半导体衬底的制造方法、半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN110546746A

    公开(公告)日:2019-12-06

    申请号:CN201880025788.8

    申请日:2018-04-19

    Abstract: 本发明的目的是提供半导体衬底的制造方法等,所述制造方法在研磨中半导体晶圆不会脱落等,而且得到的半导体衬底没有开裂或缺口等。为了解决上述课题,半导体衬底的制造方法包含如下工序:聚酰亚胺层形成工序,在支撑材料上形成聚酰亚胺层;晶圆粘贴工序,介由前述聚酰亚胺层而使前述支撑材料和半导体晶圆的电路形成面贴合;晶圆研磨工序,对粘贴有前述支撑材料的前述半导体晶圆的电路非形成面进行研磨;支撑材料剥离工序,从前述聚酰亚胺层剥离前述支撑材料;以及聚酰亚胺层剥离工序,从前述半导体晶圆剥离前述聚酰亚胺层。前述聚酰亚胺层包含聚酰亚胺,所述聚酰亚胺包含二苯甲酮骨架、以及源于具有脂肪族链的二胺的结构,所述聚酰亚胺的胺当量为4000~20000。

    组合物、层叠体和层叠体的制造方法

    公开(公告)号:CN115956098B

    公开(公告)日:2024-11-26

    申请号:CN202180050465.6

    申请日:2021-09-08

    Abstract: 本发明提供一种组合物,其包含化合物(A)、化合物(B)和化合物(C),化合物(A)具有包含选自伯氮原子和仲氮原子中的至少1个的阳离子性官能团以及Si‑O键,化合物(B)具有3个以上的‑C(=O)OX基(X为氢原子或碳原子数1以上6以下的烷基),所述‑C(=O)OX基中,1个以上6个以下为‑C(=O)OH基,化合物(C)具有环结构以及与所述环结构直接结合的1个以上的伯氮原子,在化合物(A)所含的伯氮原子和仲氮原子与化合物(C)所含的伯氮原子的合计中,化合物(A)所含的伯氮原子和仲氮原子所占的比例为3摩尔%~95摩尔%。

    基板层叠体及基板层叠体的制造方法

    公开(公告)号:CN110545997B

    公开(公告)日:2022-05-24

    申请号:CN201880027357.5

    申请日:2018-04-24

    Abstract: 一种基板层叠体,其依次层叠有第1基板、粘接层以及第2基板,所述粘接层包含化合物(A)与交联剂(B)的反应产物,所述化合物(A)具有包含伯氮原子和仲氮原子中的至少一个的阳离子性官能团,且重均分子量为90以上40万以下,所述交联剂(B)在分子内具有3个以上‑C(=O)OX基(X为氢原子或碳原子数1以上6以下的烷基),3个以上‑C(=O)OX基中,1个以上6个以下为‑C(=O)OH基,且重均分子量为200以上600以下,上述化合物(A)包含选自由重均分子量1万以上40万以下的脂肪族胺、以及具有硅氧烷键(Si‑O键)和氨基的重均分子量130以上10000以下的化合物所组成的组中的至少1种。

    基板层叠体及基板层叠体的制造方法

    公开(公告)号:CN110545997A

    公开(公告)日:2019-12-06

    申请号:CN201880027357.5

    申请日:2018-04-24

    Abstract: 一种基板层叠体,其依次层叠有第1基板、粘接层以及第2基板,所述粘接层包含化合物(A)与交联剂(B)的反应产物,所述化合物(A)具有包含伯氮原子和仲氮原子中的至少一个的阳离子性官能团,且重均分子量为90以上40万以下,所述交联剂(B)在分子内具有3个以上-C(=O)OX基(X为氢原子或碳原子数1以上6以下的烷基),3个以上-C(=O)OX基中,1个以上6个以下为-C(=O)OH基,且重均分子量为200以上600以下,上述化合物(A)包含选自由重均分子量1万以上40万以下的脂肪族胺、以及具有硅氧烷键(Si-O键)和氨基的重均分子量130以上10000以下的化合物所组成的组中的至少1种。

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