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公开(公告)号：CN119943627A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411868762.3
申请日：2024-12-18
Applicant: 深圳先进技术研究院
Abstract: 本申请提供了一种碳纳米管场发射阴极及其制造方法。制造方法包括：利用碳纳米管、导电颗粒、粘结颗粒制备得到碳纳米管浆料，将碳纳米管浆料印刷至导电基板的表面，形成碳纳米管薄膜，对碳纳米管薄膜进行表面处理，使得碳纳米管的朝向沿预定方向。该方法采用优化的碳纳米管浆料配方，提高了碳纳米管与基板之间的粘附力和导电性能。进一步地通过在导电基板表面设置微结构，显著提高了碳纳米管的总沉积面积，从而提供了更多的场发射位点，增加了发射电流密度，降低碳纳米管阴极的开启电场。
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公开(公告)号：CN114975035B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202210439349.X
申请日：2022-04-25
Applicant: 中国科学技术大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化物阴极发射浆制备等离子体源的方法，它包括三元碱土金属碳酸盐按比例配置后，与有机溶剂、粘接剂混合制成氧化物阴极发射浆，自动喷涂在阴极基金属上。三元碳酸盐中，碳酸钡BaCO3和碳酸锶SrCO3以摩尔比1：1配置，加入总质量5％‑10％的碳酸钙CaCO3。发射浆溶剂为丙酮和乙酸异戊酯等有机溶剂，粘接剂为醋酸丁酸纤维此类有机大分子聚合物。所有材料和溶剂的化学纯度皆为99.99％。本发明具有发射浆黏度适中易于自动化喷涂，阴极涂层均匀，受热分解无有害气体等优点。
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公开(公告)号：CN115763191B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202211486067.1
申请日：2022-11-24
Applicant: 中国科学院西安光学精密机械研究所
Abstract: 本发明公开了一种共振增强光吸收的纳米颗粒结构光电阴极及其制备方法，用以解决现有技术仅能降低光电阴极的入射光反射率，而不能增强其入射光吸收率的技术问题。本发明的光电阴极包括衬底层、金属纳米颗粒层及光电发射层，通过在光电阴极中引入金属纳米颗粒层，利用表面等离激元特性提高了材料对光子的捕获，降低了光子的反射率。同时，通过局域表面等离激元共振作用，形成了局域光场增强以及远场散射增强，提高了光电阴极对入射光的吸收效率，进而提高了光电转换效率及光电阴极的综合特性。
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公开(公告)号：CN111192803B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202010128512.1
申请日：2020-02-28
Applicant: 成都国泰真空设备有限公司
Abstract: 本发明涉及离子源技术领域，具体而言，涉及一种防离子轰击的离子源装置，包括：壳体、磁铁、导磁件、阳极件、石墨阴极、第一极靴和第二极靴。壳体开设有第一凹槽；第一极靴设置于第一凹槽内，磁铁设置于第一极靴的两端并贴合于第一凹槽的内壁，导磁件设置于第一极靴与磁铁所形成的第二凹槽内，阳极件设置于导磁件的内腔，第二极靴设置于导磁件与磁铁形成的承载平台上，石墨阴极包裹于第二极靴，石墨阴极用于阻挡从阳极件发射的电子对第二极靴进行轰击。如此，离子在阳极的加速下轰击产品时，石墨阴极能够阻挡从阳极件发射的离子对第二极靴进行轰击，从而有效的保护第二极靴，同时避免对环境造成污染。
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公开(公告)号：CN118737776B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202410929705.5
申请日：2024-07-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种多孔硅基阴极电子源及其制备方法和制备设备，涉及阴极电子发射源技术领域。多孔硅基阴极电子源的制备方法包括：通过阳极氧化法制备多孔硅层；在第一电解液中，对多孔硅层进行阴极还原处理，以使第一电解液中的特定离子钝化多孔硅层，利于多孔硅层氧化；对钝化后的多孔硅层进行电化学氧化，以使钝化后的多孔硅层均匀、充分氧化；对电化学氧化处理后的多孔硅层进行热退火。该制备方法在电化学氧化处理前先采用阴极还原对多孔硅层进行钝化，有助于电化学氧化对多孔硅层进行更完全、更充分的氧化，降低多孔硅层中的电子在隧穿加速过程中因缺陷态引起的随机散射作用，从而大幅改善器件电流及发射电流的重复性及稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118588513B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202410928962.7
