5/3216 , H01L2924/00
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor layer structure having a superlattice with which electrical and optical properties have been improved, and to provide an opto-electronics device having the semiconductor layer structure. SOLUTION: This semiconductor layer structure includes multiple layers of superlattice containing a predetermined concentration of dopant. The concentration of this dopant differs at least in two layers of the same composition in the superlattice. The dopant of at least one layer of the superlattice is in a gradient of concentration, and the superlattice has a layer doped by a different kind of dopant. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
Abstract translation: 要解决的问题：提供具有超光栅的半导体层结构，其具有改善的电和光学特性，并提供具有半导体层结构的光电子器件。 解决方案：该半导体层结构包括含有预定浓度掺杂剂的多层超晶格。 至少在超晶格中相同组成的两层中，该掺杂剂的浓度不同。 超晶格的至少一层的掺杂剂处于浓度梯度，并且超晶格具有由不同种类的掺杂剂掺杂的层。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT
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公开(公告)号：JP2014220245A
公开(公告)日：2014-11-20
申请号：JP2014123009
申请日：2014-06-16
Applicant: オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram OptoSemiconductors GmbH , Osram Opto Semiconductors Gmbh , オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH
Inventor： OTT HUBERT , LELL ALFRED , STRAUS UWE , HAERLE VOLKER , STATH NORBERT
IPC: F21V8/00 , C09K11/00 , C09K11/08 , C09K11/56 , C09K11/59 , C09K11/62 , C09K11/64 , C09K11/73 , C09K11/78 , F21S2/00 , F21V7/22 , F21V9/08 , F21V9/16 , F21V15/00 , F21V23/00 , F21V29/00 , G02B6/00 , G02F1/13357 , G09F9/305
CPC classification number: G02B6/0003 , G02B6/001 , G02B6/03622 , G02B6/03638
Abstract: 【課題】本発明は、第1の波長のビーム(11)を光導体ボディ(20)の中で安全に誘導する発光装置を提供することを目的とする。【解決手段】この発光装置は、少なくとも1つの第1の波長のビーム(11)を放射するビーム源(5)と、このビーム源(5)から放射されたビーム(11)が入力結合され、且つ入力結合された第1の波長のビーム(11)に基づき、長手軸に対して角度を有するように光(12)を出力結合させる。【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够使具有第一波长的光束（11）在导光体（20）中被安全地引导的发光装置。解决方案：发光装置包括光束源（5） ），用于发射具有第一波长的至少一个光束（11），以及光束引导体（20），由所述光束源（5）发射的所述光束（11）被输入并耦合到所述光导体（20） 基于耦合光束（11）以相对于其纵向轴线成一定角度耦合光（12）以具有第一波长。
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公开(公告)号：JP2008091910A
公开(公告)日：2008-04-17
申请号：JP2007251152
申请日：2007-09-27
Applicant: Osram Opto Semiconductors Gmbh , オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH
Inventor： EICHLER CHRISTOPH , LELL ALFRED , RUMBOLZ CHRISTIAN
IPC: H01S5/20
CPC classification number: H01S5/2232 , H01S5/1064 , H01S5/1237 , H01S5/2022 , H01S5/22 , H01S5/2205 , H01S5/2214 , H01S5/2216 , H01S5/2219 , H01S5/222 , H01S5/2231 , H01S5/32341 , H01S2301/166 , H01S2304/12
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor laser having not only comparatively high radiation quality but also improved in electrical characteristics.
