公开(公告)号：CN109828433B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN201811396840.9

申请日：2018-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文晟墉 ,  李受龙 ,  金昌焕

IPC: G03F1/42 ,  G03F1/36 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明构思提供了校正掩模布局的方法和使用其制造半导体器件的方法。该校正掩模布局的方法包括：提供包括第一图案的掩模布局，每个第一图案具有与第一临界尺寸(CD)值相关的尺寸；获得关于晶片的区域的形貌数据；使用形貌数据生成散焦图；以及基于散焦图校正掩模布局。生成散焦图包括分别为掩模布局的多个子区域设置第二CD值。第二CD值可以基于形貌数据设置。基于散焦图校正掩模布局包括将第一图案的尺寸校正为与第二CD值相关。

公开(公告)号：CN118689032A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410197595.8

申请日：2024-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴东辰 ,  文晟墉 ,  张准荣

IPC: G03F1/68 ,  H10B12/00 ,  G03F1/70

Abstract: 提供了光掩模制造方法和半导体装置制造方法。该光掩模制造方法包括：基于布局数据限定主区域和虚设区域，其中主区域对应于围绕由布局数据限定的功能图案的外边界，虚设区域对应于主区域外部的空白空间；以及形成虚设图案以填充虚设区域。形成虚设图案包括：将至少一个第一图案块放置在虚设区域中以形成第一子区域，至少一个第一图案块中的每一个具有第一面积；以及在完成将至少一个第一图案块放置在虚设区域中之后，将至少一个第二图案块放置在除第一子区域之外的虚设区域中以形成第二子区域，至少一个第二图案块中的每一个具有小于第一面积的第二面积。

公开(公告)号：CN116360204A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202211683475.6

申请日：2022-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李儿潾 ,  梁起豪 ,  郑芝银 ,  文晟墉 ,  张准荣

IPC: G03F1/36 ,  G03F7/20

Abstract: 公开了光学邻近校正方法、掩模制造方法和半导体芯片制造方法。所述用于制造半导体芯片的光学邻近校正(OPC)方法可包括：检测初始布图图案的多个边缘，并且将所述多个边缘之中的违反掩模规则的边缘确定为目标边缘；在目标边缘上设置参考控制点(RCP)；通过基于RCP划分目标边缘来形成多边缘；在多边缘上设置附加控制点；通过基于RCP和附加控制点将多边缘变换为弯曲边缘，来形成修改布图图案；基于修改布图图案执行OPC模拟；以及基于OPC模拟的结果来计算修改布图图案的边缘放置误差(EPE)。

公开(公告)号：CN118628708A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410067362.6

申请日：2024-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑仁均 ,  朴东辰 ,  文晟墉 ,  张准荣

IPC: G06V10/24 ,  G06V10/94 ,  G06V10/764 ,  G06F16/532 ,  G06F16/55

Abstract: 一种图案校正方法，包括：从数据库获取包括全拍照坐标和未对准值的全拍照数据；针对全拍照数据，基于悬臂梁分析方法来计算全拍照数据的变形系数；基于全拍照数据，沿在位线方向上的第一轴提取第一坐标数据，并且沿在字线方向上的第二轴提取第二坐标数据；基于第一坐标数据和第二坐标数据对全拍照数据进行分类；从全拍照数据中去除异常值。

公开(公告)号：CN116520631A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310084699.3

申请日：2023-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文晟墉 ,  李元灿

IPC: G03F1/36 ,  G03F7/20

Abstract: 提供了一种用于制造光掩模布图的方法和一种用于制造半导体器件的方法。用于制造光掩模布图的方法包括：接收包括主图案的第一布图；考虑所述主图案的光学性质，通过在所述第一布图中生成辅助特征来生成第二布图；通过对第二布图执行光学邻近校正(OPC)来生成第三布图；以及当在通过使用光掩模作为蚀刻掩模蚀刻的半导体膜的ACI图像上未生成所述辅助特征时，将所述第三布图输出为经校正的布图，所述光掩模是使用所述第三布图生成的。

公开(公告)号：CN109828433A

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201811396840.9

申请日：2018-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文晟墉 ,  李受龙 ,  金昌焕

IPC: G03F1/42 ,  G03F1/36 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明构思提供了校正掩模布局的方法和使用其制造半导体器件的方法。该校正掩模布局的方法包括：提供包括第一图案的掩模布局，每个第一图案具有与第一临界尺寸(CD)值相关的尺寸；获得关于晶片的区域的形貌数据；使用形貌数据生成散焦图；以及基于散焦图校正掩模布局。生成散焦图包括分别为掩模布局的多个子区域设置第二CD值。第二CD值可以基于形貌数据设置。基于散焦图校正掩模布局包括将第一图案的尺寸校正为与第二CD值相关。