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公开(公告)号:JP2015214070A
公开(公告)日:2015-12-03
申请号:JP2014097793
申请日:2014-05-09
Applicant: TOWA株式会社
Abstract: 【課題】離型性および防汚性に優れ、かつ、割れや欠けが生じにくい成形型を提供する。 【解決手段】成形型は、成形品を成形する際に使用される成形型であって、金属製の基材10と、基材10上に設けられ、酸化イットリウム、窒素および4A族元素のカチオンを含み、成形品と接触するセラミックス層20とを備える。上記成形型は、基材10とセラミックス層20との間に介在する中間層30をさらに備えてもよい。中間層30は、基材10よりも硬度が高く、かつ、セラミックス層20よりも靱性が高い部分を有する。 【選択図】図2
Abstract translation: 要解决的问题:提供一种具有优异的脱模性和防污性并且几乎不引起断裂或破裂的成型工具。提供一种用于模制成型制品的模具,其包括金属基材10和陶瓷 层20,其设置在基材10上并含有氧化钇,氮和4A族元素的阳离子,并与成型品接触。 成型工具还可以包括介于基材10和陶瓷层20之间的中间层30.中间层30具有比基材10更高的硬度,并且具有比陶瓷层20更高的韧性的部分。
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公开(公告)号:JP2016187941A
公开(公告)日:2016-11-04
申请号:JP2015069468
申请日:2015-03-30
Applicant: TOWA株式会社
IPC: B29C33/38
Abstract: 【課題】離型性と成形品に含まれる樹脂に対する低密着性とに優れ、かつ、割れや欠けが生じにくい成形型を提供する。 【解決手段】成形型は、成形品を成形する際に使用される成形型であって、金属製の基材10と、基材10上に設けられ、酸化イットリウム、窒素および4A族元素のカチオンを含み、成形品と接触するセラミックス層20とを備える。上記成形型は、基材10とセラミックス層20との間に介在する中間層30をさらに備えてもよい。中間層30は、基材10よりも硬度が高く、かつ、セラミックス層20よりも靱性が高い部分を有する。上記成形型は、型面がクリーニングされた後に続いて成形品を成形するために使用される。 【選択図】図2
Abstract translation: 要解决的问题:提供一种具有优异的脱模性和对模塑制品中所含树脂的低粘合性的成型模具,并且几乎不引起开裂和碎裂。成型模具是模制品成型时使用的成型模具 包含金属基材10和设置在基材10上的陶瓷层20含有氧化钇,氮和4A族元素的阳离子,并与成型品接触。 成型模具还可以包括介于基材10和陶瓷层20之间的中间层30.中间层30具有比基材10更高的硬度并且具有比陶瓷层20更高的韧性的部分。成型 模具用于清洁模具表面,然后模制成型制品。选择图:图2
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公开(公告)号:JP2017165612A
公开(公告)日:2017-09-21
申请号:JP2016052024
申请日:2016-03-16
Applicant: TOWA株式会社
IPC: C04B35/50 , C03C17/34 , A23L5/41 , B32B18/00 , C03C17/245
CPC classification number: B32B18/00 , C03C17/245 , C03C17/34 , C04B35/505
Abstract: 【課題】低密着性材料及び成形用部材として使用され得る透光性材料を提供する。 【解決手段】透光性材料は、ガラス系材料からなる基台部1と、基台部1の上方(表面)において層状に設けられるセラミックス層2とを備える。基台部1として、ソーダライムガラス、アルミノシリケートガラスを使用した強化ガラス、主にホウケイ酸ガラスを使用した耐熱ガラス、石英ガラスなどを使用できる。セラミックス層2は、酸化イットリウム(Y 2 O 3 )を基材にして、窒素及び4A族元素のカチオンを含む。石英ガラスを使用する場合には、基台部1とセラミックス層2との間に中間層3を形成することが好ましい。 【選択図】図1
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公开(公告)号:JP2020132906A
公开(公告)日:2020-08-31
申请号:JP2019024033
申请日:2019-02-14
Applicant: TOWA株式会社
Abstract: 【課題】ワークに形成される薄膜のムラの発生を抑制することができる成膜品の製造方法を提供する。 【解決手段】第一回転軸(回転軸20)を中心として公転可能、かつターゲット6(スパッタリングターゲット)に対して傾斜した第二回転軸(ワーク保持部60)を中心として自転可能となるようにワークWを保持するワーク保持工程と、前記第一回転軸を中心とする公転、及び前記第二回転軸を中心とする自転を行いながら、前記ターゲット6を用いて、前記ワークWに対して成膜を行う成膜工程と、を含む。 【選択図】図4
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