SOLUTION: There is provided the semiconductor laser 1 having: a semiconductor layer 2 in a row direction including an active region 3 to generate electromagnetic radiations; and an absorption region 4 to attenuate the higher mode. The absorption region 4 is disposed on the semiconductor layer 2 in the row direction or adjacent thereto.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPITAbstract translation: 要解决的问题：提供不仅具有相对较高的辐射质量但也改善了电特性的半导体激光器。 解决方案：提供半导体激光器1，其具有：包括有源区域3的行方向的半导体层2，以产生电磁辐射; 以及用于衰减较高模式的吸收区域4。 吸收区域4在行方向或与其相邻配置在半导体层2上。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT
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5.发明专利
公开(公告)号：JP2008085338A
公开(公告)日：2008-04-10
申请号：JP2007249242
申请日：2007-09-26
Applicant: Osram Opto Semiconductors Gmbh , オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH
Inventor： HAERLE VOLKER , HOES CHRISTINE , LELL ALFRED , STRAUS UWE
CPC classification number: H01L33/44 , H01L2933/0025 , H01L2933/0041 , H01S5/0282 , H01S5/0287 , H01S2301/176
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing an optoelectronics device using an ion-assisted application method, and to provide the optoelectronics device.
SOLUTION: The method includes: a step (A) of providing a semiconductor layer sequence that has at least one active area, wherein the active area is suitable for emitting electromagnetic radiation during operations; and a step (B) of applying at least one layer on the first surface of the semiconductor sequence by the ion-assisted application method.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPITAbstract translation: 要解决的问题：提供一种使用离子辅助施加方法制造光电装置的方法，并提供光电装置。 解决方案：该方法包括：提供具有至少一个有效区域的半导体层序列的步骤（A），其中该有源区适用于在操作期间发射电磁辐射; 以及通过离子辅助涂布法在半导体序列的第一表面上施加至少一层的工序（B）。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2008034850A
公开(公告)日：2008-02-14
申请号：JP2007195431
申请日：2007-07-27
Applicant: Osram Opto Semiconductors Gmbh , オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH
Inventor： EICHLER CHRISTOPH , LELL ALFRED , MILER ANDREAS , SCHILLGALIES MARK
CPC classification number: H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L29/155 , H01L33/04 , H01L2924/0002 , H01S5/2009 , H01S5/3215 , H01S5/3216 , H01S5/34333 , H01L2924/00
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor layer structure in which the electrical characteristics and the optical characteristics are improved, and to provide an optoelectronics device having such a semiconductor layer structure. SOLUTION: In the semiconductor layer structure, the thickness of a first type layer and the thickness of a second type layer increases layer by layer as the distance from an active layer increases. An optoelectronics device having such a semiconductor layer structure is also provided. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种提高电特性和光学特性的半导体层结构，并提供具有这种半导体层结构的光电子器件。 解决方案：在半导体层结构中，随着与有源层的距离增加，第一类型层的厚度和第二类型层的厚度逐层增加。 还提供了具有这种半导体层结构的光电子器件。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT
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7.发明专利Method of manufacturing optical semiconductor device, and optical semiconductor device 有权制造光学半导体器件的方法和光学半导体器件
公开(公告)号：JP2011035433A
公开(公告)日：2011-02-17
申请号：JP2010256649
申请日：2010-11-17
Applicant: Osram Opto Semiconductors Gmbh , オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH
Inventor： HAERLE VOLKER , HAHN BERTHOLD , LUGAUER HANS-JURGEN , BOLAY HELMUT , BADER STEFAN , EISERT DOMINIK , STRAUS UWE , VOELKL JOHANNES , ZEHNDER ULRICH , LELL ALFRED , WEIMAR ANDREAS
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01S5/3407 , H01S5/3408 , H01S5/34333
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing an optical semiconductor device capable of improving quantum efficiency. SOLUTION: An indium content of at least one well layer is increased in a step of growing the well layer. In the optical semiconductor device, the well layer has a first composition based on a nitride semiconductor material with first electron energy, and a barrier layer has a second composition based on the nitride semiconductor material with second electron energy higher than the first electron energy. A beam activated quantum well layer is grown on the barrier layer. Non-radiative well layers and the barrier layers form a superlattice for the beam activated quantum well layer. The layer thickness of the beam activated quantum well layer is larger than the layer thickness of the well layer of the superlattice. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够提高量子效率的制造光半导体器件的方法。 解决方案：在生长阱层的步骤中增加至少一个阱层的铟含量。 在光半导体器件中，阱层具有基于具有第一电子能的氮化物半导体材料的第一组成，并且阻挡层具有基于具有高于第一电子能的第二电子能的氮化物半导体材料的第二组成。 光束激发量子阱层生长在阻挡层上。 非辐射阱层和阻挡层形成用于束激活量子阱层的超晶格。 束活化量子阱层的层厚度大于超晶格阱层的层厚度。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT
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公开(公告)号：JP2004214666A
公开(公告)日：2004-07-29
申请号：JP2003431066
申请日：2003-12-25
Applicant: Osram Opto Semiconductors Gmbh , オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH
Inventor： BRUDERL GEORG , STRAUS UWE , LELL ALFRED
CPC classification number: H01S5/32341 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S2301/176
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor laser diode with a stabilized forward property by improving an aging property. SOLUTION: The semiconductor laser diode is provided with a semiconductor existing on a nitride joint semiconductor substrate having an active layer which emits photon, a resonator contact formed on the semiconductor, and a connector contact surface electrically connected to the resonator contact. A space area with no coating is arranged adjacent to the resonator contact on the surface of the semiconductor. Hole contact can be eliminated without deteriorating contact resistance by leaking hydrogen from the semiconductor in the space area. COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI
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公开(公告)号：JP2008219015A
公开(公告)日：2008-09-18
申请号：JP2008047957
申请日：2008-02-28
Applicant: Osram Opto Semiconductors Gmbh , オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH
Inventor： HAERLE VOLKER , LELL ALFRED , OTT HUBERT , STATH NORBERT , STRAUS UWE
CPC classification number: G02B27/1006 , G02B19/0019 , G02B19/0028 , G02B19/0057 , G02B27/141 , G02B27/143 , G02B27/145 , G02B27/149
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a solution for achieving high image-forming quality even if the luminance is the same.
SOLUTION: An optical device comprises at least a first light-emitting device (LE1) and a second light-emitting device (LE2), and at least a light adder (1). The optical device is constituted such that the lights from the first and second light-emitting devices (LE1, LE2) are added to form one light beam.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPITAbstract translation: 要解决的问题：即使亮度相同，也提供用于实现高成像质量的解决方案。 解决方案：光学装置至少包括第一发光装置（LE1）和第二发光装置（LE2），以及至少一个光加法器（1）。 光学装置被构造成使得来自第一和第二发光装置（LE1，LE2）的光被相加以形成一个光束。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT
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公开(公告)号：JP2008034851A
公开(公告)日：2008-02-14
申请号：JP2007195432
申请日：2007-07-27
Applicant: Osram Opto Semiconductors Gmbh , オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH
Inventor： EICHLER CHRISTOPH , LELL ALFRED , MILER ANDREAS , SCHILLGALIES MARK
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01S5/0422 , H01S5/2009 , H01S5/3063 , H01S5/3213 , H01S5/3215 , H01S5/3216 , H01S5/3218 , H01L2924/00
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor layer structure in which the electrical characteristics and the optical characteristics are improved, and to provide an optoelectronics device having such a semiconductor layer structure. SOLUTION: In the semiconductor layer structure, adjoining layers of different type in a superlattice have a different composition of at least one element, at least two layers of the same type in the superlattice have a different content of at least one element, the content of at least one element is gradient in the layer of the superlattice which contains a doping material at a predetermined concentration, and the superlattice has a layer doped by a different doping material. An optoelectronics device having such a semiconductor layer structure is also provided. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种提高电特性和光学特性的半导体层结构，并提供具有这种半导体层结构的光电子器件。 解决方案：在半导体层结构中，超晶格中不同类型的相邻层具有至少一种元素的不同组成，超晶格中相同类型的至少两层具有至少一种元素的不同含量， 至少一种元素的含量是超晶格层中含有预定浓度的掺杂材料的梯度，超晶格具有由不同掺杂材料掺杂的层。 还提供了具有这种半导体层结构的光电子器件。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT
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