申请日：2024-07-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种多孔硅基电子发射源及其制备方法、设备，涉及阴极电子发射源技术领域。多孔硅基电子发射源的制备方法包括：获取多孔硅层；采用恒压模式的电化学氧化法处理多孔硅层，以将多孔硅层充分且均匀氧化；对电化学氧化处理后的多孔硅层进行热退火。该制备方法采用恒压模式的电化学氧化方法对多孔硅层进行氧化处理，能够充分均匀钝化多孔硅层，从而有效提高多孔硅基电子发射源的电子发射效率。相比传统快速热氧化、高温水蒸气退火、高温热碳化等工艺，电化学氧化方法具备常温、大面积、低成本等优势，有望大规模用于制备真空微电子器件的片上高效电子源，满足未来真空微电子器件的高度集成与多功能化发展需求。
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公开(公告)号：CN119581296A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202510134338.4
申请日：2025-02-07
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种微针尖环形阵列阴极电子枪及其阴极的制备方法，属于真空电子器件技术领域，其中，电子枪包括阴极、栅极、双聚焦电极、阳极；具体而言，阴极为环形阵列结构，由圆锥沿对称轴一分为二，切面为底面，尖端朝内，在阴极凹槽内均匀分布，呈凹面形状，具有预聚焦效果；阴极的微针尖设计，显著增大场增强因子，进而提高尖端的电场强度、提升发射电流密度且降低开启电压；栅极为菱形栅孔栅网，菱形边长与阴极凹槽半径一致，通过调节菱形锐角优化电场分布，显著提高场发射效率；第一聚焦电极为双曲聚焦电极，其内壁形状为双曲线，通过引导电场线沿中心轴线向阳极弯曲，增强聚焦效果；本设计的电子枪兼具高场发射性能与高束流压缩比。
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公开(公告)号：CN119480576A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411576172.3
申请日：2024-11-06
Applicant: 西南科技大学
Abstract: 本发明属于材料化学制备技术领域，具体涉及一种含金属的石墨‑金刚石复合薄膜场发射阴极的制备方法。通过在MPCVD法制备石墨‑金刚石复合薄膜中，将液态碳源和金属源引入等离子体，再以经金刚石研磨、种晶后的单晶硅片为衬底，制备含金属石墨‑金刚石复合薄膜。该制备方法成功在石墨‑金刚石复合薄膜中引入了金属源，且不会有新相的产生。金属源引入到石墨‑金刚石复合薄膜中可调控复合薄膜的电子结构，以铁源为例，可降低复合薄膜表面功函数约1.5eV，并且显著增强其场发射性能：开启场强从4.0V/μm降低至1.1V/μm，发射电流密度从13mA/cm2@8.8V/μm提升至15.8mA/cm2@2.8V/μm。
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公开(公告)号：CN119381227A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411541731.7
申请日：2024-10-31
Applicant: 南方电网数字电网研究院股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种日盲紫外光电阴极及其制备方法、日盲紫外光探测器和探测方法。该日盲紫外光电阴极，其包括铯氧层；铯氧层的厚度可以为2nm~10nm。该日盲紫外光电阴极具有性能稳定、探测灵敏、暗电流小、信噪比好、日盲探测特性优异等优点。
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公开(公告)号：CN119368737A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411547970.3
申请日：2024-11-01
Applicant: 中国科学院空天信息创新研究院
IPC: B22F3/11 , B22F9/22 , B22F3/04 , B22F3/26 , C22C27/04 , B22F7/08 , C22C1/08 , C23C14/22 , H05H7/00 , H01J9/04 , H01J1/146
Abstract: 本发明提供了一种钨钪基浸渍阴极、其制备方法和应用，属于热阴极材料技术领域。本发明提供的钨钪基浸渍阴极的制备方法包括：将偏钨酸铵和硝酸钪加入水中，得到混合溶液；对混合溶液进行冷冻干燥，得到混合均匀的前驱体粉末；对前驱体粉末进行热处理，得到多孔钨钪棒；对多孔钨钪棒进行后处理，得到钨钪基浸渍阴极；其中，混合溶液中偏钨酸铵的浓度为0.1~0.4 g/mL；混合溶液中偏钨酸铵和硝酸钪的比例为使得多孔钨钪棒中钨的含量为95~99wt%，氧化钪的含量为1~5wt%；冷冻干燥的温度小于‑50℃，冷冻干燥的真空度小于20Pa，冷冻干燥的时间为48~72h。
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