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发明公开
光学邻近校正方法、掩模制造方法和半导体芯片制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN116360204A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202211683475.6

申请日：2022-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李儿潾 , 梁起豪 , 郑芝银 , 文晟墉 , 张准荣

IPC: G03F1/36 , G03F7/20

Abstract: 公开了光学邻近校正方法、掩模制造方法和半导体芯片制造方法。所述用于制造半导体芯片的光学邻近校正(OPC)方法可包括：检测初始布图图案的多个边缘，并且将所述多个边缘之中的违反掩模规则的边缘确定为目标边缘；在目标边缘上设置参考控制点(RCP)；通过基于RCP划分目标边缘来形成多边缘；在多边缘上设置附加控制点；通过基于RCP和附加控制点将多边缘变换为弯曲边缘，来形成修改布图图案；基于修改布图图案执行OPC模拟；以及基于OPC模拟的结果来计算修改布图图案的边缘放置误差(EPE)。

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