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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1250289A
公开(公告)日：2000-04-12
申请号：CN99118159.X
申请日：1999-08-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种三维(3D)网格数据的渐进编码方法和设备。该方法包括以下步骤:(a)构造一或多个网格对象层的3D三角网格;(b)把各个网格对象层分成多个网格分量;(c)以网格分量为单位形成比特流并对其进行编码;以及,(d)把编码的网格分量组合成压缩比特流并发送该压缩比特流。因而能够进行渐进3D网格恢复,且熵编码效率能够得到提高。
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公开(公告)号：CN1250289B
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN99118159.X
申请日：1999-08-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种三维(3D)网格数据的渐进编码方法和设备。该方法包括以下步骤：(a)构造一或多个网格对象层的3D三角网格；(b)把各个网格对象层分成多个网格分量；(c)以网格分量为单位形成比特流并对其进行编码；以及，(d)把编码的网格分量组合成压缩比特流并发送该压缩比特流。因而能够进行渐进3D网格恢复，且熵编码效率能够得到提高。
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公开(公告)号：CN1969386A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200580010346.9
申请日：2005-01-18
Applicant: 汉阳大学校产学协力团 , 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115
Abstract: 本发明涉及一种带有纳米级浮栅的闪存装置及其制造方法，具体涉及一种带有采用嵌入聚合物膜中的自组装的纳米结晶体的效率高并且成本低的纳米级浮栅的闪存装置。本发明提供的制造用于闪存装置的纳米结晶体的方法较传统方法更为简单容易。由于结晶体作为聚合物层均匀散布，而不凝聚，所以可以控制结晶粒子的尺寸和密度。此外，本发明通过利用电学特性和化学特性都比传统浮栅更加稳定的纳米级浮栅，提供了带有效率高并且成本低的纳米级浮栅的存储装置及其制造方法。
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公开(公告)号：CN1250289B8
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN99118159.X
申请日：1999-08-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种三维(3D)网格数据的渐进编码方法和设备。该方法包括以下步骤：(a)构造一或多个网格对象层的3D三角网格；(b)把各个网格对象层分成多个网格分量；(c)以网格分量为单位形成比特流并对其进行编码；以及，(d)把编码的网格分量组合成压缩比特流并发送该压缩比特流。因而能够进行渐进3D网格恢复，且熵编码效率能够得到提高。
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公开(公告)号：CN1969386B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200580010346.9
申请日：2005-01-18
Applicant: 汉阳大学校产学协力团 , 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115
Abstract: 本发明涉及一种带有纳米级浮栅的闪存装置及其制造方法，具体涉及一种带有采用嵌入聚合物膜中的自组装的纳米结晶体的效率高并且成本低的纳米级浮栅的闪存装置。本发明提供的制造用于闪存装置的纳米结晶体的方法较传统方法更为简单容易。由于结晶体作为聚合物层均匀散布，而不凝聚，所以可以控制结晶粒子的尺寸和密度。此外，本发明通过利用电学特性和化学特性都比传统浮栅更加稳定的纳米级浮栅，提供了带有效率高并且成本低的纳米级浮栅的存储装置及其制造方法。
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